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In come substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 5 pollici 6 pollici Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP lucidato
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | ZMSH |
| Numero di modello: | Substrato di arsenuro di indio (InAs) |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 25 |
|---|---|
| Prezzo: | undetermined |
| Imballaggi particolari: | plastica schiumosa + cartone |
| Tempi di consegna: | 2-4weeks |
| Termini di pagamento: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1000 PCS/settimana |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Arseniuro dell'indio (InAs) | - Non lo so.: | 0.354 eV (intervallo di banda diretto a 300 K) |
|---|---|---|---|
| Mobilità elettronica: | > 40 000 cm2/V·s (300 K), che consentono l'uso di dispositivi elettronici ad alta velocità | Massa effettiva: | Massa effettiva degli elettroni: ~ 0,023 m0 (massa degli elettroni liberi) |
| Ingraticci costante: | 6.058 Å, ben abbinato a materiali come GaSb e InGaAs | Conduttività termica: | ~ 0,27 W/cm·K a 300 K |
| Concentrazione intrinseca del vettore: | ~1,5 × 1016 cm−3 a 300 K | Indice di rifrazione: | ~ 3,51 (a lunghezza d'onda di 10 μm) |
| Evidenziare: | 5 pollici INAs Substrato,6 pollici INAs Substrato,4 pollici INAs Substrato |
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Descrizione di prodotto
InAs Substrato 2 pollici 3 pollici 4 pollici 5 pollici 6 pollici Un/S/Zn Tipo N/P DSP/SSP
Abstrato di substrati di arsenuro di indio (InAs)
I substrati di arsenuro di indio (InAs) sono essenziali per lo sviluppo di tecnologie avanzate di semiconduttori, grazie alla loro combinazione unica di proprietà elettriche e ottiche.come semiconduttore composto III-V, InAs è particolarmente apprezzato per il suo intervallo di banda ristretto di 0,36 eV a temperatura ambiente, che gli consente di operare efficacemente nello spettro infrarosso.Questo rende l'InAs un materiale ideale per i fotodetettori a infrarossiInoltre, la sua elevata mobilità elettronica consente un rapido trasporto di carica,rendendolo cruciale per l'elettronica ad alta velocità come transistor e circuiti integrati utilizzati nei sistemi di comunicazione e nelle applicazioni ad alta frequenza.
Inoltre, l'InAs svolge un ruolo chiave nel campo emergente delle tecnologie quantistiche, le cui proprietà consentono la fabbricazione di punti quantistici e di altre nanostrutture.che sono fondamentali per lo sviluppo di dispositivi quantisticiLa capacità di integrare InAs con altri materiali come InP e GaAs migliora ulteriormente la sua versatilità.che porta alla creazione di eterostrutture avanzate per dispositivi optoelettronici come diodi laser e diodi emettitori di luce.
Proprietà dei substrati INAs
1- Stretto intervallo.
InAs ha un intervallo di banda diretto di 0,354 eV a temperatura ambiente, che lo posiziona come un materiale eccellente per il rilevamento dell'infrarosso a lunga lunghezza d'onda (LWIR).Il suo stretto intervallo di banda consente un'elevata sensibilità nel rilevamento di fotoni a bassa energia, fondamentale per le applicazioni in imaging termico e spettroscopia.
2Alta mobilità elettronica
Una delle proprietà di spicco di InAs è la sua eccezionale mobilità elettronica, che supera i 40.000 cm2/V•s a temperatura ambiente.Questa elevata mobilità facilita lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alta velocità e a bassa potenza, quali transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) e oscillatori terahertz.
3. bassa massa effettiva
La bassa massa effettiva degli elettroni in InAs porta ad una elevata mobilità del vettore e una ridotta dispersione, rendendolo ideale per applicazioni ad alta frequenza e studi di trasporto quantistico.
4Ottima combinazione di reticolo.
I substrati InAs presentano una buona compatibilità reticolare con altri materiali III-V come l'antimonuro di gallio (GaSb) e l'arsenuro di gallio di indio (InGaAs).Questa compatibilità consente la fabbricazione di eterostrutture e dispositivi a più giunzioni., che sono cruciali per le applicazioni optoelettroniche avanzate.
5Forte risposta infrarossa.
Il suo forte assorbimento e emissione nello spettro infrarosso lo rendono un materiale ottimale per dispositivi fotonici come laser e rivelatori che operano nelle regioni spettrali da 3-5 μm e 8-12 μm.
| Immobili | Descrizione |
|---|---|
| Bandgap | 0.354 eV (intervallo di banda diretto a 300 K) |
| Mobilità elettronica | > 40 000 cm2/V·s (300 K), che consentono l'uso di dispositivi elettronici ad alta velocità |
| Massa effettiva | Massa effettiva degli elettroni: ~ 0,023 m0 (massa degli elettroni liberi) |
| Costante di reticolo | 6.058 Å, ben abbinato a materiali come GaSb e InGaAs |
| Conduttività termica | ~ 0,27 W/cm·K a 300 K |
| Concentrazione intrinseca del vettore | ~ 1,5 × 1016 cm-3 a 300 K |
| Indice di rifrazione | ~ 3,51 (a lunghezza d'onda di 10 μm) |
| Risposta a infrarossi | Sensibile alle lunghezze d'onda nell'intervallo 3 ‰ 5 μm e 8 ‰ 12 μm |
| Struttura cristallina | Miscela di zinco (cubo a centro faccia) |
| Proprietà meccaniche | Fragile e richiede un'attenta manipolazione durante la lavorazione |
| Coefficiente di espansione termica | ~4,6 × 10−6 /K a 300 K |
| Punto di fusione | ~ 942 °C |
Fabbricazione di substrati di INAs
1Crescita cristallina.
