Panoramica del Prodotto

Il wafer di carburo di silicio (SiC) da 6 pollici è un substrato semiconduttore di nuova generazione progettato per applicazioni elettroniche ad alta potenza, alta temperatura e alta frequenza. Con una conduttività termica superiore, un'ampia banda proibita e stabilità chimica, i wafer SiC consentono la fabbricazione di dispositivi di potenza avanzati che offrono maggiore efficienza, maggiore affidabilità e dimensioni più ridotte rispetto alle tradizionali tecnologie basate sul silicio.

L'ampia banda proibita del SiC (~3,26 eV) consente ai dispositivi elettronici di funzionare a tensioni superiori a 1.200 V, temperature superiori a 200°C e frequenze di commutazione diverse volte superiori a quelle del silicio. Il formato da 6 pollici offre una combinazione equilibrata di scalabilità di produzione ed economicità, rendendolo la dimensione principale per la produzione industriale di massa di MOSFET SiC, diodi Schottky e wafer epitassiali.

Principio di Produzione

Il wafer SiC da 6 pollici viene coltivato utilizzando la tecnologia Physical Vapor Transport (PVT) o Sublimation Growth. In questo processo, la polvere di SiC ad alta purezza viene sublimata a temperature superiori a 2.000°C e ricristallizzata su un cristallo seme sotto gradienti termici controllati con precisione. Il lingotto di SiC monocristallino risultante viene quindi affettato, lappato, lucidato e pulito per ottenere planarità e qualità della superficie di grado wafer.

Per la fabbricazione di dispositivi, strati epitassiali vengono depositati sulla superficie del wafer tramite Chemical Vapor Deposition (CVD), consentendo un controllo preciso sulla concentrazione di drogaggio e sullo spessore dello strato. Ciò garantisce prestazioni elettriche uniformi e difetti minimi dei cristalli su tutta la superficie del wafer.

Caratteristiche e Vantaggi Principali

• Ampia banda proibita (3,26 eV): Consente il funzionamento ad alta tensione e una maggiore efficienza energetica.

• Elevata conduttività termica (4,9 W/cm·K): Assicura una dissipazione del calore efficiente per dispositivi ad alta potenza.

• Elevato campo elettrico di rottura (3 MV/cm): Consente strutture di dispositivi più sottili con minore corrente di dispersione.

• Elevata velocità di saturazione degli elettroni: Supporta la commutazione ad alta frequenza e tempi di risposta più rapidi.

• Eccellente resistenza chimica e alle radiazioni: Ideale per ambienti difficili come quelli aerospaziali e i sistemi energetici.

• Diametro maggiore (6 pollici): Migliora la resa del wafer e riduce i costi per dispositivo nella produzione di massa.

Applicazioni

• SiC negli occhiali AR:
  I materiali SiC migliorano l'efficienza energetica, riducono la generazione di calore e consentono sistemi AR più sottili e leggeri grazie all'elevata conduttività termica e alle proprietà dell'ampia banda proibita.

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• SiC nei MOSFET:
  I MOSFET SiC offrono commutazione rapida, alta tensione di rottura e basse perdite, rendendoli ideali per i driver microdisplay e i circuiti di alimentazione a proiezione laser.

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• SiC nei SBD:
  I diodi a barriera Schottky SiC offrono una rettifica ultraveloce e basse perdite di recupero inverso, migliorando l'efficienza di carica e dei convertitori DC/DC negli occhiali AR.

Specifiche tecniche (personalizzabili)

Perché scegliere i nostri wafer SiC

• Elevata resa e bassa densità di difetti: L'avanzato processo di crescita dei cristalli garantisce micropipe e dislocazioni minime.

• Stabile capacità di epitassia: Compatibile con molteplici processi di produzione epitassiali e di dispositivi.

• Specifiche personalizzabili: Disponibile in vari orientamenti, livelli di drogaggio e spessori.

• Rigoroso controllo di qualità: Ispezione completa tramite XRD, AFM e mappatura PL per garantire l'uniformità.

• Supporto della catena di approvvigionamento globale: Capacità di produzione affidabile sia per prototipi che per ordini di volume.

FAQ

Q1: Qual è la differenza tra i wafer 4H-SiC e 6H-SiC?
A1: 4H-SiC offre una maggiore mobilità degli elettroni ed è preferito per dispositivi ad alta potenza e alta frequenza, mentre 6H-SiC è adatto per applicazioni che richiedono una maggiore tensione di rottura e costi inferiori.

Q2: Il wafer può essere fornito con uno strato epitassiale?
A2: Sì. I wafer SiC epitassiali (epi-wafer) sono disponibili con spessore, tipo di drogaggio e uniformità personalizzati in base ai requisiti del dispositivo.

Q3: Come si confronta il SiC con i materiali GaN e Si?
A3: Il SiC supporta tensioni e temperature più elevate rispetto a GaN o Si, rendendolo ideale per sistemi ad alta potenza. Il GaN è più adatto per applicazioni ad alta frequenza e bassa tensione.

Q4: Quali orientamenti superficiali sono comunemente usati?
A4: Gli orientamenti più comuni sono (0001) per dispositivi verticali e (11-20) o (1-100) per strutture di dispositivi laterali.

Q5: Qual è il tempo di consegna tipico per i wafer SiC da 6 pollici?
A5: Il tempo di consegna standard è di circa 4–6 settimane, a seconda delle specifiche e del volume dell'ordine.