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2 pollici 3 pollici InP Laser Epitaxial Wafer Indium Fosfuro epi Wafer Semiconduttore Personalizzare FP diodo laser
Dettagli:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Model Number: | InP Laser Epitaxial Wafe |
Termini di pagamento e spedizione:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
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| Payment Terms: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Substrate: | InP Laser Epitaxial Wafe | Polishing: | DSP SSP |
|---|---|---|---|
| PL Wavelength Control:: | Better Than 3nm | PL Wavelength Uniformity:: | Std. Dev Better Than 1nm @inner 42mm |
| P-InP Doping (cm-3):: | Zn Doped; 5e17 To 2e18 | N-InP Doping (cm-3):: | Si Doped; 5e17 To 3e18 |
| Evidenziare: | 2 pollici InP Laser Epitaxial Wafer,Wafer epitaxiale laser da 3 pollici,Semiconduttore InP Laser Epitaxial Wafer |
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Descrizione di prodotto
2 pollici 3 pollici InP Laser Epitaxial Wafer Indium Phosphide epi Wafer Semiconductor Personalizzare FP diodo laser
Descrizione del wafer epitaxiale laser InP:
L'indio fosfuro (InP) è un materiale semiconduttore chiave che consente ai sistemi ottici di fornire le prestazioni richieste per i data center, il backhaul mobile, la metropolitana e le applicazioni a lungo raggio.I fotodiodi e i conduttori d'onda fabbricati su wafer epitaxiali inP funzionano alla finestra di trasmissione ottimale della fibra di vetro, che consentono comunicazioni in fibra efficiente.
InP laser epitaxial wafer è un substrato semiconduttore specializzato che consiste in più strati di materiali diversi coltivati su un wafer di fosfuro di indio (InP) attraverso tecniche di crescita epitaxial.Questi strati aggiuntivi sono accuratamente progettati per creare strutture adatte alle applicazioni laser.
I wafer epitaxiali laser inP sono componenti cruciali nella fabbricazione di laser a semiconduttore, compresi i laser a emissioni di bordo e i laser a emissioni di superficie a cavità verticale (VCSEL).Gli strati epitaxiali sono progettati con specifiche proprietà ottiche ed elettriche per consentire un'efficiente emissione e amplificazione della luce, rendendoli essenziali in vari dispositivi optoelettronici per telecomunicazioni, sensori e altre applicazioni che richiedono la tecnologia laser.
Il carattere di InP Laser Epitaxial Wafer:
Proprietà ottiche:
Lungo d'onda di emissione: lunghezza d'onda di emissione sintonizzabile nello spettro infrarosso.
Alta efficienza quantistica: proprietà efficienti di emissione e amplificazione della luce.
Basso coefficiente di assorbimento: consente basse perdite ottiche all'interno del materiale.
Proprietà strutturali:
Struttura epitaxiale a strati: è costituita da più strati di diversi materiali semiconduttori coltivati su un substrato InP.
Superficie liscia: superficie uniforme e priva di difetti cruciale per le prestazioni del laser.
Spessore controllato: lo spessore di ogni strato è controllato con precisione per specifiche proprietà ottiche ed elettriche.
Proprietà elettriche:
Mobilità del vettore: elevata mobilità del vettore per un trasporto efficiente della carica.
Densità di difetto bassa: pochi difetti di cristallo per prestazioni elettroniche migliorate.
Formazione di giunzioni P-N: capacità di formare giunzioni p-n per il funzionamento del laser.
Proprietà termiche:
Alta conduttività termica: dissipazione efficiente del calore generato durante il funzionamento del laser.
Stabilità termica: mantiene l'integrità strutturale in diverse condizioni di funzionamento.
Fabricabilità:
Compatibilità: compatibile con processi di fabbricazione standard di semiconduttori.
Uniformità: proprietà coerenti su tutto il wafer per la produzione in serie.
Personalizzabilità: disegni epitaxiali su misura per applicazioni laser specifiche.
Forma del wafer epitaxiale laser InP:
| Parametri del prodotto | Wafer epitassiale DFB | Wafer epitaxiale DFB ad alta potenza | Wafer epitaxiale di fotonica del silicio |
| tasso | 10G/25G/50G | / | / |
| lunghezza d'onda | 1310 nm | ||
| dimensione | 2/3 di pollice | ||
| Caratteristiche del prodotto | CWDM 4/PAM 4 | BH tech | PQ /AlQ DFB |
| PL Controllo della lunghezza d'onda | Meglio di 3nm | ||
| LPL Uniformità della lunghezza d'onda | Std.Dev meglio di 1nm @inner | ||
| Controllo dello spessore | 42 mmMigliore del +3% | ||
| Uniformità dello spessore | Migliore del +3% @interno 42mm | ||
| Controllo del doping | Migliore di +10% | ||
| Doping P-lnP (cm-3) | Zn dopato; da 5e17 a 2e18 | ||
| Doping N-InP (cm-3) | Si dopato; da 5e17 a 3e18 | ||
Foto fisica di InP Laser Epitaxial Wafer:
Struttura predefinita dello strato EPl di InP Laser Epitaxial Wafe:
Applicazione di InP Laser Epitaxial Wafer:
Diodi laser: adatti a laser edge-emitting e VCSEL.
Telecomunicazioni: vitale per i sistemi di comunicazione ottica.
Sensing e imaging: utilizzato nei sensori ottici e nelle applicazioni di imaging.
Dispositivi medici: impiegati nei sistemi laser medici.
Immagine di applicazione di InP Laser Epitaxial Wafer:
FAQ:
1D: Cos'è un wafer epitaxial?
R:Un wafer epitaxial (chiamato anche wafer epi, epi-wafer o epiwafer) è un wafer di materiale semiconduttore realizzato da crescita epitaxial (epitaxia) per uso in fotonica, microelettronica, spintronica,o fotovoltaici.
2D: Quali sono i vantaggi dell'InP?
A:I vantaggi distinti che offrono le onde InP:Alta mobilità elettronica: InP presenta una mobilità elettronica quasi dieci volte superiore al silicio,rendendolo perfetto per transistor e amplificatori ad alta velocità nei sistemi di telecomunicazioni e radar.
Raccomandazione del prodotto:
1.8inch GaN-on-Si Epitaxy Si Substrato 110 111 110 per reattori MOCVD o applicazioni di energia RF
Parola chiave: InP Laser Epitaxial Wafe;InP