I substrati InAs sono prodotti principalmente utilizzando tecniche quali il metodo Czochralski (CZ) e il metodo Vertical Gradient Freeze (VGF).Questi metodi garantiscono cristalli singoli di alta qualità con difetti minimi.
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Metodo di Czochralski: In questo processo, un cristallo di seme viene immerso in una miscela fusa di indio e arsenico. Il seme viene lentamente tirato e ruotato, permettendo al cristallo di crescere strato dopo strato.
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Congelamento del gradiente verticale: Questa tecnica consiste nel solidificare il materiale fuso in un gradiente termico controllato, ottenendo una struttura cristallina uniforme con meno lussazioni.
2. La lavorazione delle wafer
Una volta che il cristallo è cresciuto, viene tagliato in wafer dello spessore desiderato con strumenti di taglio di precisione.essenziali per la fabbricazione del dispositivoLa lucidatura chimico-meccanica (CMP) è spesso impiegata per rimuovere le imperfezioni superficiali e migliorare la piattezza.
3Controllo della qualità
Le tecniche avanzate di caratterizzazione, inclusa la diffrazione a raggi X (XRD), la microscopia della forza atomica (AFM) e le misurazioni dell'effetto Hall, sono utilizzate per assicurare le caratteristiche strutturali, elettriche,e qualità ottica dei substrati.
Applicazioni dei substrati InAs
1Detettori a infrarossi.
I substrati inAs sono ampiamente utilizzati nei fotodetettori a infrarossi, in particolare per l'imaging termico e il monitoraggio ambientale.La loro capacità di rilevare la luce infrarossa a lunga lunghezza d'onda le rende indispensabili per applicazioni di difesa, astronomia e ispezione industriale.
2Dispositivi quantistici
InAs è un materiale preferito per i dispositivi quantistici a causa della sua bassa massa effettiva e della sua elevata mobilità elettronica.e circuiti fotonici avanzati.
3Elettronica ad alta velocità.
L'elevata mobilità elettronica di InAs consente lo sviluppo di transistor ad alta velocità, inclusi HEMT e transistor bipolari a eteroconnessione (HBT).Questi dispositivi sono fondamentali per le applicazioni nella comunicazione wireless, sistemi radar e amplificatori ad alta frequenza.
4. Optoelettronica
I substrati inAs sono utilizzati nella fabbricazione di laser a infrarossi e diodi emettitori di luce (LED).
5Tecnologie Terahertz
Le proprietà di InAs?? lo rendono adatto per fonti e rilevatori di radiazioni terahertz. Le tecnologie terahertz sono sempre più utilizzate per lo screening di sicurezza, test non distruttivi e imaging biomedica.
Domande e risposte
D: Quali sono i vantaggi dei substrati InAs?
A:1.Alta sensibilità: i dispositivi basati su InAs mostrano un'eccellente sensibilità alla luce infrarossa, rendendoli ideali per le condizioni di scarsa illuminazione.
2.Versatilità: i substrati InAs possono essere integrati con vari materiali III-V, consentendo la progettazione di dispositivi versatili e ad alte prestazioni.
3.Scalabilità: i progressi nelle tecniche di crescita dei cristalli hanno permesso di produrre wafer InAs di grande diametro, soddisfacendo le esigenze della moderna fabbricazione di semiconduttori.
alcuni prodotti simili ai substrati dell'arsenuro di indio (InAs)
1Substrati di arsenuro di gallio (GaAs)
- Proprietà chiave: interruzione di banda diretta (1,42 eV), elevata mobilità elettronica (~ 8,500 cm2/V·s) e eccellente conducibilità termica (~ 0,55 W/cm·K).
- Applicazioni: ampiamente utilizzato in elettronica ad alta frequenza, celle solari e optoelettronica, come LED e diodi laser.
- Vantaggi: Processi di produzione consolidati, che lo rendono conveniente per molte applicazioni.
2Substrati di fosfuro di indio (InP)
- Proprietà chiave: bandgap diretto (1,34 eV), elevata mobilità elettronica (~ 5,400 cm2/V·s) e eccellente abbinamento reticolare con gli InGaAs.
- Applicazioni: essenziale per dispositivi fotonici ad alta velocità, sistemi di comunicazione ottica e laser a cascata quantistica.
- Vantaggi: elevata conduttività termica e idoneità per applicazioni ad alta potenza.
Tag: # InAs Substrate #Substrato semiconduttore