Si Wafer 8 pollici Spessore da 675 μm a 775 μmP Tipo N Tipo 111 doppio lato lucido / lato unico lucido

8 pollici Wafer Si Substrato 111 P Tipo N Tipo per sistemi microelettromeccanici (MEMS) o dispositivi a semiconduttore di potenza o componenti e sensori ottici

Descrizione del prodotto: Il wafer di silicio da 8 pollici con orientamento cristallino (111) è un materiale monocristallino di alta qualità ampiamente utilizzato nella produzione di semiconduttori.L'orientamento cristallino (111) fornisce proprietà elettriche e meccaniche specifiche che sono vantaggiose per varie applicazioni ad alte prestazioni.

Caratteristiche chiave:

• Diametro:200 millimetri.
• Orientazione cristallina:(111), che offre proprietà superficiali uniche, ideali per determinati processi e caratteristiche dei semiconduttori.
• Alta purezza:Prodotto con un elevato livello di purezza per garantire l'uniformità e bassi tassi di difetti, fondamentali per le applicazioni di semiconduttori e microelettronica.
• Qualità della superficie:Tipicamente lucidati o puliti per soddisfare i severi requisiti di superficie per la fabbricazione dei dispositivi.

Applicazioni:

• Dispositivi per semiconduttori di potenza:L'orientamento (111) è preferito in alcuni dispositivi di potenza a causa della sua elevata tensione di rottura e delle sue proprietà termiche favorevoli.
• MEMS (sistemi microelettromeccanici):Spesso utilizzato per sensori, attuatori e altri dispositivi su micro scala, grazie alla sua struttura cristallina ben definita.
• Dispositivi optoelettronici:Adatto per applicazioni in dispositivi di emissione luminosa e fotodetettori, dove è importante un'alta qualità dei cristalli.
• Celle solari:Il silicio orientato verso il (111) è utilizzato anche nelle celle fotovoltaiche ad alto rendimento, che beneficiano di un maggiore assorbimento della luce e di una maggiore mobilità del vettore.

Immagine di applicazione del Si Wafer:

Personalizzazioni:

• Spessore e resistenza:Questi possono essere personalizzati in base alle specifiche del cliente per soddisfare specifiche esigenze di applicazione.
• Tipo di doping:Per regolare le caratteristiche elettriche del wafer è disponibile un doping di tipo P o N.

Questo tipo di wafer di silicio è cruciale per una vasta gamma di applicazioni di semiconduttori, fornendo un equilibrio di resistenza meccanica, prestazioni elettriche e facilità di lavorazione.