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FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pollici Spessore 350-650um InGaAs Doping
Dettagli:
| Place of Origin: | China |
Termini di pagamento e spedizione:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
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| Payment Terms: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| PL Wavelength control: | Better than 3nm | PL Wavelength uniformity: | Std.Dev better than 1nm @inner 42mm |
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| Thickness control: | Better than +3% | Thickness uniformity: | Better than +3% @inner 42mm |
| Doping control: | Better than ±10% | P-InP doping (cm-°): | Zn doped: 5e17 to 2e18 |
| N-inP doping (cm 3): | Si doped: 5e17 to 3e18 | AllnGaAs doping (cmr3): | 1e17 to 2e18 |
| Evidenziare: | 6 pollici di spessore Epiwafer InP Substrato,Substrato InP 350-650um,Substrato InP da 6 pollici |
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Descrizione di prodotto
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrato di 2 3 4 6 pollici di spessore:350-650um InGaAs doping
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP sottostato astratto
L'Epiwafer Fabry-Perot (FP) su substrati di fosfuro di indio (InP) è un componente critico nella fabbricazione di dispositivi optoelettronici ad alte prestazioni,in particolare diodi laser utilizzati nei sistemi di comunicazione otticaIl substrato InP offre un'eccellente corrispondenza reticolare con materiali come l'InGaAsP, consentendo la crescita di strati epitaxiali di alta qualità.Intervallo di lunghezza d'onda di 55 μm, rendendoli ideali per la comunicazione in fibra ottica a causa delle caratteristiche di bassa perdita delle fibre ottiche in questo spettro.sono ampiamente utilizzati nelle interconnessioni dei data center, rilevamento ambientale e diagnostica medica, fornendo soluzioni convenienti con buone prestazioni.La struttura più semplice dei laser FP rispetto a progetti più complessi come i laser DFB (Distributed Feedback) li rende una scelta popolare per applicazioni di comunicazione a medio raggioGli epiwafer FP basati su inP sono essenziali in industrie che richiedono componenti ottici ad alta velocità e affidabili.
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer vetrina del substrato InP
FP ((Fabry-Perot)) scheda di dati del substrato InP dell'Epiwafer
FP ((Fabry-Perot)) Struttura del substrato InP dell'Epiwafer
- InP Substrato (base)
- Strato tampone (lissamento superficiale)
- Regione attiva (Quantum Wells)
- Strati di rivestimento (confinamento ottico)
- Strati di tipo P e di tipo N (iniezione del vettore)
- Strati di contatto (contatti elettrici)
- Faccette riflettenti (FP Laser Cavity)
Gli Epiwafer di Fabry-Perot (FP) su substrati di fosfuro di indio (InP) sono ampiamente utilizzati in varie applicazioni optoelettroniche a causa delle loro efficienti proprietà di emissione di luce, in particolare nel 1.3 μm a 1.55 μm gamma di lunghezza d'onda. Le principali applicazioni sono le seguenti:
1.Comunicazione in fibra ottica
- Diodi laser: I laser FP sono comunemente utilizzati come sorgenti luminose nei sistemi di comunicazione in fibra ottica, in particolare per la trasmissione di dati a corto e medio raggio.a lunghezze d'onda che riducono al minimo la perdita di segnale nelle fibre ottiche.
- Trasmettitori e moduli ottici: I laser FP integrati in trasmettitori ottici consentono la conversione di segnali elettrici in segnali ottici per la trasmissione di dati su reti a fibra ottica.
2.Interconnessioni del Data Center
- Connettività ad alta velocità: I laser FP nei data center forniscono interconnessioni ottiche ad alta velocità e a bassa latenza tra server e apparecchiature di rete.
3.Sensori ambientali e rilevamento dei gas
- Sensori di gas: I laser FP sono utilizzati nei sistemi di rilevamento dei gas per rilevare gas specifici, come CO2 e CH4, sintonizzando le lunghezze d'onda di assorbimento di questi gas.Questi sistemi sono utilizzati per il monitoraggio ambientale e le applicazioni di sicurezza industriale.
