Marchio: | ZMKJ |
Numero di modello: | Monocristallo di UTI-AlN-1inch |
MOQ: | 1PCS |
prezzo: | by case |
Dettagli dell' imballaggio: | singolo contenitore del wafer nella stanza di pulizia |
Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, Paypal |
substrato di dia50.8mm 2inch 1inch AlN/wafer monocristallo di AlN
10x10mm o diametro 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, wafer di monocristallo di AlN del substrato di dia50.8mm AlN
Qualità S-grado (eccellente) P-grado (produzione) R-grado (ricerca)
Sistema cristallino |
Solfuro di zinco |
Costante della grata (Å) | a=3.112, c=4.982 |
Conduzione a banda | Bandgap diretto |
Densità (g/cm3) | 3,23 |
Microdurezza di superficie (prova di Knoop) | 800 |
Punto di fusione (℃) | 2750 (barra 10-100 in N2) |
Conducibilità termica (W/m·K) | 320 |
Energia di intervallo di banda (eV) | 6,28 |
Mobilità di elettrone (V·s/cm2) | 1100 |
Campo elettrico di ripartizione (MV/cm) | 11,7 |