 |
Semi-isolatori di SiC composti Sottostrati Epi pronti 6 pollici 150 mm per dispositivi optoelettronici
Dettagli:
| Luogo di origine: | Cina |
| Marca: | ZMSH |
| Numero di modello: | Substrati compositi di SiC semisolatori |
Termini di pagamento e spedizione:
| Tempi di consegna: | 2-4 settimane |
|---|---|
| Termini di pagamento: | T/T, T/T |
|
Informazioni dettagliate |
|||
| Diametro: | 150 ± 0,2 mm | Politipo: | 4H-semi |
|---|---|---|---|
| Resistenza: | ≥ 1 E8 ohm·cm | Spessore dello strato SiC di trasferimento: | ≥ 0,4 μm |
| VUOTO: | ≤ 5ea/wafer (2mm>D>0,5mm) | Roverezza frontale: | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) |
| TTV: | ≤5μm | Warp.: | ≤ 35 μm |
| Evidenziare: | Substrati compositi in SiC da 6 pollici,Sottostrati compositi di SiC preparati per Epi,Substrati compositi in SiC da 150 mm |
||
Descrizione di prodotto
Semi-isolatori di SiC composti Sottostrati Epi pronti 6 pollici 150 mm per dispositivi optoelettronici
Riassunto per i substrati compositi SiC semisolatori
I substrati compositi SiC semi-isolatori, progettati per dispositivi optoelettronici, offrono prestazioni superiori con le loro proprietà eccezionali.nota per le sue eccellenti proprietà elettroniche e termicheCon una resistività di ≥ 1 E8 ohm/cm, questi substrati garantiscono una corrente di fuga minima e una riduzione del rumore elettronico, fondamentale per applicazioni ad alta precisione.
Una caratteristica chiave è lo spessore dello strato di trasferimento, pari a ≥ 0,4 μm, che fornisce una piattaforma robusta per la crescita dello strato epitaxiale.con vuoti ≤ 5 per wafer per dimensioni comprese tra 0 eQuesta bassa densità di difetti garantisce un'elevata affidabilità e costanza delle prestazioni nella fabbricazione dei dispositivi.
Questi substrati sono particolarmente adatti per dispositivi optoelettronici ad alta potenza e ad alta frequenza a causa della loro elevata tensione di rottura e della loro elevata conduttività termica.L'elevata resistenza meccanica e la stabilità chimica del materiale SiC lo rendono ideale per l'uso in ambienti difficili, garantendo la longevità e la durata dei dispositivi.
Nel complesso, questi substrati compositi SiC semi-isolatori sono progettati per soddisfare le rigide esigenze delle moderne applicazioni optoelettroniche,fornendo una base affidabile per lo sviluppo di dispositivi elettronici e fotonici avanzati.
Specificativi e schematica perSubstrati compositi di SiC semisolatori
Mostra fotografica dei substrati compositi SiC semisolatori
Applicazione di substrati compositi SiC semisolatori
I substrati compositi a carburo di silicio (SiC) semi-isolatori hanno numerose applicazioni in vari campi tecnologici avanzati e ad alte prestazioni.Ecco alcuni settori chiave in cui sono particolarmente preziosi:
-
elettronica ad alta frequenza:
- I substrati di SiC sono essenziali nella fabbricazione di dispositivi come i MESFET (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors) e gli HEMT (High Electron Mobility Transistors),con una lunghezza massima non superiore a 50 mm,Questi dispositivi beneficiano dell'elevata conduttività termica del SiC e di un ampio intervallo di banda, consentendo un funzionamento e un'efficienza di alta potenza.
-
Elettronica di potenza:
- I substrati di SiC sono cruciali nell'elettronica di potenza per applicazioni come convertitori di potenza, inverter e propulsori motori.Essi consentono lo sviluppo di dispositivi in grado di gestire tensioni e correnti più elevate con una maggiore efficienza e affidabilità rispetto ai dispositivi tradizionali a base di silicio.
-
Optoelettronica:
- Il SiC è utilizzato come substrato per LED (diodi emettitori di luce) e fotodetettori.Le proprietà del materiale consentono la creazione di LED UV (ultravioletti) e blu con prestazioni superiori e longevità.
-
Elettronica ad alta temperatura:
- A causa della sua eccellente stabilità termica, i substrati di SiC sono utilizzati in ambienti ad alte temperature, come l'industria aerospaziale e automobilistica.I dispositivi a base di SiC possono funzionare in modo affidabile a temperature superiori a 200°C.
-
Informatica quantistica:
- I substrati di SiC vengono esplorati nello sviluppo di componenti di calcolo quantistico.
-
Sensori per ambienti difficili:
- La robustezza del SiC lo rende adatto ai sensori che operano in ambienti difficili, come l'esplorazione del petrolio e del gas, l'esplorazione spaziale e il monitoraggio dei processi industriali.Questi sensori resistono alle temperature estreme., pressioni e ambienti corrosivi.
-
Dispositivi biomedici:
- Nel campo biomedicale, i substrati di SiC sono utilizzati per dispositivi impiantabili e biosensori a causa della loro biocompatibilità e stabilità.Forniscono una piattaforma affidabile per applicazioni mediche a lungo termine.
-
Militare e difesa:
- La natura ad alte prestazioni del SiC lo rende ideale per applicazioni di difesa, tra cui sistemi radar, guerra elettronica e sistemi di comunicazione.La capacità del materiale di gestire segnali ad alta potenza e ad alta frequenza è cruciale in queste applicazioni.
Sfruttando le proprietà uniche del SiC semi-isolatore, inclusa la sua elevata conduttività termica, ampio intervallo e stabilità chimica,Gli ingegneri e i ricercatori possono sviluppare dispositivi che soddisfano i requisiti di queste applicazioni avanzate.
Domande e risposte
D:Cos'è il SiC semi-isolatore?
A:Il carburo di silicio semi-isolatore (SiC) è un tipo di materiale in carburo di silicio progettato per avere un'elevata resistività elettrica.Questa caratteristica lo rende un substrato eccellente per la fabbricazione di dispositivi elettronici ad alta frequenza e alta potenzaA differenza del SiC conduttivo, il SiC semi-isolatore riduce al minimo la conduzione parassitaria, riducendo le interferenze e migliorando le prestazioni del dispositivo.Questo materiale ottiene le sue proprietà semisolatrici attraverso l'introduzione di dopanti specifici o difetti che compensano i portatori di carica gratuitaLa sua conduttività termica e la sua resistenza meccanica la rendono adatta anche per applicazioni in ambienti difficili, quali l'elettronica di potenza e le telecomunicazioni..