Wafer di silicio Wafer di silicio 8 pollici N tipo P tipo < 111> < 100> < 110> SSP DSP grado primo grado Dummy

Wafer di silicio Wafer di silicio 8 pollici N tipo P tipo < 111> < 100> < 110> SSP DSP grado primo grado Dummy

Visualizzazione del prodotto: Wafer di silicio di grado primario da 8 pollici

I wafer di silicio sono la spina dorsale dell'industria dei semiconduttori, fungendo da substrato fondamentale per circuiti integrati, microchip e vari componenti elettronici.Wafer di silicio di grado primario da 8 pollici (200 mm)è un prodotto premium progettato per soddisfare i requisiti rigorosi delle applicazioni ad alte prestazioni.Tecnologia di crescita dei cristalli Czochralski (CZ), garantendo qualità e consistenza superiori.< 100>, superfici lucidate su un solo lato (SSP) o lucide su due lati (DSP), eDoping di tipo P con boro, questi wafer sono ideali per l'uso come materiali semiconduttori nelle tecnologie di punta.

1.Materiale e produzione

1.1 Silicio monocristallino

Il wafer da 8 pollici è realizzato con silicio monocristallino di altissima purezza.assicurando un'eccellente uniformità nella struttura cristallina e un minimo di difetti del reticoloQuesto processo garantisce l'affidabilità del wafer nelle applicazioni elettroniche ad alta precisione.

1.2 Qualità di prim'ordine

I wafer di silicio di prima qualità rappresentano il più alto standard di qualità nell'industria dei semiconduttori.Questi wafer sono sottoposti a rigorosi test e a un rigoroso controllo della qualità per garantire la loro idoneità ai processi di produzione criticiLe caratteristiche dei wafer di prima qualità sono:

• Contaminazione da particelle estremamente bassa.
• Piattazza superficiale eccezionale e rugosità minima.
• Uniformità ad alta resistività e controllo dei difetti.

2.Specificità principali

3.Orientazione cristallina: <100>

L'orientamento cristallino <100> è uno degli orientamenti più utilizzati nell'industria dei semiconduttori a causa delle sue proprietà di incisione isotrope e delle sue caratteristiche meccaniche uniformi.Questo orientamento consente al wafer di fornire prestazioni costanti durante processi come l'incisione chimica, l'impianto ionico e l'ossidazione.

4.Silicio di tipo P con dopante di boro

La designazione di tipo P indica che il wafer è dopato conboroneQuesto tipo di doping è preferito per numerosi dispositivi semiconduttori, tra cui diodi, transistor a giunzione bipolare (BJT),e la tecnologia complementare metallo-ossido-semiconduttore (CMOS).

I principali vantaggi del doping di tipo P includono:

• prestazioni elettriche stabili in una vasta gamma di temperature.
• Alta compatibilità con i processi standard di produzione dei semiconduttori.

5.Finitura superficiale: SSP e DSP

5.1 lucidato su un solo lato (SSP)

• Utilizzato per applicazioni in cui una sola superficie richiede un elevato grado di liscezza e piattezza.
• Il lato non lucidato conserva una consistenza naturale, utile per esigenze specifiche di movimentazione o di incollaggio.
• Comunemente utilizzato in MEMS, sensori e wafer di prova.

5.2 lucidato a doppio lato (DSP)

• Entrambi i lati del wafer sono lucidati per ottenere una superficie eccezionalmente liscia con bassa rugosità (Ra < 0,3 nm).
• Essenziale per processi di alta precisione come la litografia e la deposizione di film sottili.
• Garantisce minime sollecitazioni e deformazioni durante la fabbricazione, rendendolo adatto alla microelettronica avanzata.

6.Proprietà termiche e meccaniche

Il wafer da 8 pollici dimostra eccellenti proprietà termiche e meccaniche, che sono fondamentali per i processi ad alta temperatura comunemente riscontrati nella fabbricazione di semiconduttori:

• Alta stabilità termica:Il basso coefficiente di espansione termica garantisce la stabilità dimensionale durante il ricottamento o i processi termici rapidi.
• Resistenza meccanica:Il silicio di alta qualità coltivato in CZ resiste allo stress fisico durante la manipolazione e la produzione.

