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Polvere HPSI SiC semi-isolatrice ad alta purezza/99,9999% Purezza Crescita cristallina
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | ZMSH |
Termini di pagamento e spedizione:
| Termini di pagamento: | T/T |
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Informazioni dettagliate |
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| Purezza: | ≥ 99,9999% (6N) | Particle Size: | 0.5 µm - 10 µm |
|---|---|---|---|
| Larghezza di banda: | ~ 3,26 eV | Mohs Hardness: | 9.5 |
| Evidenziare: | Polvere di SiC per la crescita cristallina,Polvere di sic di alta purezza,Polvere di SiC semisolatrice |
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Descrizione di prodotto
Introduzione del prodotto
HPSI SiC in polvere (High Purity Semi-Isolating Silicon Carbide) è un materiale ad alte prestazioni ampiamente utilizzato in elettronica di potenza, dispositivi optoelettronici e in apparecchiature ad alta temperatura,applicazioni ad alta frequenzaConosciuta per la sua eccezionale purezza, proprietà di semi-isolamento e stabilità termica, la polvere HPSI SiC è un materiale critico per i dispositivi semiconduttori di nuova generazione.
Principio di funzionamento
Processo di crescita dei cristalli in forno monocristallo a carburo di silicio (SiC) PVT:
- Mettete polvere di carburo di silicio (SiC) di alta purezza sul fondo del crogiolo di grafite all'interno del forno e legate un cristallo di semi di carburo di silicio alla superficie interna del coperchio del crogiolo.
- riscaldare il crogiolo a temperature superiori a 2000 °C mediante riscaldamento per induzione elettromagnetica o riscaldamento a resistenza; stabilire un gradiente di temperatura assiale all'interno del crogiolo;mantenendo la temperatura del cristallo di sementi leggermente inferiore a quella della fonte di polvere.
- La polvere di SiC si decompone in componenti gassosi tra cui atomi di silicio, molecole di SiC2 e molecole di Si2C.queste sostanze in fase di vapore sono trasportate dalla zona ad alta temperatura (polvere) alla zona a bassa temperatura (cristallo di sementi)Sulla superficie di carbonio del cristallo di semi, questi componenti si organizzano in una struttura atomica ordinata seguendo l'orientamento cristallino del cristallo di semi.il cristallo si ispessa gradualmente e alla fine si trasforma in un lingotto di carburo di silicio.
Specificità
| Parametro | Intervallo di valori |
|---|---|
| Purezza | ≥ 99,9999% (6N) |
| Dimensione delle particelle | 0.5 - 10 μm |
| Resistenza | 105 - 107 Ω·cm |
| Conduttività termica | ~490 W/m·K |
| Larghezza di banda | ~ 3,26 eV |
| Durezza di Mohs | 9.5 |
Applicazioni
Crescita del singolo cristallo di SiC
- La polvere di SiC HPSI è utilizzata principalmente come materia prima per la produzione di singoli cristalli di carburo di silicio di alta purezza attraverso il trasporto fisico a vapore (PVT) o metodi di sublimazione.- Sì.
- Sì.
Struttura fisica
La polvere HPSI SiC presenta una struttura altamente cristallina, in genere esagonale (4H-SiC) o cubica La sua elevata purezza è ottenuta riducendo al minimo le impurità metalliche e controllando l'inclusione di dopanti come alluminio o azoto,che influenzano le sue caratteristiche elettriche e isolantiLa dimensione delle particelle fini garantisce l'uniformità e la compatibilità con vari processi di fabbricazione.
Domande e risposte
Q1:Per cosa viene utilizzata la polvere di carburo di silicio (SiC) HPSI?
Le applicazioni di polvere di micron di SiC sono come iniettori di sabbiatura, sigilli di pompe idriche per automobili, cuscinetti, componenti di pompe e matrici di estrusione che utilizzano alta durezza, resistenza all'abrasione,e resistenza alla corrosione del carburo di silicio.
D2: Cos'è la polvere di carburo di silicio (SiC) HPSI?
La polvere di carburo di silicio HPSI (High Purity Sintered) è un materiale SiC ad alta purezza e alta densità prodotto attraverso processi di sinterizzazione avanzati.
Q3: La polvere HPSI SiC può essere personalizzata per applicazioni specifiche?
Sì, la polvere HPSI SiC può essere adattata in termini di dimensioni delle particelle, livello di purezza e concentrazione di doping per soddisfare specifiche esigenze industriali o di ricerca.
D4: In che modo la polvere HPSI SiC influisce direttamente sulla qualità dei wafer semiconduttori?
La sua purezza, le dimensioni delle particelle e la fase cristallina determinano direttamente.
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