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Si Wafer 8 pollici Spessore da 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 doppio lato lucido / lato unico lucido
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Wafer SOI Wafer di silicio sull' isolante Wafer da 4 pollici 5 pollici 6 pollici 8 pollici 100 111 P Tipo N Tipo
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3 pollici 4 pollici LiTaO3 Wafer Substrato doppio o singolo lucidato Z-taglio X-taglio Y-taglio grado seghe
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Sottostrato di nichel 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm <100> <110> <111>
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Ni Sottostrato struttura cubica monocristallina < 100> < 110> < 111> a=3,25A purezza 99,99% densità 8.91
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Mg Substrato Magnesio monocristallino esagonale 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm Purezza 99,99%
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L'indice di concentrazione è basato su una percentuale del volume totale di alluminio di un prodotto.
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Substrato di rame Wafer / Substrato di rame cubo 100 110 111 Orientaiton SSP DSP Purezza 99,99%
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Wafer Cu monocristallino di substrato di rame 5x5x0.5/lmm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm a=3.607A
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Al Sottostrato di alluminio a cristallo singolo Orientamento 111 100 111 5×5×0,5 mm A=4,040Ã
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Spessore personalizzato Al Substrato di alluminio a singolo cristallo Purezza 99/99% 5×5×1/0.5 mm 10×10×1/0.5 20x20x0.5/1 mm
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Wafer di silicio fuso JGS1 JGS2 BF33 spessore 8 pollici 12 pollici 750um±25um Ra ≤ 0,5 nm TTV ≤ 10um
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larghezza di banda del substrato N-InP 02:2.5G wavelength 1270nm epi wafer per diodo laser FP
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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 12 pollici Si wafer Wafer di silicio lucidante non dopato P tipo N tipo semiconduttore
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N-GaAs Substrato 6 pollici 350um Spessore Per uso VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer
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