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Wafer SiC 12 pollici 300 mm Spessore 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade Per Semiconduttore
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4h-N 100um polvere abrasiva di carburo di silicio per la crescita di cristalli SIC
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Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Wafer Conduttiva Dummy Grade N-Type Research grade
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Wafer SiC da 12 pollici Wafer Carburo di silicio da 300 mm Substrato 750±25um Tipo 4H-N Orientazione 100 Grado di ricerca di produzione
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4H N tipo Semi tipo Wafer SiC 6 pollici 12 pollici Wafer SiC SiC substrato ((0001) doppio lato lucidato Ra≤1 nm personalizzazione
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Wafer SiC 4 pollici 12 pollici 4H N tipo Semi tipo di produzione di qualità di ricerca di qualità di dummy DSP personalizzazione
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8 pollici 12 pollici 4H-N Tipo Wafer SiC Spessore 500±25um 1000±50 N Doped Dummy Prime Research Grade
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Wafer SiC 2/3/4/6/8 /12 pollici 4H-N Tipo Z/P/D/R Grado
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Spessore della wafer 4H-N SiC da 8 pollici 500±25μm O Doppia di produzione N-dopata personalizzata
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SiC Substrato 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z Grado P Grado D Grado
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