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Wafer a 1 pollici del nitruro di alluminio del diametro 50.8mm AlN dei dispositivi di BAW
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | ZMKJ |
| Numero di modello: | Monocristallo di UTI-AlN-1inch |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1PCS |
|---|---|
| Prezzo: | by case |
| Imballaggi particolari: | singolo contenitore del wafer nella stanza di pulizia |
| Tempi di consegna: | in 30days |
| Termini di pagamento: | T/T, Western Union, Paypal |
| Capacità di alimentazione: | 10PCS/Month |
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Informazioni dettagliate |
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| materiale: | Cristallo di AlN | spessore: | 400um |
|---|---|---|---|
| Orientamento: | 0001 | applicazione: | alto potere/apparecchi elettronici ad alta frequenza |
| applicazione 2: | dispositivi di 5G saw/BAW | Ra: | 0.5nm |
| superficie lucidata: | CMP del fronte di Al, mp del N-fronte | tipo di cristallo: | 2H |
| Evidenziare: | Wafer del nitruro di alluminio di AlN,wafer del nitruro di alluminio di 50.8mm,Wafer di AlN dei dispositivi di BAW |
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Descrizione di prodotto
substrato di dia50.8mm 2inch 1inch AlN/wafer monocristallo di AlN
10x10mm o diametro 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, wafer di monocristallo di AlN del substrato di dia50.8mm AlN
Applicazioni di Modello di AlN
abbiamo sviluppato pubblicazioni periodiche dei processi e delle tecnologie privati per fabbricare
modelli di alta qualità di AlN. Attualmente, il nostro OEM è la sola società universalmente chi può produrre AlN a 2-6 pollici
modelli nella capacità su grande scala di produzione industriale con una capacità di 300.000 pezzi nel 2020 di incontrare esplosivo
richiesta del mercato dalla comunicazione senza fili UVC-LED, 5G, dai rivelatori UV e dai sensori ecc
Attualmente forniamo ai clienti l'azoto standardizzato di alta qualità di 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm
Di alluminio i prodotti del substrato di monocristallo e potuto anche fornire ai clienti 10-20mm non polare
substrato di monocristallo del nitruro di alluminio dell'M.-aereo, o personalizzare 5mm-50.8mm non standard ai clienti
Substrato lucidato di monocristallo del nitruro di alluminio. Questo prodotto è ampiamente usato come materiale di qualità superiore del substrato
Utilizzato nei chip di UVC-LED, in rivelatori UV, in laser UV e nel vario alto potere
temperatura di /High/giacimento ad alta frequenza dell'apparecchio elettronico.
Di alluminio i prodotti del substrato di monocristallo e potuto anche fornire ai clienti 10-20mm non polare
substrato di monocristallo del nitruro di alluminio dell'M.-aereo, o personalizzare 5mm-50.8mm non standard ai clienti
Substrato lucidato di monocristallo del nitruro di alluminio. Questo prodotto è ampiamente usato come materiale di qualità superiore del substrato
Utilizzato nei chip di UVC-LED, in rivelatori UV, in laser UV e nel vario alto potere
temperatura di /High/giacimento ad alta frequenza dell'apparecchio elettronico.
Specificazione caratteristica
- Modello Cristallo di UTI-AlN-10x10B-single
- Diametro 10x10±0.5mm; o dia10mm, dia25.4mm, o dia30mm, o dia45mm;
- Spessore del substrato (µm) 400 ± 50
- Orientamento C-asse [0001] +/- 0.5°
Qualità S-grado (eccellente) P-grado (produzione) R-grado (ricerca)
- Crepe Nessuno Nessuno <3mm>
- FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
- FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
- Rugosità di superficie [5×5µm] (nanometro) CMP del Al-fronte<0>
- Area utilizzabile 90%
- Capacità di assorbimento<50>
- primo dell'orientamento di lunghezza {10-10} ±5°;
- TTV (µm) ≤30
- Arco (µm) ≤30
- Filo di ordito (µm) -30~30
- Nota: Questi risultati di caratterizzazione possono variare leggermente secondo le attrezzature e/o il software impiegati
elemento dell'impurità Fe del Na W.P.S Ti di si B di C O
PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
| Sistema cristallino |
Solfuro di zinco |
| Costante della grata (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Conduzione a banda | Bandgap diretto |
| Densità (g/cm3) | 3,23 |
| Microdurezza di superficie (prova di Knoop) | 800 |
| Punto di fusione (℃) | 2750 (barra 10-100 in N2) |
| Conducibilità termica (W/m·K) | 320 |
| Energia di intervallo di banda (eV) | 6,28 |
| Mobilità di elettrone (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo elettrico di ripartizione (MV/cm) | 11,7 |
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