Marchio:	zmkj
Numero di modello:	GaAs-N-3inch
MOQ:	5pcs
prezzo:	100-200usd/pcs
Dettagli dell' imballaggio:	in caso del wafer della cassetta 25pcs o singolo dall'imballaggio sotto vuoto
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union

Informazione dettagliata

Descrizione di prodotto

Informazione dettagliata

Luogo di origine:

La Cina

Materiale:

Cristallo di GaAs

Metodo:

VGF

dimensione:

dia76.2mm

thickess:

350um

Superficie:

DSP

Applicazione:

principale, dispositivo di ld

tipo:

N tipo

verniciatura:

Si-verniciato

Capacità di alimentazione:

2000pcs al mese

Evidenziare:

GaAs verniciato si Wafe

Substrato GaAs Wafe a semiconduttore

Tipo wafer di N dello ssp

Descrizione di prodotto

Metod 2inch/3inch N tipo, 4inch, wafer di VFG dell'arsenuro di gallio di 6inch dia150mm GaAs N tipi
tipo d'isolamento per la microelettronica,

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Wafer dell'arsenuro di gallio (GaAs)
L'arsenuro di gallio (GaAs) è un composto degli elementi gallio ed arsenico. È un semiconduttore diretto del bandgap di III-V
con un sistema cristallino della blenda.
L'arsenuro di gallio è utilizzato nella fabbricazione di dispositivi quali i circuiti integrati di frequenza delle microonde, monolitica
circuiti integrati di a microonde, diodi a emissione luminosa infrarossi, diodi laser, pile solari e finestre ottiche. [2]

Il GaAs è usato spesso come materiale del substrato per la crescita epitassiale di altri semiconduttori di III-V compreso l'arsenuro di gallio dell'indio,
arsenuro di gallio ed altri di alluminio.

.
Caratteristica ed applicazione del wafer di GaAs

Caratteristica	Campo di applicazione
Alta mobilità di elettrone	Diodi luminescenti
Alta frequenza	Diodi laser
Alta efficienza di conversione	Dispositivi fotovoltaici
Basso consumo energetico	Alto transistor di mobilità di elettrone
Intervallo di banda diretto	Transistor bipolare di Heterojunction

Il tipo a 4 pollici si di N del substrato a semiconduttore di 15° ha verniciato il wafer SSP di GaAs 0
Specificazione
GaAs Undoped
Specifiche d'isolamento di GaAs

Metodo di crescita	VGF
Dopant	Carbonio
Wafer Shape*	Giro (diametro: 2", 3", 4" e 6")
Orientamento di superficie **	(100) ±0.5°

» Wafer *5 disponibili su richiesta
** Altri orientamenti forse disponibili su richiesta

Resistività (Ω.cm)	≥1 × 107	≥1 × 108
Mobilità (cm2/V.S)	≥ 5.000	≥ 4.000
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2)	1,500-5,000	1,500-5,000

Diametro del wafer (millimetri)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3	150±0.3
Spessore (µm)	350±25	625±25	625±25	675±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
FILO DI ORDITO (µm)	≤10	≤10	≤10	≤5
DI (millimetri)	17±1	22±1	32.5±1	TACCA
DI/SE (millimetri)	7±1	12±1	18±1	N/A
Polish*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished
Il tipo a 4 pollici si di N del substrato a semiconduttore di 15° ha verniciato il wafer SSP di GaAs 1

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Pacchetto & consegna
Il tipo a 4 pollici si di N del substrato a semiconduttore di 15° ha verniciato il wafer SSP di GaAs 2

FAQ & CONTATTO
Ciò è Eric wang, capo vendite di zmkj, la nostra società situata a Shanghai, Cina. Il nostro tempo di servizio è tutto il tempo a partire da lunedì - sabato. Siamo spiacenti per l'inconveniente causato tramite la differenza di tempo. Se delle domande, voi possono lasciare al mio email un messaggio ed anche aggiungere il mio WeChat, che cosa è app, Skype, io saranno online. Benvenuto per contattarmi!

Q: È voi società per azioni o il produttore? : Abbiamo nostri propri per la fabbricazione del wafer.
Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna? : È generalmente dei 1-5 giorni se le merci sono in azione, se non, sono per 2-3weeks
Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra? : Sì, potremmo offrire il campione libero da una certa dimensione.
Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento? : per il primo affare è 100% prima della consegna.

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