 |
Substrato di lucidatura sic Chip Semiconductor 8inch 200mm del lingotto del carburo di silicio
Dettagli:
| Luogo di origine: | La Cina |
| Marca: | ZMKJ |
| Certificazione: | ROHS |
| Numero di modello: | 8inch sic wafer 4h-n |
Termini di pagamento e spedizione:
| Quantità di ordine minimo: | 1pcs |
|---|---|
| Prezzo: | by case |
| Imballaggi particolari: | singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi |
| Tempi di consegna: | 4-6weeks |
| Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | 1-50pcs/month |
|
Informazioni dettagliate |
|||
| Materiale: | Monocristallo SiC | Grado: | Grado fittizio |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.35mm 0.5mm | Suraface: | doppio lato lucidato |
| Applicazione: | prova di lucidatura del creatore del dispositivo | Diametro: | 200±0.5mm |
| MOQ: | 1 | Data di consegna: | 1-5 il bisogno del pezzo l'una settimana più quantità ha bisogno dei 30 giorni |
| Evidenziare: | Substrato di lucidatura del lingotto del carburo di silicio,monocristallo sic di 200mm,Semiconduttore del wafer del carburo di silicio |
||
Descrizione di prodotto
Wafer di lucidatura dei wafer lucidati lato di cristallo eccellente ceramico 200mm del carburo di silicio del produttore del wafer del wafer della lastra di silicio di CorrosionSingle del carburo) 200mm, 150mm (silicio dei wafer/sic del substrato singolo sic sic Wafer4H-N SIC ingots/200mm sic sic
Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)
Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza.
| Proprietà | 4H-SiC, monocristallo | 6H-SiC, monocristallo |
| Parametri della grata | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Impilamento della sequenza | ABCB | ABCACB |
| Durezza di Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densità | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coefficiente di espansione | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indice @750nm di rifrazione |
nessun = 2,61 Ne = 2,66 |
nessun = 2,60 Ne = 2,65 |
| Costante dielettrica | c~9.66 | c~9.66 |
| ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
| Conducibilità termica (Semi-isolare) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Intervallo di banda | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elettrico di ripartizione | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocità di deriva di saturazione | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
1) la preparazione dei cristalli di seme di alta qualità 4H-SiC di 200mm;
2) grandi non uniformità del campo di temperatura e controllo dei processi di nucleazione;
3) l'efficienza di trasporto e l'evoluzione delle componenti gassose nei grandi sistemi della crescita dei cristalli;
4) cristallo che si fende e disertare proliferazione causata tramite grande aumento di stress termico.
Per sormontare queste sfide e per ottenere i wafer di alta qualità 200mm sic, le soluzioni sono proposte:
In termini di preparazione del cristallo di seme di 200mm, campo appropriato di temperatura, campo di flusso e assemblwere espandentesi studiato e destinato per considerare qualità di cristallo e dimensione espandentesi; Iniziando con un cristallo di 150mm SiCseed, effettui la ripetizione del cristallo di seme per ampliare gradualmente la dimensione sic di cristallo finché non raggiunga 200mm; La crescita dei cristalli multipla di Throuch ed elaborare, ottimizzano gradualmente la qualità di cristallo nel expandingarea di cristallo e migliorano la qualità dei cristalli di seme di 200mm.
i termini di n della preparazione crvstal di 200mm e del substrato conduttiva. la ricerca ha ottimizzato la progettazione del campo di flusso del fieland della temperatura per grande crescita dei cristalli, conduce la crescita dei cristalli conduttiva di 200mm sic e l'uniformità controldoping. Dopo l'elaborazione e la modellatura approssimative del cristallo, un 4H-SiCingot conduttivo a 8 pollici con un diametro standard è stato ottenuto elettricamente. Dopo il taglio, frantumando, lucidare, elaborante per ottenere sic 200mmwafers con uno spessore di 525um o così.
Circa ZMKJ Company
ZMKJ può fornisce il wafer del monocristallo di alta qualità sic (carburo di silicio) all'industria elettronica ed optoelettronica. Sic il wafer è un materiale a semiconduttore della prossima generazione, con le proprietà elettriche uniche e le proprietà termiche eccellenti, confrontate alla lastra di silicio ed al wafer di GaAs, sic wafer è più adatte ad applicazione del dispositivo di alto potere e di temperatura elevata. Sic il wafer può essere fornito di diametro a 2-6 pollici, sia 4H che 6H sic, N tipo, azoto verniciato e tipo d'isolamento disponibile. Contattici prego per più informazioni di prodotto.
FAQ:
Q: Che cosa è il modo di trasporto e di costo?
: (1) accettiamo DHL, Fedex, lo SME ecc.
(2) è benissimo se avete vostro proprio conto preciso, se non, noi potrebbe aiutarvi a spedirli e
Il trasporto è conforme allo stabilimento reale.
Q: Come pagare?
: Deposito di T/T 100% prima della consegna.
Q: Che cosa è il vostro MOQ?
: (1) per l'inventario, il MOQ è 1pcs. se 2-5pcs è migliore.
(2) per i prodotti comuni su misura, il MOQ è 10pcs su.
Q: Che cosa è il termine di consegna?
: (1) per i prodotti standard
Per l'inventario: la consegna è 5 giorni feriali dopo che ordinate.
Per i prodotti su misura: la consegna è di 2 -4 settimane dopo voi contatto di ordine.
Q: Avete prodotti standard?
: I nostri prodotti standard in azione. come substrati simili 4inch 0.35mm.