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Dettagli dei prodotti

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Substrato a semiconduttore
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Tipo di InAs Wafer Crystal Substrates N per MBE 99,9999% monocristallina

Tipo di InAs Wafer Crystal Substrates N per MBE 99,9999% monocristallina

Marchio: zmkj
Numero di modello: Arseniuro dell'indio (InAs)
MOQ: 3PCS
prezzo: by case
Dettagli dell' imballaggio: singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 1000 gradi
Condizioni di pagamento: T/T, Western Union
Informazione dettagliata
Luogo di origine:
La Cina
Certificazione:
ROHS
Materiale:
Substrato del wafer dell'arseniuro dell'indio (InAs)
Metodo di crescita:
La CZ
Dimensione:
2inch 3inch 4inch
Spessore:
300-800um
Applicazione:
Materiale diretto a semiconduttore del bandgap di III-V
Superficie:
Lucidato o inciso
Pacchetto:
singolo contenitore di wafer
Tipo:
N tipo e P tipo
Capacità di alimentazione:
500pcs
Evidenziare:

InAs Wafer Crystal Substrates

,

Tipo InAs Wafer di N

,

Substrato di MBE InAs

Descrizione di prodotto

2inch 3inch 4inch InAs Wafer Crystal Substrates N tipa per MBE 99,9999% monocristallina
 

Presenti del substrato di InAs

L'indio InAs o l'mono-arseniuro dell'indio è un semiconduttore composto di indio e di arsenico. Ha l'aspetto di un cristallo cubico grigio con un punto di fusione dell'arseniuro dell'indio 942°C. è usato per costruire i rivelatori infrarossi con una lunghezza d'onda di 1-3.8um. Il rivelatore è solitamente un fotodiodo fotovoltaico. I rivelatori di raffreddamento criogenici hanno più a basso rumore, ma i rivelatori di InAs possono anche essere usati per le applicazioni ad alta potenza alla temperatura ambiente. L'arseniuro dell'indio inoltre è usato per fare i laser a diodi. L'arseniuro dell'indio è simile all'arsenuro di gallio ed è un materiale diretto di intervallo di banda. L'arseniuro dell'indio a volte è usato con il fosfuro di indio. Lega con l'arsenuro di gallio per formare l'arsenico dell'indio - un materiale di cui l'intervallo di banda dipende dal rapporto di In/Ga. Questo metodo è pricipalmente simile al nitruro unente in lega dell'indio con il nitruro di gallio produrre il nitruro dell'indio. L'arseniuro dell'indio è conosciuto per la sue alta mobilità di elettrone e lacuna a banda stretta. È ampiamente usato come sorgente delle radiazioni del terahertz perché è un emettitore ambra-chiaro potente.

Caratteristiche del wafer di InAs:

* con alti mobilità di elettrone e rapporto di mobilità (μe/μh=70), è un materiale ideale per i dispositivi di corridoio.

* la MBE può svilupparsi con i materiali multi-epitassiali di GaAsSb, di InAsPSb e di InAsSb.

* il metodo di sigillatura liquido (CZ), assicura che la purezza del materiale possa raggiungere 99,9999% (6N).

* tutti i substrati precisamente sono lucidati e riempiti di atmosfera protettiva per soddisfare le richieste di Epi-pronto.

* selezione di cristallo di direzione: Un'altra direzione di cristallo è disponibile, per esempio (110).

* le tecniche di misura ottiche, come ellipsometry, assicurano una superficie pulita su ogni substrato.
 
Tipo di InAs Wafer Crystal Substrates N per MBE 99,9999% monocristallina 0

InAs Wafer Specifications
Fette del diametro2"3"
Orientamento(100) +/-0.1°(100) +/- 0.1°
Diametro (millimetri)50,5 +/- 0,576,2 +/- 0,4
Opzione pianaEJEJ
Tolleranza piana+/- 0.1°+/- 0.1°
Major Flat Length (millimetri)16 +/- 222 +/- 2
Lunghezza piana secondaria (millimetri)8 +/- 111 +/- 1
Spessore (um)500 +/- 25625 +/- 25
Specifiche del dopant ed elettriche
DopantTipo
Trasportatore
Concentrazione cm-3
Mobilità
cm^2•V^-1•s^-1
Undopedn tipo(1-3) *10^16>23000
A basso tenore di zolfon tipo(4-8) *10^1625000-15000
Ad azione sulfureon tipo(1-3) *10^1812000-7000
Zinco bassop tipo(1-3) *10^17350-200
Alto zincop tipo(1-3) *10^18250-100
E.P.D. cm^-22" <>3" <>
Specifiche di planarità
Forma del wafer2"3"
Polacco/incisoTTV (um)<12><15>
Pieghi (um)<12><15>
Deformi (um)<12><15>
Polacco/polaccoTTV (um)<12><15>
Pieghi (um)<12><15>
Deformi (um)<12><15>

Tipo di InAs Wafer Crystal Substrates N per MBE 99,9999% monocristallina 1Tipo di InAs Wafer Crystal Substrates N per MBE 99,9999% monocristallina 2Tipo di InAs Wafer Crystal Substrates N per MBE 99,9999% monocristallina 3Tipo di InAs Wafer Crystal Substrates N per MBE 99,9999% monocristallina 4

---FAQ –

Q: È voi una società per azioni o il produttore?

: lo zmkj è una società per azioni ma ha un produttore dello zaffiro
 come fornitore dei wafer dei materiali a semiconduttore per un ampio respiro delle applicazioni.

Q: Quanto tempo è il vostro termine di consegna?

: È generalmente dei 5-10 giorni se le merci sono in azione. o è dei 15-20 giorni se le merci non sono
in azione, è secondo la quantità.

Q: Fornite i campioni? è liberamente o extra?

: Sì, potremmo offrire la tassa del campione gratis ma non paghiamo il costo di trasporto.

Q: Che cosa è le vostre dilazioni di pagamento?

: Payment=1000USD<>,
50% T/T in anticipo, equilibrio prima della spedizione.
Se avete altra domanda, i pls si sentono libero per contattarci come qui sotto: