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SIC monocristallino conduttivo da 6 pollici su SIC composto policristallino
Dettagli:
| Luogo di origine: | CINESE |
| Marca: | ZMSH |
Termini di pagamento e spedizione:
| Minimum Order Quantity: | 1 |
|---|---|
| Prezzo: | undetermined |
| Packaging Details: | foamed plastic＋carton |
| Delivery Time: | 4weeks |
| Payment Terms: | T/T |
| Capacità di alimentazione: | 1pcs/month |
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Informazioni dettagliate |
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| Tipo di prodotto: | Wafer epitaxiale SiC monocristallino (substrato composito) | Wafer Size: | 6 inches (150 mm) |
|---|---|---|---|
| Tipo del substrato: | Composto di SiC policristallino | Crystal Structure: | 4H-SiC or 6H-SiC Single Crystal |
| Evidenziare: | Wafer a carburo di silicio da 6 pollici,Wafer di carburo di silicio a cristallo singolo |
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Descrizione di prodotto
Il SiC monocristallino conduttivo da 6 pollici su un substrato composito di SiC policristallino
Riassunto del SiC monocristallino conduttivo da 6 pollici su un substrato composito di SiC policristallinoe
Il
SiC a monocristallo conduttivo da 6 pollici su policristalloIl substrato composito in linea SiC è un nuovo tipo di struttura di substrato semiconduttore.
Il suo nucleo consiste nel legame o nella crescita epitassiale di una pellicola sottile di SiC conduttiva monocristallina su un substrato policristallino di carburo di silicio (SiC).la sua struttura combina le elevate prestazioni del SiC monocristallino (come l'elevata mobilità del vettore e la bassa densità di difetti) con i vantaggi del basso costo e delle grandi dimensioni dei substrati di SiC policristallini.
È adatto per la produzione di dispositivi ad alta potenza e ad alta frequenza ed è particolarmente competitivo in applicazioni convenienti.i substrati policristallini di SiC sono preparati mediante processi di sinterizzazione, che abbassa il costo e consente dimensioni più grandi (come 6 pollici), ma la loro qualità cristallina è più scarsa e non adatta direttamente ai dispositivi ad alte prestazioni.
Tabella degli attributi, caratteristiche tecniche e vantaggi diIl SiC monocristallino conduttivo da 6 pollici su un substrato composito di SiC policristallino
Tabella degli attributi
| Articolo | Specificità |
| Tipo di prodotto | Wafer epitaxiale SiC monocristallino (substrato composito) |
| Dimensione del wafer | 6 pollici (150 mm) |
| Tipo di substrato | Composto di SiC policristallino |
| Spessore del substrato | 400 ‰ 600 μm |
| Resistenza del substrato | < 0,02 Ω·cm (tipo conduttore) |
| Dimensione del grano policristallino | 50 ‰ 200 μm |
| Spessore dello strato epitaxiale | 5 ‰ 15 μm (personalizzabile) |
| Tipo di doping dello strato epitexiale | Tipo N / tipo P |
| Concentrazione del vettore (Epi) | 1 × 1015 1 × 1019 cm−3 (facoltativo) |
| Roughness della superficie epitaxiana | < 1 nm (AFM, 5 μm × 5 μm) |
| Orientazione della superficie | 4° fuori asse (4H-SiC) o facoltativo |
| Struttura cristallina | 4H-SiC o 6H-SiC singolo cristallo |
| Densità di dislocazione della vite di filettatura (TSD) | < 5 × 104 cm−2 |
| Densità di dislocazione del piano basale (BPD) | < 5 × 103 cm−2 |
| Morfologia del flusso passo a passo | Chiara e regolare |
| Trattamento superficiale | Polito (pronto all'Epi) |
| Imballaggio | contenitori di wafer singoli, sigillati sotto vuoto |
Caratteristiche tecniche e vantaggi
Alta conduttività:
Le pellicole SiC monocristalline raggiungono una bassa resistività (< 10−3 Ω·cm) attraverso il doping (ad esempio, doping azoto per il tipo n), soddisfacendo i requisiti di bassa perdita per i dispositivi di potenza.
Alta conduttività termica:
Il SiC ha una conduttività termica più di tre volte superiore a quella del silicio, consentendo una dissipazione termica efficace adatta per ambienti ad alta temperatura come gli inverter EV.
