larghezza di banda del substrato N-InP 02:2.5G wavelength 1270nm epi wafer per diodo laser FP

larghezza di banda del substrato N-InP 02:2.5G wavelength 1270nm epi wafer per diodo laser FP

Sottostrato N-InP FP Epiwafer's Overview

Il nostro N-InP Substrate FP Epiwafer è un wafer epitaxiale ad alte prestazioni progettato per la fabbricazione di diodi laser Fabry-Pérot (FP), specificamente ottimizzato per applicazioni di comunicazione ottica.Questo Epiwafer presenta un substrato di fosfuro di indio (N-InP) di tipo N, un materiale noto per le sue eccellenti proprietà elettroniche e optoelettroniche, che lo rendono ideale per dispositivi ad alta velocità e ad alta frequenza.

L'Epiwafer è progettato per produrre diodi laser che funzionano ad una lunghezza d'onda di 1270 nm.che è una lunghezza d'onda critica per i sistemi di multiplexing per divisione di lunghezza d'onda grossolana (CWDM) nelle comunicazioni in fibra otticaIl controllo preciso della composizione e dello spessore dello strato epitassale garantisce prestazioni ottimali, con il diodo laser FP in grado di raggiungere una larghezza di banda operativa fino a 2,5 GHz.Questa larghezza di banda rende il dispositivo adatto per la trasmissione di dati ad alta velocità, supportando applicazioni che richiedono una comunicazione rapida e affidabile.

la struttura della cavità di Fabry-Pérot (FP) del diodo laser, facilitata dagli strati epitaxiali di alta qualità sul substrato InP,garantisce la generazione di luce coerente con rumore minimo e elevata efficienzaQuesto Epiwafer è progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili, rendendolo una scelta eccellente per i produttori che mirano a produrre diodi laser all'avanguardia per le telecomunicazioni,Centri dati, e altri ambienti di rete ad alta velocità.

In sintesi, il nostro N-InP Substrate FP Epiwafer è un componente critico per sistemi di comunicazione ottica avanzata, offrendo eccellenti proprietà del materiale, precisi obiettivi di lunghezza d'onda,e larghezza di banda operativa elevataEsso fornisce una solida base per la produzione di diodi laser FP che soddisfano le rigide esigenze delle moderne reti di comunicazione ad alta velocità.

Proprietà del substrato N-InP FP Epiwafer

The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsDi seguito sono riportate le principali proprietà di questo Epiwafer:

1. Materiale del substrato:

   • Tipo: Fosfuro di indio di tipo N (N-InP)
   • Proprietà: elevata mobilità elettronica, bassa resistività e eccellente conduttività termica, che lo rende adatto per applicazioni elettroniche e optoelettroniche ad alta velocità.

1. Strato epitaxiale:

   • Tecnica di crescita: Gli strati epitaxiali vengono coltivati sul substrato N-InP utilizzando tecniche quali la deposizione chimica a vapore metallico-organico (MOCVD) o l'epitaxia a fascio molecolare (MBE).
   • Composizione dello strato: controllo preciso della concentrazione di doping e della composizione del materiale per ottenere le proprietà elettroniche e ottiche desiderate.

2. Lunghezza d'onda:

   • Lunghezza d'onda bersaglio: 1270 nm
   • Applicazione: Ideale per il multiplexing a divisione di lunghezza d'onda grossolana (CWDM) nei sistemi di comunicazione in fibra ottica.

3. Larghezza di banda:

   • Larghezza di banda operativa: fino a 2,5 GHz
   • Prestazioni: adatto alla trasmissione di dati ad alta velocità, garantendo prestazioni affidabili nelle telecomunicazioni e nelle reti di dati.

4. Cavità di Fabry-Pérot:

   • Struttura: L'Epiwafer supporta la formazione di una cavità di Fabry-Pérot, essenziale per generare luce coerente con elevata efficienza.
   • Proprietà del laser: Produce diodi laser con rumore minimo, emissioni di lunghezza d'onda stabili e potenza di uscita elevata.

5. Qualità della superficie:

   • Polizione: La superficie del substrato è altamente lucidata per ridurre al minimo i difetti, garantendo uno strato epitaxiale di alta qualità con dislocazioni minime.

6. Proprietà termiche:

   • Dissipazione del calore: L'eccellente conduttività termica del substrato N-InP favorisce un'efficace dissipazione del calore, cruciale per mantenere le prestazioni e la longevità dei diodi laser.

