SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX Strato 0,4-3 Orientamento del substrato 100 111
Dettagli:
Luogo di origine: | Cina |
Marca: | ZMSH |
Numero di modello: | Wafer di soia |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 1 |
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Tempi di consegna: | 2-4 settimane |
Termini di pagamento: | T/T, T/T |
Informazioni dettagliate |
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Diametro: | 4 pollici 6 pollici 8 pollici | Drogante: | 100 111 |
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Tipo: | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | Spessore (um): | 0.2-150 |
L'uniformità: | <5> | Strato di scatola: | Spessore (mm) 0,4-3 |
Uniformità: | <2> | Resistenza: | 0.001-20000 Ohm-cm |
Evidenziare: | 100 111 Wafer SOI,P BOX Strato wafer SOI,0.4-3 Wafer SOI |
Descrizione di prodotto
SOI Wafer Silicio su Wafer Isolatore Dopante P BOX Strato 0,4-3 Orientamento del substrato 100 111
Riassunto dei wafer SOI
I wafer SOI (Silicon-On-Insulator) sono un tipo di tecnologia dei materiali semiconduttori utilizzata principalmente nell'industria della microelettronica.Questi wafer sono costruiti inserendo uno strato sottile di materiale isolanteQuesta configurazione offre diversi vantaggi rispetto ai tradizionali wafer di silicio sfusi.
Foto della wafer SOI
Proprietà dei wafer SOI
I wafer SOI (Silicon-On-Insulator) presentano una serie di proprietà distinte che li rendono particolarmente preziosi in varie applicazioni microelettroniche ad alte prestazioni e specializzate.Ecco alcune delle proprietà chiave dei wafer SOI:
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Isolamento elettrico: Lo strato di ossido (BOX) sepolto nelle onde SOI fornisce un eccellente isolamento elettrico tra lo strato superiore di silicio in cui sono costruiti i dispositivi e il substrato sottostante.Questo isolamento aiuta a ridurre la capacità parasitaria, migliorando così le prestazioni dei circuiti ad alta velocità.
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Riduzione del consumo di energia: A causa della ridotta capacità parassitaria e delle correnti di fuga, i dispositivi costruiti su wafer SOI consumano meno energia rispetto a quelli costruiti su silicio sfuso.Questa proprietà è particolarmente utile per dispositivi portatili e a batteria.
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Alte prestazioni: Lo strato superiore sottile di silicio può essere completamente esaurito, il che porta a un migliore controllo del canale e riduce gli effetti di canale corto nei transistor.Ciò si traduce in transistor in grado di funzionare a tensioni di soglia più basse con correnti di azionamento più elevate, consentendo velocità di commutazione più rapide e prestazioni più elevate.
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Isolamento termico: Lo strato isolante fornisce anche un certo grado di isolamento termico tra lo strato attivo e il substrato.Questo può essere vantaggioso nelle applicazioni in cui il calore generato dal dispositivo deve essere confinato allo strato superiore, contribuendo a gestire in modo più efficace gli effetti termici.
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Immunità da chiusura: La tecnologia SOI fornisce un'immunità intrinseca al blocco, che è un tipo di corto circuito che può verificarsi nei dispositivi a silicio di massa.Ciò è dovuto all'assenza di una giunzione p-n tra le regioni di tipo n e p che si estendono nel substrato., che è una causa tipica di blocco nei dispositivi a sfera.
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Durezza radiologica: La configurazione strutturale dei wafer SOI rende i dispositivi costruiti su di essi più resistenti agli effetti delle radiazioni come la dose ionizzante totale (TID) e gli sconvolgimenti di singolo evento (SEU).Questa proprietà è fondamentale per le applicazioni spaziali e altri ambienti esposti a alti livelli di radiazioni.
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Scalabilità: la tecnologia SOI è altamente scalabile, consentendo la fabbricazione di dispositivi con dimensioni molto ridotte, il che è cruciale per il continuo rispetto della legge di Moore nell'industria dei semiconduttori.
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Compatibilità con i processi di fabbricazione tradizionali: Pur offrendo vantaggi unici, le wafer SOI possono ancora essere lavorate utilizzando molte delle stesse tecniche di fabbricazione del tradizionale silicio sfuso,che facilita l'integrazione nelle linee di produzione esistenti.
- Sì.
Diametro | 4° | 5 ¢ | 6 ¢ | 8 ¢ | |
Strato di dispositivo |
Dopanti | Borone, fosforo, arsenico, antimonio, non dopato | |||
Orientazione | Classificazione: | ||||
Tipo | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | ||||
Resistenza | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Spessore (mm) | 0.2-150 | ||||
L'uniformità | < 5% | ||||
Strato di scatola |
Spessore (mm) | 0.4-3 | |||
Uniformità | < 2,5% | ||||
Substrato |
Orientazione | Classificazione: | |||
Tipo/Dopant | Tipo P/Boro, tipo N/Phos, tipo N/As, tipo N/Sb | ||||
Spessore (mm) | 300-725 | ||||
Resistenza | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Superficie finita | P/P, P/E | ||||
Particella | < 10@.0.3um |
I wafer SOI (Silicon-On-Insulator) sono un tipo di tecnologia dei materiali semiconduttori utilizzata principalmente nell'industria della microelettronica.Questi wafer sono costruiti inserendo uno strato sottile di materiale isolanteQuesta configurazione offre diversi vantaggi rispetto ai tradizionali wafer di silicio sfusi.
