Substrato a 4 pollici spesso a semiconduttore del InP del monocristallo 650um

TIPO substrato S+/verniciato wafer Zn+ /Fe dei wafer 3inch 4inch N/P del InP 2inch a semiconduttore del InP +

la crescita (metodo modificato di VFG) è usata per tirare un monocristallo attraverso un liquido borico dell'ossido encapsulant a partire da un seme.

Il dopant (Fe, S, Sn o Zn) si aggiunge al crogiolo con il polycrystal. L'alta pressione si applica dentro la camera per impedire la decomposizione della società dell'indio Phosphide.he ha sviluppato un processo per rendere l'elevata purezza completamente stechiometrica e ed il monocristallo basso del inP di densità di dislocazione.

La tecnica di VFG migliora sopra grazie di metodo di LEC ad una tecnologia termica del deflettore in relazione ad un numerico

modellistica degli stati termici di crescita. il tCZ è una tecnologia matura redditizia con la riproducibilità di alta qualità dal boule al boule.

Applicazioni:
IIt presenta i vantaggi di alta velocità elettronica della deriva di limite, di buona resistenza di radiazione e di buona conduzione di calore. Adatto a dispositivi di fabbricazione di a microonde ed a circuiti integrati ad alta frequenza, ad alta velocità, ad alta potenza.

Caratteristiche:
1. L'a cristallo si sviluppa dalla tecnologia liquido-sigillata del diritto-disegno (LEC), con la tecnologia matura e la prestazione elettrica stabile.
2, facendo uso dello strumento direzionale dei raggi x per l'orientamento preciso, la deviazione di orientamento di cristallo sono soltanto ±0.5°
3, il wafer sono lucidati dalla tecnologia meccanica chimica di lucidatura (CMP), la rugosità di superficie <0> 4, per raggiungere «i requisiti pronti per l'uso della scatola aperta»
5, secondo le esigenze degli utenti, elaborazione speciale del prodotto di specifiche