• Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale
  • Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale
  • Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale
  • Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale
  • Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale
Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale

Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale

Dettagli:

Luogo di origine: CINESE
Marca: ZMSH
Numero di modello: Tavolo/piatto/wafer in ceramica SiC

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 25
Prezzo: undetermined
Imballaggi particolari: plastica schiumosa + cartone
Tempi di consegna: 2-4weeks
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000 PCS/settimana
Miglior prezzo Contatto

Informazioni dettagliate

Conduttività termica: Eccellente dissipazione del calore, garantisce un controllo uniforme della temperatura nei processi High-Temperature Stability: Can withstand temperatures up to 2,700°C, making it ideal for high-heat environments.
Risistenza all'usura: Alta durezza e durata, ideale per manipolazioni ripetute e sollecitazioni meccaniche.
Evidenziare:

ICP processo di incisione vassoio ceramico

,

Tavolo in ceramica per il trattamento della crescita epitexiana

,

Piastra ceramica per il trattamento della crescita epitexiana

Descrizione di prodotto

Contenitore di vassoio ceramico/piastra/wafer SiC per il processo di incisione ICP utilizzato nel trattamento della crescita epitaxiale

 

 

Riassunto dei vassoi in ceramica a carburo di silicio

 

 

I vassoi in ceramica a carburo di silicio (SiC) sono materiali ad alte prestazioni ampiamente utilizzati in industrie che richiedono durata, stabilità ad alta temperatura e eccellente conduttività termica.nota per la sua durezza superiore, resistenza all'usura, inerzia chimica e resistenza agli urti termici, li rendono ideali per applicazioni impegnative come la produzione di semiconduttori, la movimentazione dei materiali e i processi ad alta temperatura.Questi vassoi sono particolarmente adatti per l'uso in processi di fabbricazione di semiconduttori come l'incisione ICP (Plasma accoppiato induttivamente) e la crescita epitassiale,quando il controllo preciso della temperatura e l'integrità del materiale sono fondamentali.

 


Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale 0

 

Proprietà dei vassoi in ceramica SiC

 

I vassoi in ceramica SiC sono progettati per soddisfare gli elevati standard richiesti in settori come la produzione di semiconduttori e la movimentazione dei materiali.

 

1.Alta conduttività termica

 

Il SiC ha una delle più alte conduttività termiche tra le ceramiche, che consente ai vassoi di SiC di dissipare efficacemente il calore durante i processi ad alta temperatura.In industrie come l'incisione dei semiconduttori e la crescita epitaxiale, in cui è fondamentale un controllo preciso della temperatura, la conduttività termica del SiC® garantisce che il materiale possa resistere e funzionare a temperature elevate senza degradarsi.

 

2. Ottima resistenza all'usura

 

La durezza intrinseca del SiC gli conferisce un'eccezionale resistenza all'usura e all'abrasione.come nella movimentazione dei waferI vassoi in SiC sono resistenti e di lunga durata, rendendoli una scelta affidabile per l'uso ripetuto in applicazioni industriali.

 

3- Resistenza alla corrosione e alle sostanze chimiche

 

Il SiC è altamente resistente alla corrosione e agli attacchi chimici, rendendolo adatto per l'uso in ambienti in cui altri materiali potrebbero degradarsi.e altre sostanze corrosive comunemente presenti nei processi di incisione dei semiconduttori o nella lavorazione chimica.

 

4Stabilità ad alta temperatura

 

Il SiC mantiene la sua integrità strutturale anche a temperature estremamente elevate.I vassoi in ceramica SiC possono resistere alle alte temperature riscontrate in processi come l'incisione ICP (Plasma accoppiato induttivamente) e la crescita epitaxiale, che spesso funzionano a temperature superiori a 1.000°C. Questa tolleranza ad alte temperature garantisce che i vassoi di SiC non si deformino o deformino in condizioni estreme.

 

5Isolamento elettrico

 

Le ceramiche SiC sono isolanti elettricamente, il che le rende ideali per l'uso in ambienti di lavorazione dei semiconduttori, dove le proprietà elettriche sono cruciali.come la manipolazione delle wafer durante la deposizione o l'incisione, le proprietà di isolamento elettrico del SiC possono aiutare a prevenire interferenze elettriche indesiderate.

 

Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale 1

 


Applicazioni dei vassoi in ceramica SiC

 

I vassoi in ceramica SiC sono utilizzati in una varietà di industrie, in particolare quelle che richiedono stabilità ad alta temperatura, resistenza all'usura e resistenza chimica.:

 

1Industria dei semiconduttori

 

Nell'industria dei semiconduttori, i vassoi in ceramica SiC sono ampiamente utilizzati per la manipolazione dei wafer, in particolare nei processi di incisione e di crescita epitaxiale.una tecnica ampiamente utilizzata per la modellazione di film sottiliI vassoi in SiC sono ideali per questo processo, in quanto forniscono un'eccellente gestione termica, riducendo al minimo i danni legati al calore ai wafer.

 

I vassoi di SiC sono anche essenziali nel processo di crescita epitassiale, in cui sottili strati di materiale vengono depositati su un substrato.che è fondamentale per ottenere una crescita uniforme e strati di alta qualità su carburo di silicio o wafer di silicio.

 

2. Manipolazione dei materiali

 

I vassoi in ceramica SiC sono utilizzati per la movimentazione e il trasporto di materiali in ambienti ad alta temperatura, ad esempio nella produzione di ceramiche ad alte prestazioni, metalli,e compositiI vassoi in SiC forniscono una soluzione robusta per il movimento di materiali in forni, forni e altri ambienti estremi.

 

3Produzione di LED e celle solari

 

Le proprietà del SiC ∆ sono particolarmente preziose nella produzione di LED e celle solari.rendendo i vassoi in ceramica SiC un materiale ideale per la movimentazione e il supporto dei substrati durante le varie fasi di produzioneAllo stesso modo, nella fabbricazione di celle solari, i vassoi di SiC sono utilizzati per gestire i wafer durante processi come il doping e l'incisione.

 

 

Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale 2

 

4Aerospaziale e automobilistico

 

I vassoi in ceramica SiC sono utilizzati anche in applicazioni aerospaziali e automobilistiche in cui le prestazioni ad alte temperature sono critiche.Componenti che devono resistere a condizioni estreme, come quelle delle turbine, motori a razzo e sistemi di frenatura ad alte prestazioni beneficiano dell'uso di materiali a base di SiC.Questi vassoi supportano la movimentazione e la lavorazione di materiali che devono essere conservati a temperature e ambienti specifici durante la produzione o le prove.

 

 

Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale 3

 


Vantaggi dei vassoi in ceramica SiC

 

1. Maggiore efficienza

 

L'elevata conduttività termica del SiC assicura che il calore sia dissipato in modo efficiente, evitando danni termici ai componenti sensibili durante processi come l'incisione e la crescita.Questo porta a risultati più precisi e coerenti, aumentando l'efficienza generale delle linee di produzione.

 

2. Redditivo

 

Sebbene il SiC sia un materiale di prima qualità, la sua durata e la sua lunga durata riducono la necessità di sostituzioni frequenti.la loro longevità e prestazioni aiutano a ridurre i tempi di fermo e i costi di manutenzione.

 

3Controllo dei processi migliorato

 

L'uso di vassoi di SiC in applicazioni di lavorazione ad alta temperatura e di semiconduttori consente un migliore controllo dell'ambiente,garantire che i wafer o i substrati siano sottoposti a condizioni ottimaliCiò porta a prodotti di migliore qualità, cosa particolarmente importante in settori come la produzione di semiconduttori, dove precisione e qualità sono fondamentali.

 

4. Resistenza ambientale

 

La resistenza del SiC ̊ alla corrosione, all'ossidazione,e danni chimici assicurano che i vassoi in ceramica SiC possano resistere alle dure condizioni spesso incontrate nella fabbricazione di semiconduttori e in altre industrie ad alta tecnologiaQuesta resistenza ambientale contribuisce alla longevità e all'affidabilità dei vassoi nelle applicazioni più impegnative.

 

Conclusioni

 

I vassoi in ceramica SiC rappresentano un componente vitale per le industrie che richiedono materiali ad alte prestazioni in grado di resistere a condizioni estreme.stabilità chimica, e tolleranza alle alte temperature li rendono indispensabili nella produzione di semiconduttori, nella manipolazione dei materiali e in numerose altre applicazioni.e precisioneI vassoi in ceramica SiC forniscono ai produttori una soluzione affidabile e duratura che aiuta a migliorare il controllo dei processi e la qualità dei prodotti.Mentre le industrie continuano a richiedere prestazioni più elevate e materiali più resistenti, l'uso di vassoi in ceramica SiC continuerà a crescere in importanza in vari settori ad alta tecnologia.

 

 

Domande e risposte

 

 

D:I vassoi in ceramica SiC possono essere personalizzati?

 

 

A: Sì, i vassoi in ceramica SiC possono essere personalizzati per soddisfare requisiti specifici, tra cui dimensione, forma e finitura superficiale.come la movimentazione dei wafer, il trasporto del substrato o condizioni specifiche di incisione e crescita.

 

 

# Carburo di silicio (SiC) # vassoi ceramici # materiali ad alta temperatura # produzione di semiconduttori # incisione ICP # crescita epiteliale

#Resistenza all'usura #Conduttività termica #Resistenza chimica #Manipolazione dei materiali

Vuoi conoscere maggiori dettagli su questo prodotto
Sono interessato a Tenitore di wafer per piastre in vassoio ceramico SiC per il processo di incisione ICP nella lavorazione della crescita epitaxiale potresti inviarmi maggiori dettagli come tipo, dimensione, quantità, materiale, ecc.
Grazie!
Aspettando la tua risposta.