Substrato a semiconduttore fabbrica, comprare di buona qualità Substrato a semiconduttore prodotti dalla Cina

Si prega di lasciare la propria e-mail corretta e i requisiti dettagliati (20-3000 caratteri).

catagories

Contatti

Contatti:	Mr. Wang
Telefono:	+8615801942596

Contatto

InP DFB Epiwafer lunghezza d'onda 1390nm Substrato InP 2 4 6 pollici per diodo laser DFB 2.5 ~ 25G
Miglior prezzo
2 pollici 3 pollici InP Laser Epitaxial Wafer Indium Fosfuro epi Wafer Semiconduttore Personalizzare FP diodo laser
Miglior prezzo
FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 pollici Spessore 350-650um InGaAs Doping
Miglior prezzo
MgO Wafer 111 100 Monocristallo di ossido di magnesio lucidato Semiconduttore personalizzato
Miglior prezzo
Wafer InP 2 pollici 3 pollici 4 pollici VGF P tipo N tipo Depant Zn S Fe Non dopato Prime Grade Testing Grade
Miglior prezzo
Singolo arseniuro InAs Substrate di Crystal Monocrystal Semiconductor Substrate Indium
Miglior prezzo
Semi-isolatori a base di SiC-on-Si 4H
Miglior prezzo
Wafer GaP da 2 pollici tipo N non dopato S dopato 100 DSP SSP CZ alta purezza 5N 99,999%
Miglior prezzo
Wafer Si 4 pollici lucidato CZ Dopante Arsenico ((As) Borone ((B)) Fosforo ((Ph)) (100) Semiconduttore
Miglior prezzo
Tubo di quarzo fuso ottico SiO2 vetro cristallino personalizzato trasparente entrambe le estremità aperte una chiusa
Miglior prezzo
Sottostrato GaN-on-Si Epitaxy Si da 8 pollici 110 111 110 per reattori MOCVD o applicazioni di energia RF
Miglior prezzo
GaN-on-Si ((111) N/P T tipo Substrato Epitaxy 4 pollici 6 pollici 8 pollici Per LED o dispositivo di alimentazione
Miglior prezzo
SiC tipo N su Wafer composto di Si 6 pollici 150 mm SiC tipo 4H-N Si tipo N o P
Miglior prezzo
Wafer di silicio N Tipo P Dopante 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici Resistenza 0-100 Ohm-cm Lustrato a lato singolo
Miglior prezzo
2 pollici Wafers di silicio tipo P-tipo N-tipo CZ Metodo di crescita BOW ≤30 Per illuminazione a LED
Miglior prezzo