Wafer di silicio di 8 pollici CZ 200 mm Wafer di silicio di primo grado < 111>, SSP, DSP tipo P, B Dopante per materiale semiconduttore

Wafer di silicio di grado primario CZ 200 mm, SSP,DSP tipo P,B dopante,per materiale semiconduttore

Introduzione al prodotto: Wafer di silicio di grado primario da 8 pollici (200 mm)

I wafer di silicio costituiscono la pietra angolare dell'industria dei semiconduttori, facilitando la creazione di tecnologie d'avanguardia che guidano l'innovazione moderna.Wafer di silicio di grado primario da 8 pollici (200 mm)rappresenta l'apice dell'eccellenza dei materiali e della produzione, progettato specificamente per la fabbricazione di semiconduttori e applicazioni correlate.e qualità della superficie impeccabile, questi wafer soddisfano le esigenze di industrie come la produzione di microchip, la produzione di MEMS e i sistemi fotovoltaici.

Fabbricato utilizzandoProcesso di Czochralski (CZ), questo wafer ha unOrientazione cristallina < 100,Doping di tipo P con boro, e opzioni per superfici lucide a lato singolo (SSP) o lucide a doppio lato (DSP).e la minima contaminazione da particelle lo rendono una scelta affidabile per le principali fabbriche di semiconduttoriIn questo contesto, la Commissione ha adottato una proposta di regolamento (CE) n.

1.Specificità principali

Queste specifiche dimostrano l'eccezionale precisione dimensionale, l'integrità strutturale e la purezza chimica dei wafer, essenziali per i processi di produzione avanzati.

2.Caratteristiche chiave

2.1 Qualità superiore

I nostri wafer di silicio sono fatti diSilicio monocristallino vergine nuovo di zecca, che garantisce una purezza e un'affidabilità senza pari, garantendo prestazioni ottimali in tutte le fasi della produzione dei semiconduttori.

2.2 Superficie pronta all'epi

Ogni wafer viene lucidato per ottenere una superficie epi-pronta di alto grado, rendendola adatta per la deposizione epitaxiana e altri processi critici.La superficie super liscia riduce al minimo i difetti e aumenta il rendimento dei processi a valle.

2.3 Superano gli standard del settore

I nostri wafer di silicio da 8 pollici si incontrano e spesso superanoNorme SEMI M1-0302, che riflette le loro proprietà meccaniche ed elettriche superiori, garantendo la compatibilità con le attrezzature e le tecniche mondiali di produzione dei semiconduttori.

2.4 Controllo della qualità completo

Ogni wafer subisce un'ispezione e test meticolosi per parametri come TTV, BOW, WARP, densità di particelle e uniformità della resistività.Questo rigoroso processo di garanzia della qualità garantisce wafer senza difetti e affidabili per ogni applicazione.

2.5 Imballaggio sicuro

Per evitare contaminazione e danni fisici, i wafer sono confezionati incassette in PP ultrapulite, sigillatosacchetti doppi antistaticisottocondizioni delle stanze pulite di classe 100Questo garantisce che i wafer arrivano in condizioni impeccabili, pronti per l'uso immediato.

2.6 Soluzioni convenienti

I nostri wafer hanno prezzi competitivi, con sconti sui quantitativi disponibili per gli ordini di massa, il che li rende una scelta eccellente sia per la produzione su scala industriale che per i progetti di ricerca.

2.7 Certificato di conformità (COC)

Ogni spedizione include un certificato di conformità, che verifica le specifiche dei wafer e la conformità alle norme del settore.Questa documentazione garantisce ai clienti tranquillità di mente per quanto riguarda la qualità e l'autenticità del prodotto.

3.Applicazioni

La versatilità e le elevate prestazioni del wafer di silicio Prime Grade da 8 pollici lo rendono adatto a una vasta gamma di applicazioni:

3.1 Produzione di semiconduttori

• Produzione di microchip e fabbricazione di circuiti integrati:
  L'orientamento cristallino e l'alta purezza dei wafer sono ideali per la produzione di circuiti integrati, processori e chip di memoria, supportando i progressi nel campo dell'informatica e delle telecomunicazioni.