Caratteristiche di alta frequenza:
L'elevata mobilità elettronica del SiC monocristallino consente la commutazione ad alta frequenza, compresi i dispositivi RF 5G.
Riduzione dei costi mediante substrati policristallini:
I substrati policristallini SiC sono prodotti con sinterizzazione a polvere, costano solo circa 1/5 a 1/3 dei substrati monocristallini e sono scalabili a 6 pollici o dimensioni maggiori.
Tecnologia di legame eterogeneo:
i processi di legame ad alta temperatura e alta pressione consentono di ottenere un legame a livello atomico tra il SiC monocristallino e le interfacce del substrato policristallino,evitando i difetti comuni nella crescita epitaxiale tradizionale.
Maggiore resistenza meccanica:
L'elevata robustezza dei substrati policristallini compensa la fragilità del SiC monocristallino, migliorando l'affidabilità del dispositivo.
Visualizzazione dell'immagine fisica
Processo di fabbricazione del SiC monocristallino conduttivo da 6 pollici su un substrato composito di SiC policristallino
Preparazione di substrato di SiC policristallino:
La polvere di carburo di silicio viene formata in substrati policristallini (~ 6 pollici) mediante sinterizzazione ad alta temperatura.
Crescita della pellicola SiC monocristallina:
Gli strati di SiC monocristallino sono coltivati epitassialemente sul substrato policristallino utilizzando la deposizione chimica di vapore (CVD) o il trasporto fisico di vapore (PVT).
Tecnologia di legame:
Il legame a livello atomico alle interfacce monocristalline e policristalline è ottenuto tramite legame metallico (ad esempio, pasta d'argento) o legame diretto (DBE).
Trattamento di ricottura:
L'anniazione ad alta temperatura ottimizza la qualità dell'interfaccia e riduce la resistenza al contatto.
Principali aree di applicazione diil SiC monocristallino conduttivo da 6 pollici su un substrato composito di SiC policristallino
Veicoli a nuova energia
- Invertitori principali: i MOSFET SiC monocristallini conduttori migliorano l'efficienza dell'inverter (riducendo le perdite dal 5% al 10%) e riducono dimensioni e peso. - Caricabatterie di bordo (OBC):Caratteristiche di commutazione ad alta frequenza riducono i tempi di ricarica e supportano le piattaforme ad alta tensione da 800 V.
Fornitura di energia industriale e fotovoltaica
- Invertitori ad alta frequenza: raggiungere un'efficienza di conversione più elevata (> 98%) nei sistemi fotovoltaici, riducendo il costo complessivo del sistema.
- Reti intelligenti: ridurre le perdite di energia nei moduli di trasmissione ad alta tensione di corrente continua (HVDC).
Aerospaziale e difesa
- Dispositivi resistenti alle radiazioni: la resistenza alle radiazioni del SiC ̊ monocristallino si adatta ai moduli di gestione dell'alimentazione satellitare.
- Sensori del motore: tolleranza ad alte temperature (> 300°C) semplifica la progettazione del sistema di raffreddamento.
RF e comunicazioni
- Dispositivi a onde millimetriche 5G: gli HEMT GaN basati su SiC a singolo cristallo forniscono uscite ad alta frequenza e alta potenza.
- Comunicazioni satellitari: substrati policristallini resistenti alle vibrazioni si adattano agli ambienti spaziali difficili.
Domande e risposte
D:Quanto è conduttivo un SiC monocristallino conduttivo da 6 pollici su un substrato composito policristallino?
A:Fonte di conduttività: la conduttività del SiC monocristallino è ottenuta principalmente dopando con altri elementi (come azoto o alluminio).risultante in diverse conduttività elettriche e concentrazioni di vettori.
Influenza del SiC policristallino: il SiC policristallino presenta in genere una conducibilità inferiore a causa di difetti e discontinuità del reticolo che ne influenzano le proprietà conduttive.in un substrato composito, la porzione policristallina può avere un certo effetto inibitore sulla conduttività complessiva.
Vantaggi della struttura composita:La combinazione di SiC monocristallino conduttivo con SiC policristallino può potenzialmente migliorare la resistenza complessiva alle alte temperature e la resistenza meccanica del materiale, ottenendo al contempo la conduttività desiderata grazie a una progettazione ottimizzata in determinate applicazioni.
Potenziale di applicazione: This composite structure is often used in high-power electronic devices and high-temperature environments because its excellent thermal and electrical conductivity make it suitable for operation under extreme conditions.
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