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Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

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Buon prezzo Il tipo a 4 pollici si di N del substrato a semiconduttore di 15° ha verniciato il wafer SSP di GaAs in linea

Il tipo a 4 pollici si di N del substrato a semiconduttore di 15° ha verniciato il wafer SSP di GaAs

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Buon prezzo Wafer a 2 pollici di strato del modello di Sapphire Substrate AlN per i dispositivi di 5G BAW in linea

Wafer a 2 pollici di strato del modello di Sapphire Substrate AlN per i dispositivi di 5G BAW

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Buon prezzo 2

2" wafer LD/LED di GaAs DSP/SSP dell'arsenuro di gallio del dopant di si del substrato a semiconduttore dei semi di N

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Buon prezzo Semi Undoped del wafer dell'arsenuro di gallio di 2INCH 3INCH 4Inch che isolano il substrato di GaAs per il LED in linea

Semi Undoped del wafer dell'arsenuro di gallio di 2INCH 3INCH 4Inch che isolano il substrato di GaAs per il LED

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Buon prezzo InP a 3 pollici Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate in linea

InP a 3 pollici Crystal Dummy Prime Semiconductor Substrate

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Buon prezzo Substrato a 4 pollici spesso a semiconduttore del InP del monocristallo 650um in linea

Substrato a 4 pollici spesso a semiconduttore del InP del monocristallo 650um

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Buon prezzo TIPO wafer di cristallo monocristallini di 2-4inch N/P dei substrati di InAs del substrato a semiconduttore in linea

TIPO wafer di cristallo monocristallini di 2-4inch N/P dei substrati di InAs del substrato a semiconduttore

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Buon prezzo Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio, monocristallo del monocristallo per il semiconduttore in linea

Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio, monocristallo del monocristallo per il semiconduttore

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Buon prezzo Superficie avvolta spessore di cristallo a 2 pollici del wafer 0,3 di Gap del substrato del fosfuro del gallio in linea

Superficie avvolta spessore di cristallo a 2 pollici del wafer 0,3 di Gap del substrato del fosfuro del gallio

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Buon prezzo Wafer di GaAs dell'arsenuro di gallio del substrato del semiconduttore drogato di si per Microwave/HEMT/PHEMT in linea

Wafer di GaAs dell'arsenuro di gallio del substrato del semiconduttore drogato di si per Microwave/HEMT/PHEMT

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