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Il cristallo del Tantalate LiTaO3 di LT litio di Y-42°, Fe+ ha verniciato il wafer del substrato 300um per ha visto ottico
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Wafer a 6 pollici dei modelli di Sapphire Based AlN per la finestra dello zaffiro del wafer dello zaffiro dei dispositivi di 5G BAW
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Wafer di GE del substrato a semiconduttore del germanio di SSP per la banda infrarossa 100/110 a 2 pollici
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Tipo a 6 pollici elevata purezza lucidata PVD di N della lastra di silicio/rivestimento di CVD
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Il tipo a 6 pollici di N ha lucidato il wafer dell'ossido di silicio della lastra di silicio DSP SiO2
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Wafer a 4 pollici di GE del substrato a semiconduttore del germanio per i laser infrarossi di CO2
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2inch 325um GA-ha verniciato i wafer di GE del substrato del germanio per infrarosso
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tipo pezzo quadrato SEM del microscopio elettronico a scansione di 10x10mm P della lastra di silicio
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Il substrato GA a semiconduttore dei wafer di GE del diametro 50.8mm ha verniciato il tipo 500um del substrato N
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Dell'OEM singola Crystal Ge lente ottica del diametro 25.4mm
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Tipo a 6 pollici substrato di VGF N a semiconduttore di GaAs per crescita epitassiale
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Il silicio a 2 pollici del film di 1000nm AlN ha basato il substrato a semiconduttore del nitruro di alluminio
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4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
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6" silicio ha basato il film dei modelli 500nm AlN di AlN sul substrato di silicio
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diametro AlN singolo Crystal Semiconductor Substrate di 30mm
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