Wafer InP 2 pollici 3 pollici 4 pollici VGF P tipo N tipo Depant Zn S Fe Non dopato Prime Grade Testing Grade

Descrizione del Wafer InP:

I wafer di fosfuro di indio (InP wafer) sono preparati da fosfuro di indio, che è un semiconduttore binario.Wafer InPoffre una velocità elettronica superiore rispetto alla maggior parte degli altri semiconduttori popolari come il silicio.di potenza inferiore o uguale a 50 WL'uso più comune diWafer InPè presente nei dispositivi elettronici ad alta frequenza e ad alta potenza.Wafer InPè anche ampiamente utilizzato nella comunicazione in fibra ottica ad alta velocità perché il fosfuro di indio emette e rileva lunghezze d'onda superiori a 1000 nm.Wafer InPLa tecnologia 5G è stata utilizzata anche come substrato per laser e fotodiodi nelle applicazioni Datacom e Telecom.Wafer InPIl mercato raggiungerà il vertice.Wafer InPsaranno i wafer più desiderati per l'uso in connessioni di fibra ottica, reti di accesso metro-anello, reti aziendali, data center, ecc. Offriamo un 99,99% puroWafer InPche sarà più efficiente ed efficace.

1. Bandgap: InP ha un intervallo di banda ristretto di circa 1,35 eV a temperatura ambiente, rendendolo adatto per applicazioni in optoelettronica come fotodettori, laser e celle solari.
2Alta mobilità elettronica: InP ha una elevata mobilità elettronica rispetto ad altri materiali semiconduttori,che è utile per dispositivi elettronici ad alta velocità come transistor ad alta frequenza e circuiti integrati.
3. Alta conduttività termica: InP ha una conduttività termica relativamente elevata, consentendo una dissipazione del calore efficiente nei dispositivi elettronici ad alta potenza.
4Proprietà ottiche: i wafer InP hanno ottime proprietà ottiche, compresa una elevata trasparenza nella regione infrarossi, che li rende ideali per le applicazioni di comunicazione ottica e di rilevamento.
5Proprietà di basso rumore: InP presenta caratteristiche di basso rumore, che lo rendono adatto per amplificatori e ricevitori a basso rumore nei sistemi di comunicazione.
6Stabilità chimica: InP è chimicamente stabile, il che contribuisce alla sua affidabilità in vari ambienti.
7. reticolo abbinato a InGaAs: InP è abbinato a reticolo con Arsenide di Indio Gallio (InGaAs), consentendo la crescita di eterostrutture di alta qualità per dispositivi optoelettronici.
8. Alta tensione di rottura: i wafer InP hanno un'alta tensione di rottura, che li rende adatti per applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza.
9Velocità di saturazione elettronica elevata: InP presenta una velocità di saturazione elettronica elevata, che è vantaggiosa per i dispositivi elettronici ad alta velocità.
10Doping: i wafer InP possono essere dopati per creare regioni di tipo n e p, consentendo la fabbricazione di vari tipi di dispositivi elettronici e optoelettronici.

La forma del wafer InP:

La foto fisica di InP Wafer:

1Fotonica:
Laser e rilevatori: con il suo intervallo di banda stretto (~ 1,35 volt elettronici), InP è adatto per dispositivi come laser e rilevatori in applicazioni fotoniche.
Comunicazione ottica: i wafer InP svolgono un ruolo cruciale nei sistemi di comunicazione ottica, utilizzati in componenti come laser e modulatori per la fibra ottica.
2. Dispositivi a semiconduttore:
Transistor ad alta velocità: l'elevata mobilità elettronica dell'InP lo rende un materiale ideale per la produzione di transistor ad alta velocità.
Cellule solari: i wafer InP presentano buone prestazioni nelle celle solari, consentendo una conversione fotovoltaica efficiente.
3. Microonde e apparecchi RF:
Circuiti integrati a microonde (MIC): i wafer InP sono utilizzati nella fabbricazione di circuiti integrati a microonde e RF, che forniscono risposta e prestazioni ad alta frequenza.
Amplificatori a basso rumore: i wafer InP trovano importanti applicazioni in amplificatori a basso rumore nei sistemi di comunicazione.
4- apparecchi fotovoltaici:
Cellule fotovoltaiche: i wafer InP sono utilizzati nella produzione di celle fotovoltaiche ad alta efficienza per sistemi di energia solare.
5Tecnologia dei sensori:
Sensori ottici: i wafer InP hanno un potenziale nelle applicazioni di sensori ottici, utilizzati in varie tecnologie di sensori e sistemi di imaging.
6. Circuiti integrati:
Circuiti integrati optoelettronici: i wafer InP sono utilizzati nella fabbricazione di circuiti integrati optoelettronici per applicazioni in comunicazione ottica e rilevamento.
7. Dispositivi ottici:
Amplificatori a fibra ottica: i wafer InP svolgono un ruolo fondamentale negli amplificatori a fibra ottica per l'amplificazione e la trasmissione del segnale nelle comunicazioni a fibra ottica.

Le immagini di applicazione di InP Wafer:

Personalizzazione:

Ecco alcuni aspetti della personalizzazione dei wafer InP:

1. Dimensione del wafer: i wafer InP possono essere personalizzati in termini di diametro (2 pollici, 3 pollici, 4 pollici) e spessore per soddisfare le esigenze specifiche dell'applicazione.

2Orientazione: l'orientamento del wafer ((100), (111) A, (111) B) può essere specificato in base all'orientamento cristallino desiderato per l'applicazione prevista.
3Profili dopanti: Profili dopanti personalizzati possono essere creati controllando la concentrazione e la distribuzione dei dopanti (silicio,sulfuro) per ottenere proprietà elettriche specifiche richieste per la fabbricazione del dispositivo.
4Qualità superficiale: la qualità superficiale del wafer può essere personalizzata per soddisfare le specifiche di rugosità richieste, garantendo prestazioni ottimali in applicazioni come l'optoelettronica e la fotonica.
5. Strati epitaxiali: i wafer InP possono essere personalizzati con strati epitaxiali di altri materiali come InGaAs, InAlGaAs o InGaAsP per creare eterostrutture per dispositivi specializzati come laser,apparecchi per la rilevazione di luce, e transistor ad alta velocità.
6.Rivestimenti specializzati: i wafer InP possono essere rivestiti con materiali o film specifici per migliorare le loro prestazioni in particolari applicazioni, come i rivestimenti antiriflesso per dispositivi ottici.

FAQ:

1D: Cos'è un semiconduttore InP?
A: Il fosfuro di indio (InP) si riferisce a un semiconduttore binario costituito da indio (In) e fosforo (P).InP è classificato in un gruppo di materiali appartenenti ai semiconduttori III-V.

2.D: A che cosa serve il fosfuro di indio?
A:I substrati di fosfuro di indio sono utilizzati principalmente per la crescita di strutture contenenti leghe ternarie (InGaAs) e quaternarie (InGaAsP), utilizzate per la fabbricazione di lunghezze d'onda lunghe (1.3 e 1.4).55 μm) laser a diodo, LED e fotodetettori.

3D: Quali sono i vantaggi dell'InP?
R: Alta mobilità elettronica: InP presenta una mobilità elettronica quasi dieci volte maggiore del silicio, rendendolo perfetto per transistor e amplificatori ad alta velocità nei sistemi di telecomunicazioni e radar.

Raccomandazione del prodotto:

3 pollici InP Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate