Marchio: | ZMSH |
Numero di modello: | Wafer SiC semisolatrici da 3 pollici |
MOQ: | 1 |
Condizioni di pagamento: | T/T |
La 4-HSemi-isolatori SiCIl substrato è un materiale semiconduttore ad alte prestazioni con una vasta gamma di applicazioni.Questo substrato presenta caratteristiche elettriche eccezionali, con elevata resistività e bassa concentrazione di vettore, che lo rende una scelta ideale per dispositivi elettronici a radiofrequenza (RF), a microonde e di potenza.
Caratteristiche principali del 4-HSiC semisolatoreil substrato ha proprietà elettriche molto uniformi, una bassa concentrazione di impurità e una eccezionale stabilità termica.Questi attributi lo rendono adatto per la fabbricazione di dispositivi di potenza RF ad alta frequenza, sensori elettronici ad alta temperatura e apparecchiature elettroniche a microonde.La sua elevata resistenza al campo di rottura e l'eccellente conduttività termica la posizionano anche come il substrato preferito per dispositivi ad alta potenza.
Inoltre, il 4-HSemi-isolatori SiCIl substrato dimostra un'eccellente stabilità chimica, che gli consente di operare in ambienti corrosivi e di ampliare la sua gamma di applicazioni.Svolge un ruolo fondamentale in settori come la produzione di semiconduttori, telecomunicazioni, difesa e esperimenti di fisica ad alta energia.
In sintesi, il 4-HSiC semisolatoreun supporto con proprietà elettriche e termiche eccezionali,è molto promettente nel campo dei semiconduttori e fornisce una base affidabile per la produzione di dispositivi elettronici ad alte prestazioni.
Politipo | Cristale singolo 4H | ||
Parametri del reticolo | a=3,076 A C=10,053 A |
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Sequenza di impilazione | ABCB | ||
Fessura di banda | 3.26 eV | ||
Densità | 3.21 10^3 kg/m^3 | ||
Coefficiente di espansione termico | 4-5x10^-6/K | ||
Indice di rifrazione | no = 2.719 ne = 2.777 |
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Costante dielettrica | 9.6 | ||
Conduttività termica | 490 W/mK | ||
Campo elettrico di rottura | 2-4 108 V/m | ||
Velocità della deriva di saturazione | 2.0 105 m/s | ||
Mobilità elettronica | 800 cm^2NS | ||
Mobilità del foro | 115 cm^2N·S | ||
Durezza di Mohs | 9 |
4H SiC semisolatoreè un materiale versatile utilizzato in varie applicazioni ad alte prestazioni grazie alle sue eccezionali proprietà elettriche, termiche e fisiche.
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