• Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio, monocristallo del monocristallo per il semiconduttore
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Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio, monocristallo del monocristallo per il semiconduttore

Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio, monocristallo del monocristallo per il semiconduttore

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: zmkj
Numero di modello: GASb

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 3pcs
Prezzo: by case
Imballaggi particolari: singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 1000 gradi
Tempi di consegna: 2-quattro settimane
Termini di pagamento: T / T, unione occidentale
Capacità di alimentazione: 500pcs
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Materiale: Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio Metodo di crescita: VFG
Dimensioni: 2-4inch Spessore: 300-800um
Applicazione: III-V dirigono il materiale a semiconduttore del bandgap superficie: ssp/dsp
Pacchetto: singolo contenitore di wafer
Evidenziare:

substrato del gasb

,

wafer a semiconduttore

Descrizione di prodotto

monocristallo del monocristallo del substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio 2-4inch per il semiconduttore

 

L'antimoniuro di gallio (GaSb) è un materiale diretto molto importante a semiconduttore del bandgap di III-V. È un materiale chiave per le matrici infrarosse non raffreddate dei rivelatori e del piano focale di medium-lungo-Wave di superreticolo della classe II; rivelatori infrarossi non raffreddati di medium-lungo-Wave presenta i vantaggi di lunga vita, del peso leggero, di alta sensibilità e di alta affidabilità. Il prodotto è ampiamente usato in laser infrarossi, rivelatori infrarossi, sensori infrarossi e cellule termo-fotovoltaiche.

 

I metodi principali della crescita di materiali del monocristallo di GaSb comprendono la tecnologia liquido-sigillata tradizionale del diritto-disegno (LEC), riscaldamento mobile/tecnologia verticale di solidificazione di pendenza (VGF) /vertical Bridgman.

Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio, monocristallo del monocristallo per il semiconduttore 0

2-4inch o su misura 
                                            specificazione
monocristallo stimolante tipo

Concentrazione in trasportatore dello ione

cm-3

tasso di mobilità

(cm2/V.s)
MPD (cm2) DIMENSIONE
GaSb no I (1-2) *1017 600-700 <1>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

GaSb Zn P (5-100) *1017 200-500

<1>

 

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

GaSb Te N (1-20) *1017 2000-3500 <1>

Φ2 ″ ×0.5mm

Φ3 ″ ×0.5mm

DIMENSIONE (millimetri) Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mmCan è personalizzato
Ra Rugosità di superficie (Ra):<>  
lucidatura lato singolo o doppio lucidato
pacchetto

grado 100 che pulisce la scatola di plastica nell'ambito della stanza di pulizia di 1000 gradi

Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio, monocristallo del monocristallo per il semiconduttore 1

Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio, monocristallo del monocristallo per il semiconduttore 2

---FAQ –

Q: È voi società per azioni o il produttore?

A: lo zmkj è una società per azioni ma ha un produttore dello zaffiro 
come fornitore dei wafer dei materiali a semiconduttore per un ampio respiro delle applicazioni.

Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?

A: È generalmente dei 5-10 giorni se le merci sono in azione. o è dei 15-20 giorni se le merci non sono

in azione, è secondo la quantità.

Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?

A: Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.

Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?

A: Payment=1000USD<>,
50% T/T in anticipo, equilibrio prima della spedizione.
Se avete altra domanda, i pls si sentono libero per contattarci come qui sotto:

Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto
Sono interessato a Substrato di GaSb dell'antimoniuro di gallio, monocristallo del monocristallo per il semiconduttore potresti inviarmi maggiori dettagli come tipo, dimensione, quantità, materiale, ecc.
Grazie!
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