Panoramica del prodotto

NostroCristallo singolo hBN di grado dispositivoè un monocristallo sfuso di nitruro di boro esagonale di alta qualità progettato per la ricerca avanzata sui materiali 2D e la fabbricazione di dispositivi. Cresciuto mediante un processo proprietario a pressione atmosferica, questo cristallo hBN presenta un'elevata qualità cristallina, un comportamento di clivaggio pulito, regioni a dominio singolo di ampia area ed eccellente trasparenza ottica.

È particolarmente adatto come asubstrato o strato di incapsulamentoper eterostrutture 2D, dispositivi basati su grafene, strutture nanofotoniche e applicazioni optoelettroniche nell'ultravioletto profondo. La convalida a livello di dispositivo di terze parti mostra che questo materiale hBN può fornire prestazioni paragonabili o migliori degli attuali cristalli accademici gold standard nelle applicazioni di eterostruttura di grafene.

Caratteristiche principali

• Singolo cristallo hBN per dispositivi
• Processo proprietario di crescita della pressione atmosferica
• Dimensione tipica dei cristalli laterali ≥ 1 mm
• Campo di rottura dielettrico elevato: 1,64 ± 0,06 V/nm
• Mobilità del grafene a temperatura ambiente su hBN: ~80.000 cm²/V·s
• hBN Raman E₂g FWHM: 7,88 cm⁻¹
• Emissione UV a bordo banda intorno a 215 nm
• Adatto per eterostrutture 2D, dispositivi al grafene, nanofotonica e optoelettronica UV profonda

Applicazioni

Eterostrutture 2D

L'hBN per dispositivi è ampiamente utilizzato come substrato di alta qualità e strato di incapsulamento per grafene, dicalcogenuri di metalli di transizione e altri materiali 2D. La sua superficie atomicamente piatta e l'interfaccia pulita aiutano a migliorare la stabilità del dispositivo e a ridurre gli effetti di dispersione.

Dispositivi al grafene

Se utilizzato con il grafene, l'hBN può supportare comportamenti di trasporto ad alta mobilità. La tipica mobilità del grafene a temperatura ambiente su questo hBN raggiunge circa80.000 cm²/V·s, rendendolo adatto per studi avanzati sul trasporto elettronico e quantistico.

Nanofotonica

hBN è un'importante piattaforma di materiali per la ricerca sui polaritoni fononici e i dispositivi fotonici su scala nanometrica. L'elevata qualità dei cristalli e le proprietà ottiche lo rendono adatto alla nanofotonica a infrarossi e ai relativi esperimenti ottici.

Optoelettronica UV profondo

Con emissione UV a bordo banda intorno215 nm, il cristallo singolo hBN può essere utilizzato nella ricerca optoelettronica nell'ultravioletto profondo, negli studi sui materiali ad ampio gap di banda e nelle applicazioni fotoniche avanzate.

Specifiche tecniche

Vantaggi del prodotto

Rispetto ai normali cristalli hBN commerciali, questo hBN per dispositivi è sviluppato per applicazioni in cui la qualità dei cristalli, la pulizia dell'interfaccia e le prestazioni del dispositivo sono fondamentali. Il materiale è stato valutato tramite test di dispositivi eterostruttura di grafene di terze parti e mostra prestazioni pari o superiori al livello dei principali cristalli di riferimento accademici.

Le dimensioni del cristallo mostrate nella scheda tecnica indicano le dimensioni laterali rappresentative sopra1 millimetro, con alcuni bordi di cristallo misurati eccedenti1,4 mm. Le immagini al microscopio ottico mostrano anche chiare sfaccettature di crescita, bordi di clivaggio netti, regioni cristalline trasparenti e ampie aree utilizzabili a dominio singolo.

Breve descrizione consigliata

Cristallo singolo hBN di grado dispositivoè un materiale in nitruro di boro esagonale di alta qualità progettato per eterostrutture 2D, dispositivi al grafene, nanofotonica e optoelettronica UV profonda. Cresciuto mediante un processo proprietario a pressione atmosferica, offre dimensioni tipiche dei cristalli laterali ≥ 1 mm, elevata resistenza alla rottura dielettrica, eccellenti prestazioni Raman e una valida convalida a livello di dispositivo.

Domande frequenti

Q1: A cosa serve principalmente questo cristallo singolo hBN?
Viene utilizzato principalmente come substrato o strato di incapsulamento per eterostrutture 2D, dispositivi al grafene, nanofotonica e ricerca optoelettronica nell'UV profondo.

Q2: Qual è la dimensione tipica del cristallo?
La specifica standard del dispositivo è≥ 1 millimetrodimensione laterale. I campioni rappresentativi nella scheda tecnica mostrano dimensioni misurate superiori a 1 mm, con alcuni bordi che raggiungono oltre 1,4 mm.

Q3: Questo materiale è adatto per i dispositivi al grafene?
SÌ. La scheda tecnica riporta una mobilità tipica del grafene a temperatura ambiente su hBN di circa80.000 cm²/V·s, rendendolo adatto alla ricerca sui dispositivi al grafene ad alta mobilità.

Q4: Qual è il formato di imballaggio?
Il prodotto viene generalmente fornito in un portachip, con5-10 cristalli per confezione.

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1. Protezione dalla polvere Classe 100 o Classe 1000, a seconda della sensibilità del prodotto.
2. Sono disponibili opzioni di imballaggio personalizzate per esigenze particolari.

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