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Dettagli dei prodotti

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Wafer del carburo di silicio
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4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

Marchio: ZMSH
Numero di modello: Wafer in SiC da 4 pollici
MOQ: 10 pezzi
Dettagli dell' imballaggio: Pacchetto comune
Condizioni di pagamento: T/T
Informazione dettagliata
Luogo di origine:
Cina
Certificazione:
RoHS
Tipo:
4h-n
Grado:
Prodotto manifatturiero/ricerca/produzione
Spessore:
350 μm±25 μm
Ordito:
≤40μm
Rugosità:
Ra≤1 nm
Diametro:
4 pollici, 99,5 mm~ 100,0 mm
Descrizione di prodotto
4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust