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Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Substrato 750±25um Tipo 4H-N Orientazione 100 Grado di ricerca di produzione
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | ZMSH |
| Certificazione: | Rohs |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1 |
|---|---|
| Imballaggi particolari: | singolo contenitore del wafer |
| Tempi di consegna: | 2-4weeks |
| Termini di pagamento: | T/T, |
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Informazioni dettagliate |
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| Polytype: | 4H-SiC 6H-SiC | Diametro: | 12 pollici 300 mm |
|---|---|---|---|
| Conducibilità: | N tipo / semisolatore | Drogante: | N2 (azoto) V (vanadio) |
| orientamento: | Sullo asse <0001> fuori dall'asse <0001> fuori da 4° | Resistenza: | 0.015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N) |
| Densità di micropipe (MPD): | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | TTV: | ≤ 25 μm |
| Evidenziare: | Wafer di carburo di silicio 4H-N,Wafer di carburo di silicio da 12 pollici,Wafer in carburo di silicio di 300 mm |
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Descrizione di prodotto
Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm 750±25um 4H-N tipo orientamento 100 Produzione grado di ricerca
L'abstract di un wafer SiC da 12 pollici
Questo wafer di carburo di silicio (SiC) da 12 pollici è progettato per applicazioni avanzate di semiconduttori, con un diametro di 300 mm, spessore di 750 ± 25 μm,con un'orientamento cristallino di tipo 4H-N con un politipo di 4H-SiCIl wafer è prodotto utilizzando tecniche di produzione di alta qualità per soddisfare gli standard di ambiente di ricerca e produzione.ad alta temperatura, e dispositivi ad alta frequenza, spesso utilizzati in applicazioni come veicoli elettrici (EV), elettronica di potenza e tecnologia RF.L'integrità strutturale superiore dei wafer e le specifiche precise garantiscono elevati rendimenti nella fabbricazione dei dispositivi, offrendo prestazioni ottimali nella ricerca di punta e nelle applicazioni industriali.
Grafico dei dati del Wafer SiC da 12 pollici
| 1 2Inch Carburo di silicio (SiC) Specifica del substrato | |||||
| Grado | Produzione ZeroMPD Grado ((Z Grado) |
Produzione standard Grado ((P Grado) |
Grado per finti (Grado D) |
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| Diametro | 3 0 0 mm | ||||
| Spessore | 4H-N | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | |||
| Orientazione dei wafer | Al di fuori dell'asse: 4,0° verso < 1120 > ± 0,5° per 4H-N, sull'asse: < 0001> ± 0,5° per 4H-SI | ||||
| Densità di micropipe | 4H-N | ≤ 0,4 cm-2 | ≤ 4 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | |
| 4H-SI | ≤ 5 cm-2 | ≤ 10 cm-2 | ≤ 25 cm-2 | ||
| Resistenza | 4H-N | 0.0150.024 Ω·cm | 0.0150.028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| Orientazione primaria piatta | {10-10} ± 5,0° | ||||
| Lunghezza piatta primaria | 4H-N | N/A | |||
| 4H-SI | Intaglio | ||||
| Esclusione di bordo | 3 mm | ||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 35 μm/≤ 55 μm | ≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 35 □ μm/≤ 55 □ μm | |||
| Roverezza | Ra≤1 nm polacco | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Fessure di bordo a causa della luce ad alta intensità Piastre esattoriche con luce ad alta intensità Aree politipiche per luce ad alta intensità Inclusioni di carbonio visivo La superficie del silicio è graffiata dalla luce ad alta intensità |
Nessuna Superficie cumulata ≤ 0,05% Nessuna Superficie cumulata ≤ 0,05% Nessuna |
Lunghezza cumulativa ≤ 20 mm, lunghezza singola ≤ 2 mm Superficie cumulata ≤ 0,1% Superficie cumulativa ≤ 3% Superficie cumulata ≤ 3% Lunghezza cumulativa ≤ 1 × diametro della wafer |
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| Chips di bordo con luce ad alta intensità | Nessuna ammissibile larghezza e profondità ≥ 0,2 mm | 7 consentiti, ≤ 1 mm ciascuno | |||
| (TSD)Dislocazione della vite di filettatura | ≤500 cm-2 | N/A | |||
| (BPD)Dislocazione del piano di base | ≤1000 cm-2 | N/A | |||
| SIlicon SuperficieContaminazione da luce ad alta intensità | Nessuna | ||||
| Imballaggio | Cassetta a più wafer o contenitore a wafer singolo | ||||
| Nota: | |||||
| 1 I limiti di difetto si applicano a tutta la superficie del wafer, ad eccezione della zona di esclusione dei bordi. 2 I graffi devono essere controllati solo sul lato Si. 3 I dati relativi alla lussazione provengono solo da wafer con incisione KOH. |
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La foto di un wafer SiC da 12 pollici.