7.Applicazioni

Il wafer di silicio Prime Grade da 8 pollici è versatile e serve una vasta gamma di applicazioni nell'industria dei semiconduttori e dell'elettronica:

7.1 Dispositivi a semiconduttore

• Tecnologia CMOS:Forma il materiale base per la maggior parte dei circuiti integrati, compresi i processori e i dispositivi di memoria.
• Dispositivi di alimentazione:Ideale per la produzione di transistor di potenza, diodi e IGBT grazie alle sue proprietà elettriche stabili.

7.2 MEMS (sistemi micro-elettro-meccanici)

La finitura superficiale precisa e l'orientamento dei cristalli rendono questo wafer perfetto per dispositivi MEMS come accelerometri, giroscopi e sensori di pressione.

7.3 Fotonica e optoelettronica

Il wafer è utilizzato in applicazioni fotoniche come sensori ottici, diodi emettitori di luce (LED) e celle fotovoltaiche.

7.4 Ricerca e sviluppo e prototipazione

La sua superficie di alta qualità e le sue caratteristiche elettriche la rendono una scelta eccellente per gli istituti di ricerca e lo sviluppo di prototipi.

8.Imballaggio e manipolazione

Per preservare la qualità incontaminata del wafer, viene confezionato in strette condizioni di stanza pulita:

• Classe 100 Ambiente:Garantisce una minima contaminazione da particelle durante l'imballaggio.
• Imballaggio sicuro:I wafer sono collocati in cassette (25 wafer per cassetta) e sigillati in sacchetti con azoto per evitare ossidazione e contaminazione durante il trasporto.

9.Vantaggi del wafer di silicio di 8 pollici

9.1 Qualità eccezionale

La classificazione di primo grado garantisce una piattazza senza pari, una liscezza superficiale e una densità minima di difetti.

9.2 Compatibilità con le norme del settore

Questi wafer sono conformi a norme internazionali quali SEMI M1, garantendo la loro compatibilità con i processi di produzione globali.

9.3 Fabbricazione conveniente

La dimensione di 8 pollici raggiunge un equilibrio tra convenienza e volume di produzione, rendendola uno standard del settore per molti anni.

9.4 Versatilità

La disponibilità di opzioni SSP e DSP garantisce che i wafer possano essere adattati a una vasta gamma di applicazioni.

10.Opzioni di personalizzazione

Per soddisfare le esigenze specifiche del cliente, il wafer di silicio Prime Grade da 8 pollici può essere personalizzato nei seguenti modi:

• Intervallo di resistenza:regolabile per soddisfare le esigenze dei diversi dispositivi e processi.
• Variazioni di spessore:Per applicazioni uniche possono essere fabbricati spessori speciali.
• Strato di ossido:Se necessario, possono essere aggiunti strati di ossido termico o chimico.

11.Conclusioni

Il wafer di silicio Prime Grade da 8 pollici rappresenta il culmine della tecnologia dei wafer di silicio, fornendo qualità, prestazioni e versatilità senza pari.Le sue specifiche avanzate e i suoi robusti processi di fabbricazione lo rendono indispensabile nella produzione di dispositivi semiconduttori moderniSia che stiate progettando processori di nuova generazione, dispositivi MEMS o fotonica all'avanguardia, questo wafer garantisce l'affidabilità e la precisione necessarie per il successo.

Offrendo sia le opzioni SSP che DSP, nonché la flessibilità di personalizzare la resistività e lo spessore, questi wafer sono pronti a soddisfare le esigenze in continua evoluzione dell'industria dei semiconduttori.Le loro applicazioni diffuse nella produzione e nella ricerca ad alta tecnologia ne consolidano lo status di componente fondamentale della catena di approvvigionamento elettronica globale.