3Inch R-asse 76.2mm Al2O3 Sapphire Crystal Wafers Custom Sapphire Glass SSP 0.43mm
Dettagli:
Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | zmkj |
Numero di modello: | 3inch |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 10pcs |
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Prezzo: | by case |
Imballaggi particolari: | in contenitore di wafer della cassetta 25pcs nell'ambito della stanza di pulizia 100grade |
Tempi di consegna: | 3-5weeks |
Termini di pagamento: | T / T, Western Union, MoneyGram |
Capacità di alimentazione: | 1000pcs al mese |
Informazioni dettagliate |
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materiale: | monocristallo dello zaffiro | orientamento: | c-asse |
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superficie: | ssp o dsp | spessore: | 0.325mm o su misura |
applicazione: | vetro principale o ottico | metodo di crescita: | le KY |
Evidenziare: | Wafer dello zaffiro,substrato di silicio |
Descrizione di prodotto
wafer dello zaffiro SSP/DSP dell'C-aereo/6inch dia150mm di m.-asse di 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/a-axis/r-axis/6" con spessore 650um/1000um
Cristallo di zaffiro circa sintetico
Sapphire Properties
GENERALITÀ | |||||
Formula chimica | Al2O3 | ||||
Crystal Stucture | Sistema esagonale ((la HK o 1) | ||||
Dimensione delle cellule di unità | a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c: a=2.730 | ||||
FISICO MEDICA | |||||
Metrico | Inglese (imperiale) | ||||
Densità | 3,98 g/cc | 0,144 lb/in3 | |||
Durezza | 1525 - 2000 Knoop, 9 mhos | 3700° F | |||
Punto di fusione | 2310 K (2040° C) | ||||
STRUTTURALE | |||||
Resistenza alla trazione | MPa 275 al MPa 400 | 40.000 - 58.000 PSI | |||
a 20° | MPa 400 | 58.000 PSI (progettazione minuto) | |||
a 500° C | MPa 275 | 40.000 PSI (progettazione minuto) | |||
a 1000° C | MPa 355 | 52.000 PSI (progettazione minuto) | |||
Stength flessionale | MPa 480 al MPa 895 | 70.000 - 130.000 PSI | |||
Resistenza a compressione | 2,0 GPa (ultimo) | (ultimo) 300.000 PSI |
Il procedimento di Kyropoulos (processo delle KY) per la crescita dei cristalli dello zaffiro attualmente è utilizzato da molte società in Cina per produrre lo zaffiro per le industrie dell'ottica e di elettronica.
L'ossido di grande purezza e di alluminio è fuso in un crogiolo centigrado ad oltre 2100 gradi. Il crogiolo è fatto tipicamente di tungsteno o di molibdeno. Un a cristallo di seme precisamente orientato è immerso nell'allumina fusa. L'a cristallo di seme è tirato lentamente verso l'alto e può essere girato simultaneamente. Precisamente controllando i gradienti geotermici, il tasso di trazione ed il tasso di diminuzione della temperatura, è possibile produrre un grande, lingotto monocristallino e approssimativamente cilindrico dalla colata.
Dopo lo zaffiro di monocristallo i boules si sviluppano, centro-sono perforati nei coni retinici cilindrici, i coni retinici sono affettati su in spessore desiderato della finestra ed infine sono lucidati alla finitura superficia desiderata.
Uso come substrato per i circuiti semiconduttori
I wafer sottili dello zaffiro erano il primo riuscito uso di un substrato d'isolamento sopra cui depositare il silicio per rendere i circuiti integrati noti come silicio su zaffiro o «sul SOS», oltre alle sue proprietà d'isolamento elettriche eccellenti, lo zaffiro ha alta conducibilità termica. I chip di CMOS su zaffiro sono particolarmente utili per le applicazioni ad alta potenza di radiofrequenza (rf) come quelli trovati in telefoni cellulari, nelle radio della banda di pubblica sicurezza e nei sistemi di telecomunicazione via satellite.
