SiC tipo N su Wafer composto di Si 6 pollici 150 mm SiC tipo 4H-N Si tipo N o P

SiC tipo N su Wafer composto di Si 6 pollici 150 mm SiC tipo 4H-N Si tipo N o P

SiC di tipo N su Wafer composto di Si

Il carburo di silicio (SiC) di tipo N su wafer composte di silicio (Si) ha attirato notevole attenzione a causa delle loro promettenti applicazioni in dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenza.Questo studio presenta la fabbricazione e la caratterizzazione del SiC di tipo N su onde composte di SiUtilizzando la deposizione chimica a vapore (CVD), abbiamo coltivato con successo uno strato di SiC di alta qualità di tipo N su un substrato di Si.assicurando un minimo di incompatibilità e difetti della grigliaL'integrità strutturale del wafer composto è stata confermata mediante analisi di diffrazione a raggi X (XRD) e di microscopia elettronica di trasmissione (TEM).rivelando uno strato di SiC uniforme con eccellente cristallinitàLe misurazioni elettriche hanno dimostrato una mobilità superiore del vettore e una ridotta resistenza, rendendo questi wafer ideali per l'elettronica di potenza di prossima generazione.la conduttività termica è stata migliorata rispetto alle tradizionali onde Si, contribuendo a una migliore dissipazione del calore nelle applicazioni ad alta potenza.I risultati suggeriscono che il SiC di tipo N su wafer composte di Si ha un grande potenziale per integrare dispositivi basati su SiC ad alte prestazioni con la piattaforma tecnologica del silicio ben consolidata.

Specificativi e schematica perSiC di tipo N su Wafer composto di Si

SiC di tipo N su foto di Wafer composto di Si

SiC di tipo N sulle applicazioni di Wafer composte di Si

I Wafer composti di Si hanno una varietà di applicazioni a causa della loro combinazione unica di proprietà sia del carburo di silicio (SiC) che del silicio (Si).Queste applicazioni si concentrano principalmente su impianti ad alta potenza, apparecchi elettronici ad alta temperatura e ad alta frequenza.

1. Elettronica di potenza:

   • Dispositivi di alimentazione: Le onde SiC sul Si di tipo N sono utilizzate nella fabbricazione di dispositivi di potenza come diodi, transistor (ad esempio, MOSFET, IGBT) e raddrizzatori.Questi dispositivi beneficiano dell'elevata tensione di rottura e della bassa resistenza del SiC, mentre il substrato di Si consente una più facile integrazione con le tecnologie esistenti a base di silicio.
   • Convertitori e inverter: Questi wafer sono utilizzati in convertitori e inverter per sistemi di energia rinnovabile (ad esempio, inverter solari, turbine eoliche), dove la conversione efficiente dell'energia e la gestione del calore sono fondamentali.

2. Elettronica automobilistica:

   • Veicoli elettrici: Nei veicoli elettrici e ibridi, i Wafer SiC sul Si di tipo N sono utilizzati nei componenti del gruppo motore, inclusi inverter, convertitori e caricabatterie di bordo.L'elevata efficienza e la stabilità termica del SiC consentono un'elettronica di potenza più compatta ed efficiente, con conseguente miglioramento delle prestazioni e maggiore durata della batteria.
   • Sistemi di gestione delle batterie (BMS): Questi wafer sono utilizzati anche nel BMS per gestire gli alti livelli di potenza e le sollecitazioni termiche associate alla ricarica e alla scarica delle batterie nei veicoli elettrici.

3. Dispositivi a RF e a microonde:

   • Applicazioni ad alta frequenza: i Wafer SiC sul Si di tipo N sono adatti ai dispositivi a radiofrequenza (RF) e a microonde, compresi amplificatori e oscillatori, utilizzati nelle telecomunicazioni e nei sistemi radar.L'elevata mobilità elettronica del SiC consente un trattamento del segnale più veloce ad alte frequenze.
   • Tecnologia 5G: Questi wafer possono essere utilizzati nelle stazioni base 5G e in altri componenti dell'infrastruttura di comunicazione, dove sono necessarie operazioni di alta potenza e di frequenza.

4. Aerospaziale e difesa:

   • Ambiente violento Elettronica: I wafer sono utilizzati in applicazioni aerospaziali e di difesa dove l'elettronica deve funzionare in modo affidabile sotto temperature estreme, radiazioni e stress meccanici.La sua tolleranza alle alte temperature e la sua durabilità lo rendono ideale per tali ambienti.
   • Moduli di alimentazione per satelliti: nei moduli di alimentazione satellitari, questi wafer contribuiscono a una gestione efficiente dell'energia e all'affidabilità a lungo termine nelle condizioni spaziali.

5. Elettronica industriale:

   • Motori motori: le onde di SiC sul Si di tipo N sono utilizzate nei motori industriali, dove aumentano l'efficienza e riducono le dimensioni dei moduli di potenza,che porta a un minore consumo di energia e a migliori prestazioni nelle applicazioni industriali ad alta potenza.
   • Griglie intelligenti: Questi wafer sono parte integrante dello sviluppo di reti intelligenti, in cui la conversione e la distribuzione di energia ad alta efficienza sono fondamentali per la gestione dei carichi elettrici e l'integrazione delle energie rinnovabili.

6. Dispositivi medici:

   • Elettronica impiantabile: la biocompatibilità e la robustezza del SiC, combinati con i vantaggi di lavorazione del Si,rendere tali wafer adatti a dispositivi medici impiantabili che richiedono un'elevata affidabilità e un basso consumo di energia.

In sintesi, i Wafer composti di SiC di tipo N sono versatili ed essenziali nelle applicazioni che richiedono un'elevata efficienza, affidabilità e prestazioni in ambienti difficili,rendendoli un materiale chiave per l'avanzamento delle moderne tecnologie elettroniche.