Wafer in carburo di silicio da 4 pollici, tipo 4H-N, spessore 350um, substrato SiC

4 polliciWafer al carburo di silicio 4H-NSubstrato SiC da 350um di spessore

Introduzione dei wafer al carburo di silicio da 4 pollici:

   Il mercato dei wafer SiC (carburo di silicio) da 4 pollici è un segmento emergente nell'industria dei semiconduttori, guidato dalla crescente domanda di materiali ad alte prestazioni in varie applicazioni. I wafer SiC sono rinomati per l'eccellente conducibilità termica, l'elevata intensità di campo elettrico e l'eccezionale efficienza energetica. Queste caratteristiche li rendono particolarmente adatti per l'uso nell'elettronica di potenza, nelle applicazioni automobilistiche e nelle tecnologie delle energie rinnovabili. Il wafer SiC di tipo 4H-N da 4 pollici è un substrato di carburo di silicio conduttivo di alta qualità basato sulla struttura cristallina del politipo 4H. Caratterizzato da un'ampia banda proibita, un elevato campo elettrico di rottura, un'eccellente conducibilità termica e un'elevata mobilità degli elettroni, è ideale per la produzione di dispositivi di potenza ad alta tensione, alta frequenza e alta temperatura, come MOSFET, diodi Schottky, JFET e IGBT. È ampiamente utilizzato nei nuovi sistemi energetici, nei veicoli elettrici, nelle reti intelligenti, nelle comunicazioni 5G e nelle applicazioni aerospaziali.

Vantaggi principali dei wafer al carburo di silicio da 4 pollici:

Elevata tensione di rottura – Fino a 10× quella del silicio, ideale per dispositivi ad alta tensione.

Bassa resistenza di accensione – L'elevata mobilità degli elettroni consente una commutazione più rapida e minori perdite.

Eccellente conducibilità termica – Circa 3× superiore a quella del silicio, garantendo l'affidabilità del dispositivo sotto carico elevato.

Funzionamento ad alta temperatura – Prestazioni stabili oltre i 600°C.

Qualità superiore del cristallo – Bassa densità di micropipe e dislocazioni, superficie eccellente per la crescita epitassiale.

Opzioni personalizzabili – Disponibile con drogaggio, spessore e finitura superficiale su misura per specifici processi di dispositivo.

Parametri dei wafer ZMSH SiC e raccomandazione del prodotto:

Carburo di silicio da 6 pollici(SiC) Wafer per occhiali AR MOS SBD come riferimento

Applicazioni dei wafer al carburo di silicio:

   Il wafer al carburo di silicio (SiC) è uno dei materiali semiconduttori di terza generazione, caratterizzato da elevata capacità di potenza, bassa perdita di energia, alta affidabilità e bassa generazione di calore. Può essere utilizzato in ambienti ad alta tensione e gravosi superiori a 1200 volt, ed è ampiamente applicato in sistemi di energia eolica, attrezzature ferroviarie e per il trasporto su larga scala, nonché in inverter solari, gruppi di continuità (UPS), reti intelligenti e altre applicazioni elettroniche ad alta potenza.

Veicoli elettrici (EV): Per inverter di trazione, caricabatterie di bordo e convertitori CC-CC.

Energia rinnovabile: Inverter per pannelli solari e turbine eoliche.

Sistemi industriali: Azionamenti motore e apparecchiature ad alta potenza.

Aerospaziale e difesa: sistemi di alimentazione ad alta efficienza in ambienti difficili.

Domande e risposte:

D: Qual è la differenza tra wafer Si e SiC?

R: I wafer di silicio (Si) e di carburo di silicio (SiC) sono entrambi utilizzati nella produzione di semiconduttori, ma hanno proprietà fisiche, elettriche e termiche molto diverse che li rendono adatti a diversi tipi di dispositivi. I wafer di silicio sono ideali per l'elettronica standard a bassa potenza come circuiti integrati e sensori.

I wafer al carburo di silicio sono utilizzati per dispositivi di potenza ad alta tensione, alta temperatura e alta efficienza, come quelli nei veicoli elettrici, negli inverter solari e nei sistemi di alimentazione industriali.

D: Cosa è meglio, SiC o GaN?

R: SiC è l'ideale per applicazioni ad alta tensione, alta potenza e alta temperatura come EV, energia rinnovabile e sistemi industriali. GaN è l'ideale per applicazioni ad alta frequenza e bassa-media tensione come caricabatterie veloci, amplificatori RF e dispositivi di comunicazione. In effetti, la tecnologia GaN-on-SiC combina i punti di forza di entrambi — la velocità di GaN + le prestazioni termiche di SiC — ed è ampiamente utilizzata nei sistemi 5G e radar.

D: SiC è una ceramica?

R: Sì, il carburo di silicio (SiC) è una ceramica — ma è anche un semiconduttore.