Zinco monocristallino sottile superconduttore di orientamento del substrato 10X10mm del monocristallo
Dettagli:
Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | zmkj |
Numero di modello: | ZnO |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 10pcs |
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Prezzo: | by case |
Imballaggi particolari: | singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi |
Tempi di consegna: | 2-quattro settimane |
Termini di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Capacità di alimentazione: | bimettalico |
Informazioni dettagliate |
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Materiale: | Substrato del cristallo di ZnO | Dimensione comune: | 10x10 20x20 |
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Orientamento: | <0001> | colore: | INCOLORE |
Spessore comune: | 500um | Nome del prodotto: | substrato del monocristallo |
Evidenziare: | Ossido di magnesio,superconduttori ad alta temperatura |
Descrizione di prodotto
substrato <0001> del monocristallo di ZnO dell'ossido di zinco di orientamento 10X10mm/20x20/5x5mmt
Nome di prodotto: Substrato di cristallo dell'ossido di zinco (ZnO)
Descrizione di prodotto: Il substrato di cristallo dell'ossido di zinco (ZnO) è ampiamente usato nel substrato epitassiale di GaN (LED blu), nei dispositivi di collegamento della vasta banda ed in altri campi.
Parametri tecnici:
Sistema cristallino |
Esagonale; a = 3,325 Å c = 5.213Å |
Punto di fusione (°C) | 1975 |
Densità (g/cm 3) | 5,605 |
Capacità termica (J/gk) | 0,125 |
Coefficiente di espansione termica (10 -6/K) |
6.5 / /a; 3,7//c
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Conducibilità termica (con m.kat 300K) | 30 |
Lunghezza d'onda della trasmissione (μm) | 0,4 ~ 0,6 |
Indice di rifrazione |
1,922 (o); 1,936 (e)
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Specifiche:
Metodo di crescita: metodo idrotermale; Dimensione massima: 20x20x10mm; Nota: Potete anche personalizzare secondo l'orientamento e la dimensione speciali della domanda di cliente.
Imballaggio di norma: borsa pulita 1000 stanza pulita, 100 o singolo imballaggio della scatola
Applicazione:
Il materiale di ZnO è un ampio materiale a semiconduttore del bandgap con l'intervallo di banda diretto. È un cristallo multifunzionale con luminescente, elettroottico, la scintillazione, il semiconduttore ed altre proprietà. È un materiale chiave eccellente per i film di GaN, di ZnO ed i dispositivi epitassiali. I dispositivi luminescenti a onde corte quali il LED e LDs hanno grande potenziale di sviluppo e si sono trasformati in in un altro punto caldo della ricerca nel campo di ampi-bandgap semiconduttori dopo GaN.
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FAQ
Q. Avete di azione del wafer o dei lingotti?
sì, 3inch aslike, wafer comuni dei substrati di dimensione 4inch sono in azione.
Q. Dove la vostra società è individuata?
La nostra società situata a Schang-Hai, Cina. la fabbrica è nella città di wuxi.
Q. quanto tempo prenderà per ottenere i prodotti?
Richiederà generalmente 1~4 settimane al processo e poi alla consegna.
È dipende dalla quantità e dalla dimensione dei prodotti.
Q: Come circa il termine & la consegna di paga?
T/T 50%deposit e parte sinistra prima della consegna dalla CATENA DELL'OROLOGIO.