Applicazioni di wafer SOI
I wafer SOI (Silicon-On-Insulator) sono utilizzati in varie applicazioni high-tech a causa delle loro proprietà uniche come ridotta capacità parassitaria, prestazioni migliorate ad alte frequenze,minore consumo energeticoEcco alcune delle principali applicazioni dei wafer SOI:
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Micro processori ad alte prestazioniLa tecnologia SOI è ampiamente utilizzata nella produzione di microprocessori per computer e server, contribuendo a ridurre il consumo di energia e aumentando la velocità di elaborazione.che è fondamentale per applicazioni di calcolo ad alte prestazioni.
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Circuiti a radiofrequenza: i wafer SOI sono particolarmente vantaggiosi per le applicazioni RF a causa delle loro eccellenti proprietà di isolamento, che riducono il cross-talk e migliorano le prestazioni nella commutazione RF e nell'elaborazione del segnale.Questo li rende ideali per l'uso nei telefoni cellulari, reti wireless e altri dispositivi di comunicazione.
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Elettronica automobilistica: la maggiore durata e stabilità operativa dei dispositivi a base di SOI in condizioni di elevate temperature e radiazioni li rendono adatti alle applicazioni automobilistiche,comprese le unità di controllo del motore, sensori automobilistici e sistemi di gestione dell'energia.
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Dispositivi di alimentazioneLa tecnologia SOI è utile nei dispositivi di alimentazione utilizzati per la conversione della tensione e la gestione della potenza in vari prodotti elettronici.Questi dispositivi beneficiano della capacità di SOI di gestire elevate tensioni e densità di potenza con maggiore efficienza e minore generazione di calore.
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MEMS (sistemi micro-elettro-meccanici): I wafer SOI forniscono una piattaforma solida per lo sviluppo di dispositivi MEMS, come accelerometri e giroscopi, che vengono utilizzati negli airbag automobilistici, negli smartphone e in altri dispositivi elettronici di consumo.Lo strato di ossido sepolto nei wafer SOI offre un eccellente isolamento meccanico ed elettrico, che è cruciale per i dispositivi MEMS.
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Fotonica e optoelettronica: Le proprietà dei wafer SOI facilitano l'integrazione di componenti ottici quali guide d'onda, modulatori e rilevatori con circuiti elettronici.Questa integrazione è vitale per lo sviluppo di sistemi optoelettronici avanzati utilizzati nella trasmissione di dati, telecomunicazioni e applicazioni di rilevamento.
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Informatica quantistica: i wafer SOI sono anche oggetto di ricerca come substrati per lo sviluppo di bit quantistici (qubit) per il calcolo quantistico,grazie alla loro capacità di funzionare a temperature criogeniche e alla loro compatibilità con i processi semiconduttori esistenti.
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Applicazioni spaziali e militari: I dispositivi costruiti su wafer SOI sono più resistenti agli effetti delle radiazioni, rendendoli adatti per applicazioni spaziali e per apparecchiature militari in cui l'esposizione alle radiazioni è un problema.
La tecnologia SOI continua a evolversi, affrontando sfide sempre più complesse in queste applicazioni, guidando i progressi nell'elettronica e facilitando nuove innovazioni in numerosi campi.
Domande e risposte
Che cos'e' un wafer di silicio SOI?
Un wafer di silicio SOI (Silicon-On-Insulator) è un tipo di materiale semiconduttore utilizzato prevalentemente nell'industria della microelettronica.È costituito da uno strato sottile di silicio separato da un substrato di silicio più spesso da uno strato di materiale isolanteQuesta struttura è ottenuta attraverso processi di fabbricazione specializzati come la separazione mediante impianto di ossigeno (SIMOX) o la tecnica Smart Cut.
Il vantaggio principale dei wafer di silicio SOI rispetto ai wafer di silicio tradizionali è la presenza dello strato isolante, che riduce significativamente la capacità parassitaria,Migliora le prestazioni riducendo al minimo le perdite elettricheQuesto porta a miglioramenti della velocità, dell'efficienza energetica e delle prestazioni complessive dei dispositivi elettronici.I wafer SOI sono ampiamente utilizzati in varie applicazioni, compresi microprocessori ad alte prestazioni, circuiti a radiofrequenza (RF), elettronica di potenza e MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems), tra gli altri.Le loro caratteristiche le rendono particolarmente adatte per ambienti in cui le alte velocità, basso consumo energetico e resistenza alle condizioni difficili sono essenziali.