I wafer di zaffiro monocristallino inoltre sono utilizzati nell'industria a semiconduttore come substrati per la crescita dei dispositivi basati sul nitruro di gallio (GaN). L'uso di zaffiro riduce significativamente il costo, perché ha circa un settimo del costo di germanio. Il nitruro di gallio su zaffiro è comunemente usato in diodi a emissione luminosa blu (LED).
Usato come materiale della finestra
Lo zaffiro sintetico (a volte citato come vetro dello zaffiro) è comunemente usato come materiale della finestra, perché è sia altamente trasparente alle lunghezze d'onda di luce fra 150 nanometro (UV) che 5500 il nanometro (IR) (lo spettro visibile estende circa 380 nanometro fino 750 nanometro e straordinario graffio-resistente. I benefici chiave delle finestre dello zaffiro sono:
* canale di trasmissione ottico molto ampio da UV a vicino all'infrarosso
* significativamente più forti di altri materiali ottici o finestre di vetro
* altamente resistente al graffio ed all'abrasione (9 sulla scala di Mohs della scala minerale di durezza, alla terza sostanza naturale più dura accanto a moissanite ed ai diamanti)
* temperatura estremamente ad elevato punto di fusione (°C) 2030
Wafer standard wafer SSP/DSP dello zaffiro dell'C-aereo da 2 pollici
wafer SSP/DSP dello zaffiro dell'C-aereo da 3 pollici wafer SSP/DSP dello zaffiro dell'C-aereo da 4 pollici Wafer a 6 pollici SSP/DSP dello zaffiro dell'C-aereo |
Taglio speciale
1120) wafer dello zaffiro dell'Un-aereo ( 1102) wafer dello zaffiro dell'R-aereo ( 1010) wafer dello zaffiro dell'M.-aereo ( 1123) wafer dello zaffiro dell'N-aereo ( C-asse con un ritaglio di carta di 0.5°~ 4°, verso l'Un-asse o l'M.-asse L'altro orientamento su misura |
Dimensione su misura
wafer dello zaffiro di 10*10mm wafer dello zaffiro di 20*20mm Wafer ultra sottile dello zaffiro (100um) wafer dello zaffiro da 8 pollici |
Sapphire Substrate modellata (PSS)
un C-aereo PSS da 2 pollici un C-aereo PSS da 4 pollici |
2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt C-asse 0.2/0.43mm di SSP (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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3inch |
C-asse 0.43mm/0.5mm di DSP/SSP
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4Inch |
dsp c-asse 0.4mm/0.5mm/1.0mm c-asse 0.5mm/0.65mm/1.0mmt dello ssp
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6inch |
c-asse 1.0mm/1.3mmm dello ssp
c-asse 0.65mm/0.8mm/1.0mmt del dsp
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Specificazione per i substrati
Oggetto | Parametro | Spec. | Unità | ||
1 | Nome di prodotto | Sapphire Wafer (Al2O3) | |||
2 | Diametro | 2" | 4" | 6" | millimetro |
3 | Spessore | 430± 25 | 650± 25 | ± 1000 25 | μm |
4 | Orientamento di superficie | L'C-aereo (0001) ha inclinato l'M.-asse 0.2°/0.35°± 0.1° | grado | ||
5 | Piano primario | ± 0.2° di Un-asse (11-20) | grado | ||
Lunghezza di orientamento | 16 ± 0,5 | 31 ± 1,0 | 47,5 ± 2,0 | millimetro | |
6 | TTV | < 10=""> | < 10=""> | < 25=""> | μm |
7 | Arco | -10 ~ 0 | -15 ~ 0 | -30 ~ 0 | μm |
8 | Filo di ordito | 10 | 20 | 30 | μm |
9 | Rugosità Front Side | 0,5 | 0,5 | 0,5 | nanometro |
10 | Lato posteriore di rugosità | 1,0 ± 0,3 | μm | ||
11 | Bordo del wafer | R tipo o T tipo | |||
12 | Segno del laser | Personalizzi |
I prodotti dettagliano
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