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FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrato di 2 3 4 6 pollici di spessore:350-650um InGaAs doping
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP sottostato astratto
L'Epiwafer Fabry-Perot (FP) su substrati di fosfuro di indio (InP) è un componente critico nella fabbricazione di dispositivi optoelettronici ad alte prestazioni,in particolare diodi laser utilizzati nei sistemi di comunicazione otticaIl substrato InP offre un'eccellente corrispondenza reticolare con materiali come l'InGaAsP, consentendo la crescita di strati epitaxiali di alta qualità.Intervallo di lunghezza d'onda di 55 μm, rendendoli ideali per la comunicazione in fibra ottica a causa delle caratteristiche di bassa perdita delle fibre ottiche in questo spettro.sono ampiamente utilizzati nelle interconnessioni dei data center, rilevamento ambientale e diagnostica medica, fornendo soluzioni convenienti con buone prestazioni.La struttura più semplice dei laser FP rispetto a progetti più complessi come i laser DFB (Distributed Feedback) li rende una scelta popolare per applicazioni di comunicazione a medio raggioGli epiwafer FP basati su inP sono essenziali in industrie che richiedono componenti ottici ad alta velocità e affidabili.
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer vetrina del substrato InP
FP ((Fabry-Perot)) scheda di dati del substrato InP dell'Epiwafer
FP ((Fabry-Perot)) Struttura del substrato InP dell'Epiwafer
Gli Epiwafer di Fabry-Perot (FP) su substrati di fosfuro di indio (InP) sono ampiamente utilizzati in varie applicazioni optoelettroniche a causa delle loro efficienti proprietà di emissione di luce, in particolare nel 1.3 μm a 1.55 μm gamma di lunghezza d'onda. Le principali applicazioni sono le seguenti:
Queste applicazioni evidenziano la versatilità degli Epiwafer FP su substrati InP, che forniscono soluzioni efficienti ed economicamente convenienti in settori quali le telecomunicazioni, la diagnostica medica, l'informatica e la tecnologia.rilevamento ambientale, e sistemi ottici ad alta velocità.
Emissioni luminose efficienti nelle lunghezze d'onda chiave:
Performance ad alta velocità:
Fabbricazione conveniente:
Applicazioni versatili:
Processo di fabbricazione più semplice:
Buona flessibilità delle lunghezze d'onda:
Basso consumo energetico: