Name: Chip sic di cristallo su misura 4H-N del wafer 10x10x0.5mm del carburo di silicio di dimensione
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 10x10x0.5mmt
Price: 1,300.00 USD
Availability: InStock

Marchio:	ZMKJ
Numero di modello:	10x10x0.5mmt
MOQ:	1pcs
prezzo:	by case
Dettagli dell' imballaggio:	singolo pacchetto del wafer nella stanza di pulizia di 100 gradi
Condizioni di pagamento:	T / T, Western Union, MoneyGram

Informazione dettagliata

Descrizione di prodotto

Informazione dettagliata

Luogo di origine:

La Cina

Materiale:

Tipo del monocristallo sic 4H-N

Grado:

Grado fittizio di /Production

Thicnkss:

0,5 mm

Suraface:

Lucido

Applicazione:

prova del cuscinetto

Diametro:

10x10x0.5mmt

colore:

Testa di Moro

Capacità di alimentazione:

1-50pcs/month

Evidenziare:

silicio sui wafer dello zaffiro

sic wafer

Descrizione di prodotto

Wafer come tagliati dei lingotti di Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/dei substrati wafersS/Customzied del monocristallo del carburo di silicio del diametro 150mm elevata purezza 4H-N 4inch 6inch (sic) sic

Circa il cristallo del carburo di silicio (sic)

Il carburo di silicio (sic), anche conosciuto come carborundum, è un semiconduttore che contiene il silicio ed il carbonio con la formula chimica sic. Sic è utilizzato nei dispositivi di elettronica a semiconduttore che funzionano alle temperature elevate o alle alte tensioni, o both.SiC è inoltre una delle componenti importanti del LED, è un substrato popolare per la coltura dei dispositivi di GaN ed inoltre serve da spalmatore del calore in LED ad alta potenza.

1. Descrizione

Proprietà	4H-SiC, monocristallo	6H-SiC, monocristallo
Parametri della grata	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
Impilamento della sequenza	ABCB	ABCACB
Durezza di Mohs	≈9.2	≈9.2
Densità	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm. Coefficiente di espansione	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Indice @750nm di rifrazione	nessun = 2,61 Ne = 2,66	nessun = 2,60 Ne = 2,65
Costante dielettrica	c~9.66	c~9.66
ohm.cm (N tipo e 0,02) di conducibilità termica	a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K
Conducibilità termica (Semi-isolare)	a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K	a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K
Intervallo di banda	eV 3,23	eV 3,02
Campo elettrico di ripartizione	3-5×106V/cm	3-5×106V/cm
Velocità di deriva di saturazione	2.0×105m/s	2.0×105m/s

Specificazione del substrato del carburo di silicio del diametro di elevata purezza 4inch (sic)

DIMENSIONE DEL TERRENO COMUNALE DEL CATALOGO

Tipo 4H-N/wafer/lingotti elevata purezza sic Sic wafer N tipo a 2 pollici 4H/lingotti Sic wafer N tipo a 3 pollici 4H Sic wafer N tipo a 4 pollici 4H/lingotti Sic wafer N tipo a 6 pollici 4H/lingotti	4H cheisola/wafer elevata purezza sic 4H a 2 pollici cheisola sic wafer 4H a 3 pollici cheisola sic wafer 4H a 4 pollici cheisola sic wafer 4H a 6 pollici cheisola sic wafer
sic wafer N tipo 6H Sic wafer N tipo a 2 pollici 6H/lingotto	Dimensione di Customzied per 2-6inch

Circa ZMKJ Company

La latta di ZMKJ fornisce il wafer del monocristallo di alta qualità sic (carburo di silicio) all'industria elettronica ed optoelettronica. Sic il wafer è un materiale a semiconduttore della prossima generazione, con le proprietà elettriche uniche e le proprietà termiche eccellenti, confrontate alla lastra di silicio ed al wafer di GaAs, sic wafer è più adatte ad applicazione del dispositivo di alto potere e di temperatura elevata. Sic il wafer può essere fornito di diametro a 2-6 pollici, sia 4H che 6H sic, N tipo, azoto verniciato e tipo d'isolamento disponibile. Contattici prego per più informazioni di prodotto.

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