substrato dello zaffiro

• Grado zero a 4 pollici a 3 pollici a 2 pollici di Sapphire Wafers For Optical Thickness 400um DSP SSP
• monocristallo Al2O3 di 3Inch Sapphire Substrate Wafer DSP SSP 0.5mm
• trasmissione ottica DSP/SSP Sapphire Substrate Wafer R della finestra a 3 pollici di asse di 430um alta
• Lato a 4 pollici di spessore 2 del substrato 100um 0.1mm delle finestre dello zaffiro del wafer dello zaffiro 3 ultra sottili il doppio ha lucidato i wafer

Gem Stone sintetico

• Er: YAG Cristalli Erbio dopato Yttrio Aluminio Granato Cristallo Paraiba Blu Laboratorio Prodotto Gemma grezza
• LSO cristallo di ossiortosilicato di lutezio eccellente risoluzione temporale per la ricerca di immagini molecolari PET
• Cr:YAG ce+ doped yag laser crystal Laser Systems
• Cristale di LSO di Ossortosilicato di Lutezio Alta efficienza di scintillazione per PET SPECT

Zaffiro Windows ottico

• Il cuscinetto ad alta temperatura dello zaffiro del pozzo cieco delle componenti dello zaffiro della resistenza si separa il foro
• Osservazione Sapphire Glass Window dell'attrezzatura con il foro di punto
• Punto sintetico monocristallino di Sapphire Optical Windows Glass With
• Ugelli vermigli del cuscinetto dello zaffiro di durezza 9,0/zaffiro/guarnizione dello zaffiro/rondella dello zaffiro dalla dimensione su misura

Wafer del carburo di silicio

• Alta resistività Wafer di carburo di silicio da 8 pollici 200 mm di produzione di grado 4H-N
• 4H/6H Wafer a carburo di silicio semisolatore per la produzione/ricerca/classi fittizia
• Semi isolante Wafer in carburo di silicio SiC Sottostrato orientamento 0001 Arco/Warp ≤50um
• Semi-isolatore di wafer in carburo di silicio ad alta resistività per applicazioni a basse particelle

Sapphire Tube

• Componenti dello zaffiro di resistenza della corrosione che sopportano guarnizione con tolleranza ±0.03mm del foro
• Resistenza di Precision Air del sensore di pressione di Rod della valvola di Jewe delle componenti dello zaffiro di durezza 9,0
• 1 ago policristallino monocristallino dell'elettrodo di scarico di Rohi del silicio delle componenti dello zaffiro di *11mm

Substrato a semiconduttore

• 6 pollici 8 pollici SIO2 diossido di silicio Wafer spessore 10um-25um Superficie Micromachining
• Wafer di silicio di alta purezza alta conduttività termica 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici
• GaP Wafer Gallium Phosphide Orientazione a cristallo singolo (111)A 0°±0.2 Cellule solari
• Wafer GaP da 2 pollici con posizione/lunghezza EJ 0-1-1 / 16±1 mm LED LD Mobilità Min 100