SOI Wafer Silicio su isolante 100mm 150mm P tipo Dopante B Dispositivo 220 Resistenza: 8,5-11,5 ohm-cm

SOI Wafer Silicio su isolante 100mm 150mm Tipo di dopante B Dispositivo: 220 Resistenza: 8,5-11,5 ohm-cm

Pagina dettagliata del prodotto per wafer SOI (silicone su isolante)

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Introducendo i nostri wafer SOI ad alte prestazioni, disponibili in 100 e 150 mm di diametro, progettati per applicazioni elettroniche avanzate.offrendo un isolamento elettrico superioreIdeale per il calcolo ad alte prestazioni, la comunicazione RF, i dispositivi MEMS e l'elettronica di potenza.le nostre onde SOI garantiscono prestazioni e affidabilità di prim'ordine.

Specificità

Dimensioni del wafer:

• Opzioni di diametro: 100 mm (4 pollici) e 150 mm (6 pollici)

Strato di dispositivo:

• Materiale: silicio
• Spessore: 220 nanometri
• Tipo di dopante: tipo P
• Elemento dopante: Boro (B)
• Resistenza: da 8,5 a 11,5 ohm-cm

Strato di ossido sepolto:

• Materiale: Diossido di silicio (SiO2)
• Spessore: personalizzabile in base alle esigenze dell'applicazione (in genere da 200 nm a 2 μm)

Manico Wafer:

• Materiale: silicio
• Tipo: tipo P (dopato con boro)
• Spessore: spessore standard di 500-700 μm, fornendo un supporto meccanico robusto

Caratteristiche chiave

1. Isolamento elettrico superiore:

   • Lo strato BOX garantisce un eccellente isolamento elettrico tra lo strato del dispositivo e il wafer del manico, riducendo significativamente la capacità parassitaria e il crosstalk.

2. Strato di dispositivi di alta qualità:

   • Lo strato di dispositivo in silicio di tipo P di spessore 220 nm, dopato con boro, fornisce proprietà elettriche ottimali per una varietà di applicazioni di semiconduttori, garantendo elevate prestazioni e affidabilità.

3. Resistenza ottimale:

   • La resistività dello strato del dispositivo di 8,5-11,5 ohm-cm è ideale per applicazioni ad alta velocità e a bassa potenza, bilanciando la conducibilità e le caratteristiche di perdita.

4. Gestione termica migliorata:

   • La struttura SOI consente una migliore dissipazione del calore, che è fondamentale per mantenere le prestazioni e la longevità del dispositivo in condizioni di alta potenza o alta frequenza.

5. Stabilità meccanica:

   • L'épace maniglia offre un solido supporto meccanico, garantendo la stabilità dell'oplatto durante il processo di fabbricazione e negli ambienti operativi.

6. Opzioni di personalizzazione:

   • Offriamo la personalizzazione dello spessore dello strato BOX e di altri parametri per soddisfare i requisiti specifici dell'applicazione, fornendo flessibilità per diverse esigenze di semiconduttori.

Applicazioni

1. Informatica ad alte prestazioni:

   • Ideale per CPU, GPU e altri circuiti logici digitali ad alta velocità, offrendo una velocità migliorata e un consumo energetico ridotto.

2. Comunicazione 5G e RF

   • Perfetto per componenti RF e elaborazione del segnale ad alta frequenza, beneficiando delle eccellenti proprietà di isolamento e termiche.

3. Dispositivi MEMS

   • Adatti alla fabbricazione di dispositivi MEMS quali accelerometri, giroscopi e altri sensori, che forniscono la stabilità meccanica e la precisione richieste.

4. Potenza elettronica:

   • Utilizzato in applicazioni di gestione dell'energia, inclusi interruttori e convertitori di potenza, in cui la gestione termica e l'efficienza sono cruciali.

5. circuiti analogici e a segnale misto:

   • Migliora le prestazioni dei circuiti analogici riducendo il rumore e il crosstalk, rendendolo adatto per l'elaborazione audio e il condizionamento del segnale.

Qualità e affidabilità

• Norme di produzione:

  • I nostri wafer SOI sono fabbricati secondo i più elevati standard del settore, garantendo una qualità e prestazioni costanti.

• Controllo della qualità:

  • Sono in atto rigorosi processi di controllo della qualità per garantire che ogni wafer soddisfi le specifiche proprietà elettriche, meccaniche e termiche.

• Certificazioni:

  • Risponde agli standard internazionali di fabbricazione dei semiconduttori, garantendo la compatibilità con i processi di fabbricazione globali.

Informazioni sull'ordine

• Disponibilità:

  • I wafer SOI da 100 mm e 150 mm sono disponibili per la spedizione immediata.

• Imballaggio:

  • I wafer sono confezionati in modo sicuro in contenitori antistatici compatibili con le camere bianche per prevenire la contaminazione e il danno durante il trasporto.

Aggiornate le vostre applicazioni di semiconduttori con i nostri avanzati wafer SOI, progettati per l'eccellenza e l'affidabilità.