4.Diagnostica medica
- Tomografia di coerenza ottica (OCT): I laser FP sono utilizzati nei sistemi OCT per l'imaging medico non invasivo, in particolare in oftalmologia, dermatologia e diagnostica cardiovascolare.Questi sistemi sfruttano l'alta velocità e la precisione dei laser FP per l'imaging dettagliato dei tessuti.
5.LIDAR
- Veicoli autonomi e mappatura: i laser FP sono utilizzati nei sistemi LIDAR (Light Detection and Ranging) per applicazioni quali la guida autonoma, la mappatura 3D e la scansione ambientale,quando sono essenziali misurazioni di distanza ad alta risoluzione.
6.Circuiti integrati fotonici (PIC)
- Fotonica integrataGli Epiwafer sono materiali fondamentali per lo sviluppo di circuiti integrati fotonici che integrano più dispositivi fotonici (ad esempio, laser,per la trasmissione di segnali e comunicazioni ad alta velocità.
7.Comunicazione satellitare e aerospaziale
- Comunicazione ad alta frequenza: I laser FP basati su inP sono utilizzati nei sistemi di comunicazione satellitare per la trasmissione di dati ad alta frequenza su lunghe distanze nelle applicazioni spaziali e aerospaziali.
8.Ricerca e sviluppo
- Prototipi e prove: FP Epiwafer sono utilizzati nella R & S per lo sviluppo di nuovi dispositivi optoelettronici, il miglioramento delle prestazioni dei diodi laser e l'esplorazione di nuove lunghezze d'onda per le tecnologie emergenti.
Queste applicazioni evidenziano la versatilità degli Epiwafer FP su substrati InP, che forniscono soluzioni efficienti ed economicamente convenienti in settori quali le telecomunicazioni, la diagnostica medica, l'informatica e la tecnologia.rilevamento ambientale, e sistemi ottici ad alta velocità.
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Emissioni luminose efficienti nelle lunghezze d'onda chiave:
- Gli epiwafer FP su substrati InP sono ottimizzati per l'emissione nella gamma di lunghezza d'onda da 1,3 μm a 1,55 μm, che si allinea con le finestre di trasmissione a bassa perdita nelle fibre ottiche,rendendoli ideali per la comunicazione in fibra ottica.
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Performance ad alta velocità:
- I substrati InP hanno un'eccellente mobilità elettronica, che consente ai laser FP di ottenere un funzionamento ad alta velocità e di supportare la trasmissione di dati ad alta frequenza.Questo li rende adatti per applicazioni ad alta larghezza di banda come data center e telecomunicazioni.
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Fabbricazione conveniente:
- Rispetto alle strutture laser più complesse come i laser a Feedback distribuito (DFB), i laser FP hanno un design più semplice.Ciò si traduce in costi di produzione più bassi, pur fornendo buone prestazioni per applicazioni a corto e medio raggio.
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Applicazioni versatili:
- Gli epiwafer FP sono utilizzati in una vasta gamma di applicazioni, dalla comunicazione in fibra ottica e dalle interconnessioni dei data center al rilevamento ambientale, alla diagnostica medica (OCT) e ai sistemi LIDAR.La loro versatilità rappresenta un grande vantaggio in tutti i settori..
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Processo di fabbricazione più semplice:
- I laser FP sono più facili da fabbricare rispetto ad altri tipi di laser, come i laser DFB, a causa della loro dipendenza da facce sottili naturalmente riflettenti piuttosto che da griglie complesse,ridurre la complessità e i costi di fabbricazione.
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Buona flessibilità delle lunghezze d'onda:
- I laser FP possono essere regolati su una gamma di lunghezze d'onda regolando la corrente o la temperatura, fornendo flessibilità per diverse applicazioni, in particolare nei sistemi di rilevamento e comunicazione.
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Basso consumo energetico:
- I laser FP basati su epiwafer InP tendono ad avere un consumo di energia inferiore, rendendoli efficienti per le implementazioni su larga scala nelle reti di comunicazione e di rilevamento dei dati in cui l'efficienza energetica è fondamentale.