• Dispositivi a semiconduttore di potenza:
  Le sue proprietà elettriche stabili e i difetti minimi lo rendono una scelta affidabile per la creazione di transistor bipolari a cancello isolato (IGBT) e transistor a effetto campo a semiconduttore di ossido metallico (MOSFET).

3.2 MEMS e sensori

L'eccezionale piattezza e le dimensioni precise di questi wafer sono fondamentali per la fabbricazione di dispositivi MEMS, tra cui accelerometri, giroscopi e sensori di pressione.

3.3 Fotonica e optoelettronica

• Illuminazione a LED e diodi laser:
  La minima rugosità superficiale dei wafer e i bassi livelli di impurità sono fondamentali per un'efficiente emissione di luce e per una prestazione affidabile del dispositivo.
• Componenti di apparecchiature ottiche:
  Esse servono da substrato per la fabbricazione di lenti e specchi ad alta precisione nei sistemi ottici.

3.4 Applicazioni fotovoltaiche solari

Grazie alla loro qualità cristallina superiore e alle loro proprietà elettriche costanti, questi wafer sono utilizzati per produrre celle fotovoltaiche ad alto rendimento.

3.5 Ricerca e sviluppo

Le loro specifiche personalizzabili e la loro disponibilità in quantità minori li rendono una scelta preferita per i progetti di R & S nelle università, linee pilota e laboratori di innovazione.

4.Vantaggi del wafer di silicio da 8 pollici

4.1 Purezza e piattezza eccezionali

I wafer presentano livelli ultra bassi di contaminazione da ossigeno (≤18 ppma) e carbonio (≤1 ppma), garantendo prestazioni e affidabilità migliorate.e WARP sono mantenuti entro tolleranze strette per supportare la fotolitografia critica e i processi di deposizione di film sottili.

4.2 Miglioramento della qualità della superficie

La rugosità superficiale (Ra ≤ 5 Å) è ottimizzata per consentire una crescita epitaxiale senza soluzione di continuità, migliorando i rendimenti e riducendo i costi di produzione nella produzione ad alto volume.

4.3 Fiducia e compatibilità globali

Questi wafer sono ampiamente utilizzati dafabbriche di semiconduttori, centri di ricerca e sviluppo e istituti accademiciIn tutto il mondo, grazie alla loro compatibilità con le attrezzature di elaborazione standard e con i criteri di qualità internazionali.

4.4 Personalizzazione versatile

Dall'adeguamento della resistività alla deposizione dello strato di ossido, questi wafer possono essere personalizzati per soddisfare le esigenze specifiche del cliente, garantendo l'idoneità per un ampio spettro di applicazioni.

5.Processo di produzione

IlProcesso di Czochralski (CZ)Questa tecnica avanzata garantisce la creazione di una struttura reticolare cristallina uniforme con difetti minimi.i waffle sono tagliatiIl prodotto finale è l'incarnazione dell'ingegneria di precisione, offrendo prestazioni eccezionali in varie applicazioni.

6.Impegno ambientale

I nostri processi di produzione sono progettati per ridurre al minimo l'impatto ambientale.RoHSQuesto impegno garantisce che i nostri prodotti soddisfino gli obiettivi di prestazione e di sostenibilità.

7.Conclusioni

IlWafer di silicio di grado primario da 8 pollici (200 mm)Il suo substrato di silicio monocristallino di alta qualità, dimensioni precise,Le sue proprietà di superficie eccezionali lo rendono un componente vitale per lo sviluppo di tecnologie avanzate..

Grazie alla sua versatilità, affidabilità e adesione agli standard del settore, questo wafer è una scelta affidabile per applicazioni che vanno dalla produzione di semiconduttori alla prototipazione di R&D.Se si producono chip di nuova generazione, la creazione di dispositivi MEMS, o l'esplorazione di nuovi orizzonti nella fotonica, questi wafer forniscono la base per il successo.

Scegliendo i nostri wafer in silicio da 8 pollici, stai investendo in un prodotto che combina superiorità tecnica, fiducia globale,e prezzi competitivi, una combinazione davvero imbattibile nel settore dei semiconduttori.