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Dettagli dei prodotti

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Substrato a semiconduttore
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2" wafer LD/LED di GaAs DSP/SSP dell'arsenuro di gallio del dopant di si del substrato a semiconduttore dei semi di N

2" wafer LD/LED di GaAs DSP/SSP dell'arsenuro di gallio del dopant di si del substrato a semiconduttore dei semi di N

Marchio: zmkj
Numero di modello: GaAs-N-4inch
MOQ: 5pz
prezzo: 100-200usd/pcs
Dettagli dell' imballaggio: in caso del wafer della cassetta 25pcs o singolo dall'imballaggio sotto vuoto
Condizioni di pagamento: T / T, unione occidentale
Informazione dettagliata
Luogo di origine:
La Cina
Materiale:
Cristallo di GaAs
Metodo:
VGF
Dimensione:
4inch dia100mm
Thickess:
380um
Superficie:
DSP
Applicazione:
principale, dispositivo di ld
Capacità di alimentazione:
2000pcs al mese
Evidenziare:

substrato del gasb

,

wafer a semiconduttore

Descrizione di prodotto

 
 
Metod 2inch/3inch N tipo, 4inch, wafer di VFG dell'arsenuro di gallio di 6inch dia150mm GaAs N tipi
tipo d'isolamento per la microelettronica,
 
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Wafer dell'arsenuro di gallio (GaAs)
L'arsenuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio ed arsenico. È un semiconduttore diretto del bandgap di III-V
con un sistema cristallino della blenda.
L'arsenuro di gallio è utilizzato nella fabbricazione di dispositivi quali i circuiti integrati di frequenza delle microonde, monolitica
circuiti integrati di a microonde, diodi a emissione luminosa infrarossi, diodi laser, pile solari e finestre ottiche. [2]
 
Il GaAs è usato spesso come materiale del substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori di III-V compreso l'arsenuro di gallio dell'indio,
arsenuro di gallio ed altri di alluminio.
 
.
Caratteristica ed applicazione del wafer di GaAs

CaratteristicaCampo di applicazione
Alta mobilità di elettroneDiodi luminescenti
Alta frequenzaDiodi laser
Alta efficienza di conversioneDispositivi fotovoltaici
Basso consumo energeticoAlto transistor di mobilità di elettrone
Intervallo di banda direttoTransistor bipolare di Heterojunction

 
2" wafer LD/LED di GaAs DSP/SSP dell'arsenuro di gallio del dopant di si del substrato a semiconduttore dei semi di N 0
2" wafer LD/LED di GaAs DSP/SSP dell'arsenuro di gallio del dopant di si del substrato a semiconduttore dei semi di N 1
Specificazione
GaAs Undoped
Specifiche d'isolamento di GaAs
 

Metodo di crescitaVGF
DopantCarbonio
Wafer Shape*Giro (diametro: 2", 3", 4" e 6")
Orientamento di superficie **(100) ±0.5°

» Wafer *5 disponibili su richiesta
** Altri orientamenti forse disponibili su richiesta
 

Resistività (Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
Mobilità (cm2/V.S)≥ 5.000≥ 4.000
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2)1,500-5,0001,500-5,000

 

Diametro del wafer (millimetri)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
Spessore (µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
FILO DI ORDITO (µm)≤10≤10≤10≤5
DI (millimetri)17±122±132.5±1TACCA
DI/SE (millimetri)7±112±118±1N/A
Polish*E/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished
 

Prodotti relativi per la lista di inventario
 
Wafer N tipo dell'arsenuro di gallio del Si-dopant a 2 pollici, SSP/DSP
Applicazioni di LED/LD
Wafer N tipo dell'arsenuro di gallio del Si-dopant a 4 pollici, SSP/DSP
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Applicazioni di LED/LD
Wafer Undoped a 2 pollici dell'arsenuro di gallio, SSP/DSP
Applicazioni di microelettronica
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Applicazioni di microelettronica
Wafer Undoped a 6 pollici dell'arsenuro di gallio, SSP/DSP
Applicazioni di microelettronica


Pacchetto & consegna
2" wafer LD/LED di GaAs DSP/SSP dell'arsenuro di gallio del dopant di si del substrato a semiconduttore dei semi di N 2
2" wafer LD/LED di GaAs DSP/SSP dell'arsenuro di gallio del dopant di si del substrato a semiconduttore dei semi di N 3
FAQ & CONTATTO
   Ciò è Eric wang, capo vendite di zmkj, la nostra società situata a Shanghai, Cina. Il nostro tempo di servizio è tutto il tempo a partire da lunedì - sabato. Siamo spiacenti per l'inconveniente causato tramite la differenza di tempo. Se delle domande, voi possono lasciare al mio email un messaggio ed anche aggiungere il mio WeChat, che cosa è app, Skype, io saranno online. Benvenuto per contattarmi!
 
Q: È voi società per azioni o il produttore? : Abbiamo nostri propri per la fabbricazione del wafer.
 Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna? : È generalmente dei 1-5 giorni se le merci sono in azione, se non, sono per 2-3weeks
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra? : Sì, potremmo offrire il campione libero da una certa dimensione.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento? : per il primo affare è 100% prima della consegna.

Il nostro servizio

                

consegna 1.Prompt: in 1-3 giorni.
garanzia 2.Quality: Se dei problemi di qualità, sostituzione libera saranno adottati.
supporto 3.Technical: 24 ore di supporto tecnico il email o chiamando
Aiuto del email 4.FAQ: 2 ore nel giorno feriale, 12 ore nel fine settimana.
pagamento 5.Covenient.: Accettiamo il trasferimento bancario, il L/C, Western Union, Paypal, l'impegno, ecc.

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