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Semi che isolano il substrato Undoped del wafer dell'arsenuro di gallio per il LED che accende 2inch 3inch 4inch
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | zmkj |
| Numero di modello: | SEMI 2inch |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 5pcs |
|---|---|
| Prezzo: | by case |
| Imballaggi particolari: | singolo wafer imballato in 6" scatola di plastica sotto N2 |
| Tempi di consegna: | 2-4weeks |
| Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | 500pcs al mese |
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Informazioni dettagliate |
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| Materiale: | Monocristallo di GaAs | Dimensione: | 4Inch |
|---|---|---|---|
| Spessore: | 625um o customzied | DI TIPO: | Del piano |
| Orientamento: | (100) 2°off | Superficie: | DSP |
| metodo di crescita: | VFG | ||
| Evidenziare: | Wafer Undoped a 4 pollici dell'arsenuro di gallio,Semi che isolano il substrato di GaAs,LED che accende il wafer dell'arsenuro di gallio |
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Descrizione di prodotto
tipo wafer di 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N di GaAs dell'arsenuro di gallio di /Si-doped dell'semi-isolamento
Descrizione di prodotto
Il nostro 2' “a 6" “cristallo semiconduttore & d'isolamento & wafer di GaAs è utilizzato sfrenatamente nell'applicazione del circuito integrato a semiconduttore & nell'applicazione d'accensione generale del LED.
| Caratteristica | Campo di applicazione |
|---|---|
| Alta mobilità di elettrone | Diodi luminescenti |
| Alta frequenza | Diodi laser |
| Alta efficienza di conversione | Dispositivi fotovoltaici |
| Basso consumo energetico | Alto transistor di mobilità di elettrone |
| Intervallo di banda diretto | Transistor bipolare di Heterojunction |
Specifiche del wafer semiconduttore di GaAs
Metodo di crescita | VGF | |||
Dopant | p tipo: Zn | n tipo: Si | ||
Forma del wafer | Giro (diametro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientamento di superficie * | (100) ±0.5° | |||
* altri orientamenti forse disponibili su richiesta | ||||
Dopant | Si (n tipo) | Zn (p tipo) | ||
Concentrazione in trasportatore (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0.5-5) × 1019 | ||
Mobilità (cm2/V.S.) | × 103 (di 1-2.5) | 50-120 | ||
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) | 100-5000 | 3,000-5,000 | ||
Diametro del wafer (millimetri) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | |
Spessore (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
FILO DI ORDITO (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
DI (millimetri) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | |
DI/SE (millimetri) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Specifiche di semi-isolamento del wafer di GaAs
Metodo di crescita | VGF | |||
Dopant | Tipo di SI: Carbonio | |||
Forma del wafer | Giro (diametro: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientamento di superficie * | (100) ±0.5° | |||
* altri orientamenti forse disponibili su richiesta | ||||
Resistività (Ω.cm) | × 107 del ≥ 1 | × 108 del ≥ 1 | ||
Mobilità (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 | ||
Densità del passo incissione all'acquaforte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 | ||
Diametro del wafer (millimetri) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
Spessore (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
FILO DI ORDITO (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
DI (millimetri) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | TACCA |
DI/SE (millimetri) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
Polish* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, TNT, UPS, lo SME, SF ed ecc.
(2) se avete vostro proprio numero preciso, è grande.
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(1) per l'inventario, il MOQ è 5pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-20pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche
Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di dettaglio per i nostri prodotti.
Imballaggio – Logistcs
interessiamo ciascuno dettagli del pacchetto, pulizia, antistatica, trattamento d'urto. Secondo la quantità e la forma del prodotto,
prenderemo un processo d'imballaggio differente!