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In come substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 5 pollici 6 pollici Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP lucidato
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Niobato di litio (LiNbO3) Ingot cristallino ad alta frequenza SAW
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Tantalato di litio (LiTaO3) Wafer cristallino Filtri SAW ad alta frequenza Coefficiente piezoelettrico elevato
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LiTaO3 Wafer Tantalato di litio Elettro-ottico non lineare piezoelettrico ottico personalizzazione
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SrLaAlO4 /LaSrAlO4 LSAO 10x10x0.5mmt5x5x1mmt Substrato per epitaxia su misura
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Wafer ZnTe ZnTe Cristallo Tipo N Tipo P Dimensioni e specifiche disponibili
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Wafer di silicio 4 pollici 8 pollici lato singolo doppio lato lucido spessore 350um P dopato B dopato
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Wafer SOI P Tipo N Tipo 6 pollici 8 pollici 12 pollici Vernice di superficie SSP/DSP
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ITO vetro sottostrato vetro rivestito con ossido di stagno di indio In2O3/SnO2 10 X 10 50×50 Spessore 1,1 mm
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Vetro FTO rivestito con ossido di stagno di fluoro Substrato di vetro FTO Vetro 1'' x 1' x 3' trasmissibilità 80~ 85%
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Orientamento del substrato cristallino ZnTe 110 10x10x0.5 mm 10x10x1 mm Per la generazione di rilevamento THz
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Sottostrati di SiC 2/3/4/6/8 pollici HPSI Produzione Fantasma di grado di ricerca
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Wafer di silicio di 8 pollici CZ 200 mm Wafer di silicio di primo grado < 111>, SSP, DSP tipo P, B Dopante per materiale semiconduttore
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Wafer di silicio Wafer di silicio 8 pollici N tipo P tipo < 111> < 100> < 110> SSP DSP grado primo grado Dummy
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Si Wafer / Substrato spessore 8 pollici 675-775 μm, tipo P/N, orientamento 111, doppio / lato singolo lucidato
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