Sottostrati di SiC 2/3/4/6/8 pollici HPSI Produzione Fantasma di grado di ricerca
Dettagli:
Luogo di origine: | Cina |
Marca: | ZMSH |
Numero di modello: | Sottostrati di SiC 2/3/4/6/8 pollici HPSI Produzione Fantasma di grado di ricerca |
Termini di pagamento e spedizione:
Tempi di consegna: | 2-4 settimane |
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Termini di pagamento: | T/T |
Informazioni dettagliate |
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Materiale: | SIC | Diametro: | 2/3/4/6/8 pollici |
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Tipo: | 3C 4H-N 4H-SI 6H-N 6H-SI HPSI | polonese: | DSP/SSP |
Evidenziare: | Substrati di SiC da 2 pollici,Prodotto di substrati di SiC fittizi HPSI,Substrati di SiC di grado di ricerca |
Descrizione di prodotto
Sottostati di SiC 2/3/4/6/8 pollici HPSI Produzione Dummy Research Grade
1. astratto
I nostri substrati di SiC 2/3/4/6/8 pollici HPSI di produzioneè progettato per applicazioni di ricerca avanzate, fornendo substrati di carburo di silicio di alta qualità che facilitano la ricerca e lo sviluppo di semiconduttori all'avanguardia.
2Descrizione del prodotto e della società
2.1 Descrizione del prodotto:
I nostri substrati di SiC 2/3/4/6/8 pollici HPSI di produzioneE' progettato per soddisfare gli standard rigorosi dei laboratori di ricerca.
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Alta tensione di rottura: I substrati di SiC consentono la fabbricazione di dispositivi con tensioni di rottura significativamente più elevate rispetto al silicio.
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Stabilità termica: Il SiC può funzionare a temperature più elevate (fino a 600°C) senza degrado delle prestazioni, consentendo ai dispositivi semiconduttori di funzionare in modo affidabile in condizioni estreme,che è essenziale per le applicazioni nell'industria automobilistica e aerospaziale.
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Migliorata efficienza: I substrati di SiC contribuiscono a ridurre la resistenza di accensione e a velocizzare le velocità di commutazione nei dispositivi semiconduttori.Ciò si traduce in una riduzione delle perdite energetiche e in un miglioramento dell'efficienza complessiva dei sistemi di conversione dell'energia.
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Dimensione e peso ridotti: A causa della loro capacità di gestire densità di potenza più elevate, i dispositivi SiC possono essere più piccoli e più leggeri delle loro controparti in silicio.Questo è particolarmente vantaggioso nelle applicazioni in cui lo spazio e il peso sono critici, quali veicoli elettrici ed elettronica portatile.
2.2 Descrizione dell'impresa:
La nostra azienda (ZMSH)La Commissione europea si è concentrata sul campo dello zaffiro peroltre 10 anni, con team di fabbrica e vendita professionali.Prodotti personalizzati. Abbiamo anche intraprendere il design personalizzato e può essere OEM.ZMSHsarà la scelta migliore considerando sia il prezzo che la qualità.Sentitevi liberi di mettervi in contatto!
3Applicazioni
Sbloccate il potenziale dei vostri progetti di ricerca e sviluppo conI nostri substrati di SiC 2/3/4/6/8 pollici HPSI di produzioneProgettati appositamente per applicazioni avanzate nei semiconduttori, i nostri substrati di livello di ricerca offrono eccezionale qualità e affidabilità.
- Lasers:I substrati di SiC consentono la produzione di diodi laser ad alta potenza che operano in modo efficiente nelle regioni di luce UV e blu.La loro eccellente conduttività termica e la loro durata le rendono ideali per applicazioni che richiedono prestazioni affidabili in condizioni estreme.
- Elettronica di consumo:I substrati di SiC migliorano gli IC di gestione dell'energia, consentendo una conversione di potenza più efficiente e una durata della batteria più lunga.consentendo caricabatterie più piccole e più leggere mantenendo al contempo elevate prestazioni.
- Batterie di bordo per veicoli elettrici: I substrati a SiC hanno migliorato l'efficienza energetica e hanno ampliato l'autonomia.
4. Display del prodotto - ZMSH
5. Specifiche del substrato SiC
6Domande frequenti
6.1 A:In quali dimensioni sono disponibili i substrati di SiC?
Q: I substrati di SiC sono disponibili in variLe dimensioni possono variare da 2 pollici a 6 pollici di diametro. Siamo in grado di produrre quelli da 8 pollici.
6.2 A:Qual e' lo scopo di una wafer finta?
D: I wafer finti sono utilizzati principalmente per scopi di sperimentazione e ricerca senza la necessità di fabbricare dispositivi attivi.
6.3 A:Puoi fornire specifiche personalizzate?
D: Possiamo discutere ordini personalizzati in base alle vostre esigenze di ricerca specifiche; contattateci per ulteriori informazioni.