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2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici 4H P Tipo 6H P Tipo 3C N Tipo SiC Wafer Silicon Carbide Wafer Semiconduttore
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SiC Wafer 4H tipo N Carburo di silicio grado 2 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici DSP personalizzato
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Semi-isolatori di SiC composti Sottostrati Epi pronti 6 pollici 150 mm per dispositivi optoelettronici
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Substrato composito SiC conduttivo di tipo N 6 pollici per Epitaxy MBE CVD LPE
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SIC Substrato quadrato 5×5 10×10 350um Off Axis: 2.0°-4.0° verso il grado di produzione
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350um Spessore 4h-N 4H-SEMI SIC Wafer di carburo di silicio per epitexiale
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Wafer SiC da 2 pollici 4H N tipo 6H-N tipo 4H Semi tipo 6H Semi tipo doppio lato lucido
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6H SiC Silicon Carbide Wafer doppio lato lucidato 2 pollici <0001> tipo N tipo Semi
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Wafer al carburo di silicio Dimensione personalizzata Semi isolante Wafer al SiC Quasi incolore Trasparente Resistenza ad alta pressione
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4H-N HPSI 100um Polvere abrasiva al carburo di silicio per la crescita dei cristalli SIC
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9.4 Durezza Wafer di carburo di silicio Parti di cuscinetti a cristallo singolo Forma personalizzata
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