Name: Wafer di GaAs dell'arsenuro di gallio del substrato del semiconduttore drogato di si per Microwave/HEMT/PHEMT
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6inch S-C-N
Price: 150.00 USD
Availability: InStock

Marchio:	zmkj
Numero di modello:	6inch S-C-N
MOQ:	5pz
prezzo:	by case
Dettagli dell' imballaggio:	il singolo wafer ha imballato in 6" scatola di plastica sotto N2
Condizioni di pagamento:	T / T, Western Union, MoneyGram

Informazione dettagliata

Descrizione di prodotto

Informazione dettagliata

Luogo di origine:

La Cina

Materiale:

Monocristallo di GaAs

Dimensioni:

6inch

Spessore:

650um o customzied

Di tipo:

tacca o del piano

Orientamento:

(100) 2°off

superficie:

DSP

Metodo di crescita:

VFG

Capacità di alimentazione:

500pcs al mese

Evidenziare:

substrato del gasb

wafer a semiconduttore

Descrizione di prodotto

il tipo di 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-ha verniciato il wafer di GaAs dell'arsenuro di gallio

Descrizione di prodotto

Wafer dell'arsenuro di gallio (GaAs)

PWAM sviluppa e fabbrica il cristallo ed il wafer dell'arseniuro del substrato-gallio a semiconduttore composto. Abbiamo usato la tecnologia avanzata della crescita dei cristalli, la gelata verticale di pendenza (VGF) e tecnologia della trasformazione del wafer di GaAs, abbiamo stabilito una linea di produzione da crescita dei cristalli, taglio, macinazione all'elaborazione di lucidatura ed abbiamo sviluppato una stanza pulita di 100 classi per pulizia e l'imballaggio del wafer. Il nostro wafer di GaAs include il lingotto a 2~6 pollici/wafer per il LED, il LD e le applicazioni della microelettronica. Siamo dedicati sempre per migliorare attualmente la qualità dei sottostati e per sviluppare i grandi substrati.

Wafer dell'arsenuro di gallio (GaAs) per le applicazioni del LED

1. Pricipalmente utilizzato nell'elettronica, la bassa temperatura unisce in lega, arsenuro di gallio.
2. Il composto chimico primario di gallio nell'elettronica, è utilizzato nei circuiti di a microonde, nei circuiti ad alta velocità di commutazione e nei circuiti infrarossi.
3. Il nitruro di gallio ed il nitruro di gallio dell'indio, dato che gli usi a semiconduttore, producono i diodi a emissione luminosa blu e viola (LEDs) ed i laser a diodi.

DESCRIZIONE DI PRODOTTO

SPECIFICAZIONE --Wafer N tipo dell'arsenuro di gallio del Si-dopant a 6 pollici SSP/DSP LED/LD
Metodo di crescita	VGF
Orientamento	<100>
Diametro	150,0 +/- 0,3 millimetri
Spessore	650um +/- 25um
Polacco	Scelga (SSP) lucidato parteggiato
Rugosità di superficie	Lucidato
TTV/Bow	<10um>
Dopant	Si
Tipo di conducibilità	N tipo
Resistività (al RT)	(1.2~9.9) *10-3 ohm cm
Densità del pozzo incissione all'acquaforte (EPD)	LED <5000>2; LD <500>
Mobilità	Cm2/v.s del LED >1000; Cm2/v.s di LD >1500
Concentrazione in trasportatore	LED > (0.4-4) 1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) 1018 /cm3

Specifiche del wafer semiconduttore di GaAs

Metodo di crescita	VGF
Dopant	p tipo: Zn		n tipo: Si
Forma del wafer	Rotondo (diametro: 2", 3", 4", 6")
Orientamento di superficie *	(100) ±0.5°
* altri orientamenti forse disponibili su richiesta
Dopant	Si (n tipo)		Zn (p tipo)
Concentrazione in trasportatore (cm-3)	(0.8-4) × 1018		(0.5-5) × 1019
Mobilità (cm2/V.S.)	× 103 (di 1-2.5)		50-120
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2)	100-5000		3,000-5,000
Diametro del wafer (millimetro)	50.8±0.3	76.2±0.3		100±0.3
Spessore (µm)	350±25	625±25		625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4		≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
FILO DI ORDITO (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
DI (millimetro)	17±1	22±1		32.5±1
DI/SE (millimetro)	7±1	12±1		18±1
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P		E/E, P/E, P/P

Specifiche di semi-isolamento del wafer di GaAs

Metodo di crescita	VGF
Dopant	Tipo di SI: Carbonio
Forma del wafer	Rotondo (diametro: 2", 3", 4", 6")
Orientamento di superficie *	(100) ±0.5°
* altri orientamenti forse disponibili su richiesta
Resistività (Ω.cm)	× 107 del ≥ 1		× 108 del ≥ 1
Mobilità (cm2/V.S)	≥ 5.000		≥ 4.000
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2)	1,500-5,000		1,500-5,000
Diametro del wafer (millimetro)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3	150±0.3
Spessore (µm)	350±25	625±25	625±25	675±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
FILO DI ORDITO (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 15
DI (millimetro)	17±1	22±1	32.5±1	TACCA
DI/SE (millimetro)	7±1	12±1	18±1	N/A
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

Wafer di GaAs dell'arsenuro di gallio del substrato del semiconduttore drogato di si per Microwave/HEMT/PHEMT 1

FAQ –
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(1) per l'inventario, il MOQ è 5pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-20pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche

Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.

Imballaggio – Logistcs
interessiamo ciascuno dettagli del pacchetto, pulizia, antistatica, trattamento d'urto. Secondo la quantità e la forma del prodotto,

prenderemo un processo d'imballaggio differente!

Tag:

substrato dello zaffiro

Zaffiro Windows ottico

Wafer del carburo di silicio

Sapphire Tube

Wafer del nitruro di gallio

Substrato a semiconduttore

Gem Stone sintetico

Parti di ceramica

attrezzatura di laboratorio scientifica

Cassa per orologi del cristallo di zaffiro

Contenitore di trasportatore del wafer

Substrato monocristallino sottile superconduttore

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