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SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX Strato 0,4-3 Orientamento del substrato 100 111
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SOI Wafer Silicio su isolante 100mm 150mm P tipo Dopante B Dispositivo 220 Resistenza: 8,5-11,5 ohm-cm
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Silicio su Isolatore SOI Wafer 6", 2,5 "m (P-doped) + 1,0 SiO2 + 625um Si (P-type /Boron Doped)
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Orientazione del wafer di silicio CZ111 Resistenza: 1-10 (ohm.cm) lucidatura a lato singolo o doppio
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Wafer di silicio spessore 4 pollici 500+/-20 Resistenza 1-10 ohm·cm Orientamento100 doppio lato lucido
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3 pollici InP Indium fosfuro Substrato N-tipo semiconduttore VGF metodo di crescita 111 100 orientamento
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Epi Ready Wafer InP da 4 pollici di tipo N tipo P tipo EPF < 1000cm^2 con spessore di 325mm±50mm
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Wafer monocristallino di Si per apparecchiature elettroniche Substrato di fotolitografia Strato 2"3"4"6"8"
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Celle solari di elevata purezza e conducibilità delle onde di silicio
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4 pollici 6 pollici 8 pollici wafer SOI compatibile con CMOS struttura a tre strati
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Strato di ossido termico SiO2 Spessore della wafer 20um Sistema di comunicazione ottica MEMS
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6 pollici 8 pollici SIO2 diossido di silicio Wafer spessore 10um-25um Superficie Micromachining
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Wafer di silicio di alta purezza alta conduttività termica 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici
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Wafer GaP da 2 pollici con posizione/lunghezza EJ 0-1-1 / 16±1 mm LED LD Mobilità Min 100
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