7. Adattabilità all'applicazione:

   • Dispositivi bersaglio: progettato per diodi laser FP utilizzati in sistemi di comunicazione ottica, data center e altri ambienti di rete ad alta velocità.

Queste proprietà contribuiscono collettivamente alla capacità dell'Epiwafer di supportare la produzione di diodi laser FP di alta qualità,soddisfare le rigide esigenze delle moderne tecnologie di comunicazione ottica.

Applicazioni del substrato N-InP FP Epiwafer

Il N-InP Substrate FP Epiwafer è un componente critico nello sviluppo di dispositivi optoelettronici avanzati, in particolare diodi laser Fabry-Pérot (FP).Le sue proprietà lo rendono adatto a un'ampia gamma di applicazioni nella comunicazione ad alta velocità e nei settori correlatiEcco le principali applicazioni:

1. Sistemi di comunicazione ottica:

   • Trasmissione in fibra ottica: L'Epiwafer è ideale per la fabbricazione di diodi laser FP che operano alla lunghezza d'onda di 1270 nm, comunemente utilizzati nei sistemi di multiplexing a divisione di lunghezza d'onda grossolana (CWDM).Questi sistemi si basano su un preciso controllo della lunghezza d'onda per trasmettere più canali di dati su una singola fibra, aumentando la larghezza di banda senza la necessità di ulteriori fibre.
   • Link dati ad alta velocità: il wafer supporta diodi laser con una larghezza di banda operativa fino a 2,5 GHz, che lo rende adatto per applicazioni di trasmissione dati ad alta velocità,comprese le reti metropolitane e le reti ottiche a lungo raggio.

2. Centri dati:

   • Interconnessioni: I diodi laser FP fabbricati da questo Epiwafer sono utilizzati nelle interconnessioni ottiche all'interno dei data center, dove la comunicazione ad alta velocità e a bassa latenza è cruciale.Questi laser assicurano un efficiente trasferimento di dati tra i server, sistemi di archiviazione e apparecchiature di rete.
   • Infrastrutture di cloud computing: Poiché i servizi cloud richiedono velocità di dati sempre più elevate, i diodi laser FP contribuiscono a mantenere le prestazioni e l'affidabilità delle reti di data center, supportandoambienti di elaborazione distribuiti.

3. Servizi di telecomunicazione:

   • Reti 5G: L'Epiwafer è utilizzato nella produzione di diodi laser per le infrastrutture di telecomunicazione 5G, dove sono necessarie alte velocità di trasmissione e connessioni affidabili.I diodi laser FP forniscono i segnali ottici necessari per la trasmissione dei dati attraverso il backbone delle reti 5G.
   • FTTx (Fibra alla x): Questa tecnologia prevede la distribuzione di reti in fibra ottica più vicine agli utenti finali (abitazioni, imprese) e i diodi laser FP sono componenti chiave dei trasmettitori ottici utilizzati nei sistemi FTTx.

4. Attrezzature di prova e misura:

   • Analisi dello spettro ottico: I diodi laser FP prodotti da questo Epiwafer sono utilizzati negli analizzatori di spettro ottico, che sono strumenti essenziali per testare e misurare le prestazioni dei sistemi di comunicazione ottica.
   • Tomografia di coerenza ottica (OCT): Nell'imaging medico, in particolare nei sistemi OCT, i diodi laser FP offrono la fonte di luce necessaria per l'imaging ad alta risoluzione dei tessuti biologici.

5. Sensori e metrologia:

   • Sensori ottici: La precisione e la stabilità dei diodi laser FP li rendono adatti per l'uso in sensori ottici per il monitoraggio ambientale, il controllo dei processi industriali e le applicazioni biomediche.
   • Distanza e sistemi di posizionamento: I diodi laser FP sono utilizzati anche in sistemi che richiedono misure di distanza precise, come il LIDAR (Light Detection and Ranging) e altre tecnologie di posizionamento.

La versatilità e le caratteristiche di elevate prestazioni dell'Epiwafer FP N-InP Substrate lo rendono una pietra angolare per una vasta gamma di tecnologie all'avanguardia nelle comunicazioni ottiche, nei data center,telecomunicazioni, e oltre.

Foto del substrato N-InP FP Epiwafer