N-GaAs Substrato 6 pollici 350um Spessore Per uso VCSEL OptiWave VCSEL EpiWafer

N-GaAs substrato spessore 6 pollici 350um per uso VCSEL

VCSEL epiWafer N-GaAs sottostrato's abstract

IlEpiWafer VCSEL su substrato N-GaAsè progettato per applicazioni ottiche ad alte prestazioni, in particolare perGigabit Ethernet- ecomunicazione digitale mediante collegamento dati. Costruito su un wafer di 6 pollici, presenta ungamma laser ad alta uniformitàe supporta lunghezze d'onda ottiche centrali di850 nm- e940 nmLa struttura è disponibile incontenuti in ossidooprotone impianto VCSELIl wafer è ottimizzato per le applicazioni che richiedono una maggiore flessibilità nella progettazione e nelle prestazioni.bassa dipendenza dalle caratteristiche elettriche e ottiche rispetto alla temperatura, che lo rende ideale per l' impiego intopi laser,comunicazione ottica, e altri ambienti sensibili alla temperatura.

Struttura del substrato di epiWafer N-GaAs VCSEL

Foto del substrato di epiWafer N-GaAs del VCSEL

Fogli di dati del substrato VCSEL epiWafer N-GaAsZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf

Proprietà del substrato di epiWafer N-GaAs VCSEL

IlEpiWafer VCSEL su substrato N-GaAsha diverse proprietà chiave che lo rendono adatto per applicazioni ottiche ad alte prestazioni:

Substrato di N-GaAs:

• Fornisce eccellenticonduttività elettricae funge da base stabile per la crescita epitassale delle strutture VCSEL.
• Offertebassa densità di difetti, che è fondamentale per un funzionamento affidabile e ad alte prestazioni.

Tonabilità a lunghezza d'onda:

• Supporti850 nm- e940 nmL'obiettivo è quello di migliorare la capacità di rilevamento e la capacità di rilevamento di dati.comunicazione ottica- eSensori 3D.

Array laser ad alta uniformità:

• Garantisce prestazioni costanti su tutto il wafer, fondamentale per i dispositivi basati su array inCentri dati- ereti a fibra ottica.

Impianto protonico o confinato in ossido:

• Disponibile in:contenuti in ossidooimpianto protonicoStrutture VCSEL, che offrono flessibilità nella progettazione per ottimizzare le prestazioni per applicazioni specifiche.

Stabilità termica:

• Disegnati per l'esposizionebassa dipendenza dalle caratteristiche elettriche e ottiche in un ampio intervallo di temperature, garantendo un funzionamento stabile in ambienti sensibili alla temperatura.

Alta potenza e velocità:

• La struttura del wafer sostienetrasmissione dati ad alta velocità- efunzionamento ad alta potenza, che lo rende adatto perGigabit Ethernet,comunicazione dei dati, eLIDARsistemi.

Scalabilità:

• Il formato wafer da 6 pollici consente diproduzione conveniente, supportando la produzione su larga scala e l'integrazione in vari sistemi ottici.

Queste proprietà rendono l'epiWafer VCSEL sul substrato N-GaAs ideale per applicazioni che richiedono un'elevata efficienza, stabilità a temperatura e prestazioni affidabili.