Proprietà di un wafer SiC da 12 pollici
1.Proprietà materiali del SiC:
- Largo intervallo: Il SiC ha un ampio intervallo di banda (~ 3,26 eV), che gli consente di operare a tensioni, temperature e frequenze più elevate rispetto al silicio tradizionale (Si).
- Alta conduttività termica: La conduttività termica del SiC è molto superiore a quella del silicio (circa 3,7 W/cm·K), il che lo rende adatto ad applicazioni ad alta potenza in cui la dissipazione del calore è critica.
- Alta tensione di rottura: Il SiC può gestire tensioni molto più elevate (fino a 10 volte superiori a quelle del silicio), rendendolo ideale per l'elettronica di potenza, come transistor e diodi di potenza.
- Alta mobilità elettronica: La mobilità elettronica del SiC è superiore a quella del silicio tradizionale, contribuendo a tempi di commutazione più rapidi nei dispositivi elettronici.
2.Proprietà meccaniche:
- Alta durezza: Il SiC è molto duro (durezza di Mohs 9), il che contribuisce alla sua resistenza all'usura ma rende anche difficile la lavorazione e la lavorazione.
- Stignizia: ha un elevato modulo di Young, il che significa che è più rigido e più resistente rispetto al silicio, il che ne aumenta la robustezza nei dispositivi.
- Fragilità: Il SiC è più fragile del silicio, il che è importante considerare durante la lavorazione dei wafer e la fabbricazione dei dispositivi.
Applicazioni del Wafer SiC da 12 pollici
Le onde SiC da 12 pollici sono utilizzate principalmente in elettronica di potenza ad alte prestazioni, inclusi MOSFET di potenza, diodi e IGBT, consentendo una conversione efficiente dell'energia in settori comeveicoli elettrici,energia rinnovabile, esistemi di alimentazione industrialeL'elevata conduttività termica, l'ampia banda di separazione e la capacità di resistere alle alte temperature lo rendono ideale per applicazioni inelettronica automobilistica,inverter di potenza, esistemi energetici ad alta potenza. Il suo impiego indispositivi RF ad alta frequenza- esistemi di comunicazione a microonderende anche fondamentale per le telecomunicazioni, l'aerospaziale e i sistemi radar militari.
Inoltre, i Wafer SiC sono utilizzati inLED e optoelettronica, che servono da substrati perLED blu e UVLa sua resistenza in ambienti difficili consente il suo utilizzo insensori ad alta temperatura,dispositivi medici, esistemi di alimentazione satellitare. Con il suo ruolo crescentereti intelligenti,stoccaggio dell'energia, edistribuzione dell'energiaIl SiC contribuisce a migliorare l'efficienza, l'affidabilità e le prestazioni in una vasta gamma di applicazioni.
Domande e risposte su una wafer SiC da 12 pollici.
1.Cos'e' un wafer SiC da 12 pollici?
Risposta: un wafer SiC da 12 pollici è un substrato di carburo di silicio (SiC) con un diametro di 12 pollici, utilizzato principalmente nell'industria dei semiconduttori, in particolare per la produzione di alta potenza, alta temperatura,e applicazioni ad alta frequenzaI materiali SiC sono ampiamente utilizzati in elettronica di potenza, elettronica automobilistica e dispositivi di conversione dell'energia a causa delle loro eccellenti proprietà elettriche, termiche e meccaniche.
2.Quali sono i vantaggi di un wafer SiC da 12 pollici?
Risposta: I vantaggi di un wafer SiC da 12 pollici includono:
- Stabilità ad alta temperatura: Il SiC può funzionare a temperature fino a 600°C o superiori, offrendo prestazioni di alte temperature migliori rispetto ai materiali tradizionali a silicio.
- Manipolazione ad alta potenza: Il SiC può resistere ad alta tensione e corrente, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta potenza come la gestione delle batterie dei veicoli elettrici e le sorgenti di alimentazione industriali.
- Alta conduttività termica: Il SiC ha una conduttività termica significativamente superiore rispetto al silicio, il che contribuisce a una migliore dissipazione del calore, migliorando l'affidabilità e l'efficienza del dispositivo.