Wafer del carburo di silicio fabbrica, comprare di buona qualità Wafer del carburo di silicio prodotti dalla Cina

Si prega di lasciare la propria e-mail corretta e i requisiti dettagliati (20-3000 caratteri).

catagories

Contatti

Contatti:	Mr. Wang
Telefono:	+8615801942596

Contatto

Diametro di cristallo di semi di SiC 153mm 155mm 203mm 205mm 208mm PVT
Miglior prezzo
Cristalli di semi di SiC, in particolare quelli con diametri di 153, 155, 205, 203 e 208 mm
Miglior prezzo
Polvere HPSI SiC semi-isolatrice ad alta purezza/99,9999% Purezza Crescita cristallina
Miglior prezzo
SIC monocristallino conduttivo da 6 pollici su SIC composto policristallino
Miglior prezzo
Wafer SiC 12 pollici 300 mm Spessore 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Per Semiconduttore
Miglior prezzo
4h-N 100um polvere abrasiva di carburo di silicio per la crescita di cristalli SIC
Miglior prezzo
Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Substrato 750±25um Tipo 4H-N Orientazione 100 Grado di ricerca di produzione
Miglior prezzo
4H N tipo Semi tipo Wafer SiC 6 pollici 12 pollici Wafer SiC SiC substrato ((0001) doppio lato lucidato Ra≤1 nm personalizzazione
Miglior prezzo
Wafer SiC 4 pollici 12 pollici 4H N tipo Semi tipo di produzione di qualità di ricerca di qualità di dummy DSP personalizzazione
Miglior prezzo
8 pollici 12 pollici 4H-N Tipo Wafer SiC Spessore 500±25um 1000±50 N Doped Dummy Prime Research Grade
Miglior prezzo
Wafer SiC 2/3/4/6/8 /12 pollici 4H-N Tipo Z/P/D/R Grado
Miglior prezzo
Wafer SiC da 12 pollici 4H-N Dummy Research DSP SSP SiC Substrati Wafer Carburo di Silicio
Miglior prezzo
Spessore della wafer 4H-N SiC da 8 pollici 500±25μm O Doppia di produzione N-dopata personalizzata
Miglior prezzo
Wafer SiC di alta qualità 2/3/4/6/8 pollici 4H-N Tipo Z/P/D/R Grado non dopato
Miglior prezzo
SiC Wafer Epitaxial Silicon Carbide 4H 4inch 6inch High Resistivity Semiconductor Industria
Miglior prezzo