Wafer su misura del nitruro di gallio di dimensione 5x10mm m. Axis Free Standing HVPE
Dettagli:
Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | zmkj |
Numero di modello: | m.-asse di 5x10mm |
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: | 10PCS |
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Prezzo: | 500usd/pc |
Imballaggi particolari: | singola cassa del wafer dall'imballaggio sotto vuoto |
Tempi di consegna: | 1-5weeks |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union |
Capacità di alimentazione: | 50pcs al mese |
Informazioni dettagliate |
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Materiale: | Monocristallo di GaN | dimensione: | 5x10mmt |
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spessore: | 0.35mm | tipo: | Si tipo/undoped, Fe-verniciato, |
Applicazione: | Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere | Crescita: | HVPE |
superficie: | SSP o DSP | Orientamento: | m.-asse |
pacchetto: | singolo contenitore del wafer | ||
Evidenziare: | Wafer del nitruro di gallio di HVPE,Wafer di m. Axis Gallium Nitride,Wafer gan di m. Axis |
Descrizione di prodotto
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wafe indipendente su misura del substrato di m.-asse HVPE GaN di dimensione 5x10mm
GaN Wafer Characteristic
- III-nitruro (GaN, AlN, locanda)
Il nitruro di gallio è un genere di semiconduttori composti di ampio-Gap. Il substrato del nitruro di gallio (GaN) è
un substrato monocristallino di alta qualità. È fatto con il metodo originale di HVPE e la tecnologia della trasformazione del wafer, che originalmente è stata sviluppata per 10+years in Cina. Le caratteristiche sono l'alta uniformità cristallina e buona e qualità di superficie superiore. I substrati di GaN sono usati per molti generi di domande, di LED bianco ed il LD (viola, blu e verde) ancora, lo sviluppo ha progredito per potere e le applicazioni ad alta frequenza dell'apparecchio elettronico.
La larghezza di banda severa (luminescente ed assorbimento) riguarda la luce e l'infrarosso ultravioletti e visibili.
Applicazioni
GaN può essere utilizzato in molte aree quali l'esposizione di LED, la rilevazione ad alta energia e la rappresentazione,
Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc.
- Dispositivi ad alta frequenza rilevazione ad alta energia di a microonde ed immaginare
- Nuova rilevazione dell'ambiente di tecnologia dell'idrogeno di solor di energia e medicina biologica
- Banda del terahertz di sorgente luminosa
- Esposizione della proiezione del laser, dispositivo di potere, ecc. Stoccaggio della data
- Illuminazione di ottimo rendimento Esposizione di fla di colore pieno
- Laser Projecttions Apparecchi elettronici alti- di efficienza
GaN Substrates Specification indipendente
La nostra visione di impresa di Factroy
forniremo il substrato di GaN di alta qualità e la tecnologia dell'applicazione per l'industria la nostra fabbrica.
L'alta qualità GaNmaterial è il fattore di repressione per l'applicazione dei III-nitruri, per esempio lunga vita
ed alta stabilità LDs, alto potere ed alti dispositivi di a microonde di affidabilità, alta luminosità
ed alta efficienza, LED economizzatore d'energia.
Dettaglio di consegna
- FAQ –
Q: Che cosa potete assicurare la logistica ed il costo?
(1) accettiamo DHL, Fedex, TNT, UPS, lo SME, SF ed ecc.
(2) se avete vostro proprio numero preciso, è grande.
Se non, potremmo assistervi per consegnare. Freight=USD25.0 (il primo peso) + USD12.0/kg
Q: Che cosa è il termine di consegna?
(1) per i prodotti standard quale il wafer di 2inch 0.35mm.
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo ordine.
Per i prodotti su misura: la consegna è 2 o 4 settimane lavorative dopo ordine.
Q: Come pagare?
100%T/T, Paypal, unione ad ovest, MoneyGram, pagamento sicuro ed assicurazione commerciale.
Q: Che cosa è il MOQ?
(1) per l'inventario, il MOQ è 1pcs.
(2) per i prodotti su misura, il MOQ è 5pcs-10pcs.
Dipende dalla quantità e dalle tecniche.
Q: Avete rapporto d'ispezione per materiale?
Possiamo fornire il rapporto di ROHS e raggiungere i rapporti per i nostri prodotti.