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N-GaAs Substrato 6 pollici 350um Spessore Per uso VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer
Dettagli:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
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Informazioni dettagliate |
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| Cavity mode Tolerance: | Within ± 3% | Cavity mode Uniformity: | <= 1% |
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| Doping level tolerance: | Within ± 30% | Doping level Uniformity: | <= 10% |
| PL Uniformità della lunghezza d'onda: | Std. Dev migliore di 2nm @ interno 140mm | Uniformità di spessore: | Migliore di ± 3% @interno 140 mm |
| Mole fraction x tolerance: | Within ±0.03 | Mole fraction x Uniformity: | <= 0.03 |
| Evidenziare: | 350um VCSEL N-GaAs substrato,Substrato di N-GaAs 350um,6 pollici di substrato N-GaAs |
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Descrizione di prodotto
N-GaAs substrato spessore 6 pollici 350um per uso VCSEL
VCSEL epiWafer N-GaAs sottostrato's abstract
IlEpiWafer VCSEL su substrato N-GaAsè progettato per applicazioni ottiche ad alte prestazioni, in particolare perGigabit Ethernet- ecomunicazione digitale mediante collegamento dati. Costruito su un wafer di 6 pollici, presenta ungamma laser ad alta uniformitàe supporta lunghezze d'onda ottiche centrali di850 nm- e940 nmLa struttura è disponibile incontenuti in ossidooprotone impianto VCSELIl wafer è ottimizzato per le applicazioni che richiedono una maggiore flessibilità nella progettazione e nelle prestazioni.bassa dipendenza dalle caratteristiche elettriche e ottiche rispetto alla temperatura, che lo rende ideale per l' impiego intopi laser,comunicazione ottica, e altri ambienti sensibili alla temperatura.
Struttura del substrato di epiWafer N-GaAs VCSEL
Foto del substrato di epiWafer N-GaAs del VCSEL
Fogli di dati del substrato VCSEL epiWafer N-GaAsZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf
Proprietà del substrato di epiWafer N-GaAs VCSEL
IlEpiWafer VCSEL su substrato N-GaAsha diverse proprietà chiave che lo rendono adatto per applicazioni ottiche ad alte prestazioni:
Substrato di N-GaAs:
- Fornisce eccellenticonduttività elettricae funge da base stabile per la crescita epitassale delle strutture VCSEL.
- Offertebassa densità di difetti, che è fondamentale per un funzionamento affidabile e ad alte prestazioni.
Tonabilità a lunghezza d'onda:
- Supporti850 nm- e940 nmL'obiettivo è quello di migliorare la capacità di rilevamento e la capacità di rilevamento di dati.comunicazione ottica- eSensori 3D.
Array laser ad alta uniformità:
- Garantisce prestazioni costanti su tutto il wafer, fondamentale per i dispositivi basati su array inCentri dati- ereti a fibra ottica.
Impianto protonico o confinato in ossido:
- Disponibile in:contenuti in ossidooimpianto protonicoStrutture VCSEL, che offrono flessibilità nella progettazione per ottimizzare le prestazioni per applicazioni specifiche.
Stabilità termica:
- Disegnati per l'esposizionebassa dipendenza dalle caratteristiche elettriche e ottiche in un ampio intervallo di temperature, garantendo un funzionamento stabile in ambienti sensibili alla temperatura.
Alta potenza e velocità:
- La struttura del wafer sostienetrasmissione dati ad alta velocità- efunzionamento ad alta potenza, che lo rende adatto perGigabit Ethernet,comunicazione dei dati, eLIDARsistemi.
Scalabilità:
- Il formato wafer da 6 pollici consente diproduzione conveniente, supportando la produzione su larga scala e l'integrazione in vari sistemi ottici.
Queste proprietà rendono l'epiWafer VCSEL sul substrato N-GaAs ideale per applicazioni che richiedono un'elevata efficienza, stabilità a temperatura e prestazioni affidabili.