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Wafer GaP da 2 pollici tipo N non dopato S dopato 100 DSP SSP CZ alta purezza 5N 99,999%
Dettagli:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
Termini di pagamento e spedizione:
| Tempi di consegna: | 2-4weeks |
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| Termini di pagamento: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Peso molecolare (g/mol): | 100.697 | Colore/aspetto: | solido arancione pallido |
|---|---|---|---|
| Purezza: | ≥ 99,999%, 5N | Punto di fusione (°C): | 1,457 |
| Intervallo di banda (eV): | 2.24 | Mobilità elettronica (cm2/(V·s)): | 300 |
| Sensitività magnetica (χ) (cgs): | -13,8 × 10−6 | Conducibilità termica (W/(cm·K)): | 0.752 |
| Evidenziare: | Wafer GaP di tipo N,Wafer GaP da 2 pollici,Wafer GaP ad alta purezza |
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Descrizione di prodotto
Wafer GaP da 2 pollici N Tipo Non dopato S Dopato 100 DSP SSP CZ Alta purezza 5N 99,999%
Descrizione del Wafer GaP:
Nei semiconduttori, il fosfuro di gallio è un semiconduttore composto di tipo III-V che ha un ampio intervallo di banda indiretta di fosfuro di gallio (gap).La struttura cristallina di questo composto è la stessa del silicioLa sua costante di reticolo è di 0,545 nm e la sua mobilità elettronica e di foro sono rispettivamente di circa 100 e 75 cm2/V-s. Questo materiale è inodore e insolubile in acqua.È stato utilizzato nella fabbricazione di molti dispositivi elettronici, compresi gli interruttori CMOS e RF/V/A.
Il materiale principale del substrato per i LED è il fosfuro di gallio, e è trasparente alla luce rossa, gialla e arancione.Questi diodi sono trasparenti alla maggior parte della luceTuttavia, c'è un problema connesso a questo materiale.non emette luce sufficiente per essere utile come fonte di illuminazione.
Il carattere della Wafer GaP:
1. Bandgap: il GaP ha un bandgap diretto di circa 2,26 eV a temperatura ambiente. Questo livello di energia del bandgap rende il GaP adatto per applicazioni optoelettroniche, inclusi LED e fotodettori.
2- Proprietà ottiche: i wafer GaP presentano ottime proprietà ottiche, come l'elevata trasparenza nello spettro visibile.Questa trasparenza è vantaggiosa per i dispositivi optoelettronici che operano nel campo della luce visibile.
3- Proprietà elettriche: il GaP ha buone proprietà elettriche, tra cui elevata mobilità elettronica e bassa corrente oscura,con una lunghezza massima di 20 mm o più ma non superiore a 30 mm,.
4- Proprietà termiche: i wafer GaP hanno una conduttività termica relativamente buona, aiutando a dissipare il calore dai dispositivi elettronici.Questa proprietà è importante per mantenere le prestazioni e l'affidabilità del dispositivo.
5Struttura cristallina: il GaP ha una struttura cristallina di zincblende, che influenza le sue proprietà elettroniche e ottiche.La struttura cristallina influenza anche i processi di crescita e fabbricazione dei dispositivi basati sul GaP.
6Doping: i Wafer GaP possono essere dopati con varie impurità per modificare la loro conduttività elettrica e le loro proprietà ottiche.Questo controllo dei dopanti è essenziale per adattare i dispositivi GaP ad applicazioni specifiche.
7. Compatibilità con composti III-V: il GaP è compatibile con altri semiconduttori composti III-V,consentendo la crescita di eterostrutture e l'integrazione di diversi materiali per creare dispositivi avanzati.
La forma del Wafer GaP:
| Struttura cristallina | A = 5,4505?/FONT> | |
| Metodo di crescita | CZ (LEC) | |
| Densità | 40,13 g/cm3 | |
| Punto di fusione | 1480 oC | |
| Espansione termica | 5.3 x10-6 / oC | |
| Dopanti | S dopato | non dopato |
| Asse di crescita dei cristalli | <111> o <100> | < 100> o < 111> |
| Tipo di conduttore | N | N |
| Concentrazione del vettore | 2 ~ 8 x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
| Resistenza | ~ 0,03 W-cm | ~ 0,3 W-cm |
| EPD | < 3x105 | < 3x105 |
La foto fisica di GaP Wafer:
Applicazioni del Wafer GaP:
1. Diodi emettitori di luce (LED):
I Wafer GaP sono comunemente utilizzati nella fabbricazione di LED per varie applicazioni di illuminazione, tra cui luci indicatrici, display e illuminazione automobilistica.
2- Diodi laser:
I wafer GaP sono utilizzati nella produzione di diodi laser per applicazioni come l'archiviazione di dati ottici, le telecomunicazioni e i dispositivi medici.
3Fotodetettori:
I wafer GaP sono utilizzati nei fotodettori per applicazioni di rilevamento della luce, comprese le comunicazioni ottiche, i sistemi di imaging e il monitoraggio ambientale.
4- Cellule solari:
I wafer GaP sono utilizzati nello sviluppo di celle solari ad alta efficienza, in particolare in strutture di celle solari multiunione per applicazioni spaziali e fotovoltaiche a concentratore terrestre.
5. Dispositivi optoelettronici:
I wafer GaP sono parte integrante di vari dispositivi optoelettronici, come i circuiti integrati fotonici, i sensori ottici e i modulatori optoelettronici.
6Elettronica ad alta velocità:
I wafer GaP sono utilizzati in dispositivi elettronici ad alta velocità, tra cui transistor ad alta frequenza, circuiti integrati a microonde e amplificatori di potenza RF.
7. Lasers a semiconduttore:
I wafer GaP sono utilizzati nella fabbricazione di laser semiconduttori utilizzati in applicazioni come comunicazioni ottiche, scanner di codici a barre e attrezzature mediche.
8Fotonica:
I wafer GaP svolgono un ruolo cruciale nelle applicazioni fotoniche, tra cui guide d'onda, interruttori ottici e cristalli fotonici per manipolare la luce a nanoscala.
9Tecnologia dei sensori:
I wafer GaP sono utilizzati nello sviluppo di sensori per varie applicazioni, come il rilevamento dei gas, il monitoraggio ambientale e la diagnostica biomedica.
10. Dispositivi di eteroconnessione:
I wafer GaP sono integrati con altri semiconduttori composti III-V per creare dispositivi di eterogiunzione, consentendo funzionalità avanzate nei sistemi elettronici e optoelettronici.
Immagini di applicazione di Wafer GaP:
FAQ:
1D: A che cosa serve il fosfuro di gallio?
R: Dal 1960 il fosfuro di gallio è stato utilizzato nella produzione di diodi emettitori di luce (LED) a basso costo, rossi, arancioni e verdi, con luminosità da bassa a media.Si usa da solo o in combinazione con l'arsenuro di gallio
Raccomandazione del prodotto:
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