Marchio: | ZMSH |
MOQ: | 1 |
prezzo: | by case |
Dettagli dell' imballaggio: | Cartoni personalizzati |
Condizioni di pagamento: | T/t |
Il rapido sviluppo di veicoli elettrici, smart grid, energie rinnovabili e sistemi industriali ad alta potenza sta guidando la domanda di dispositivi a semiconduttore in grado di gestire tensioni più elevate, maggiori densità di potenza e una migliore efficienza. Tra i semiconduttori a banda larga, il carburo di silicio (SiC) è emerso come il materiale preferito grazie alla sua ampia banda proibita, all'elevata conducibilità termica e alla superiore resistenza del campo elettrico critico.
I nostri wafer epitassiali 4H-SiC sono progettati specificamente per applicazioni MOSFET ad altissima tensione. Con uno spessore dello strato epitassiale compreso tra 100 μm e 500 μm, questi wafer forniscono le lunghe regioni di deriva richieste per i dispositivi di potenza di classe kV. Disponibili nelle specifiche standard di 100 μm, 200 μm e 300 μm e costruiti su substrati da 6 pollici (150 mm), combinano scalabilità con un'eccellente qualità del materiale, rendendoli una base ideale per l'elettronica di potenza di nuova generazione.
Lo strato epitassiale è un fattore critico nel determinare le prestazioni dei dispositivi MOSFET, in particolare il loro tensione di rottura e compromesso on-resistance.
Strati da 100–200 μm sono adatti per MOSFET a media-alta tensione, bilanciando l'efficienza di conduzione e la capacità di blocco.
Strati da 200–500 μm consentono dispositivi ad altissima tensione (10 kV e superiori), fornendo regioni di deriva estese che sostengono campi di rottura più elevati.
In tutta la gamma di spessori, l'uniformità è attentamente controllata entro ±2%, garantendo la coerenza da wafer a wafer e da lotto a lotto.
Questa flessibilità consente ai progettisti di dispositivi di selezionare lo spessore più appropriato per la loro classe di tensione target, mantenendo al contempo la riproducibilità nella produzione di massa.
I nostri wafer sono prodotti utilizzando la tecnologia all'avanguardia Chemical Vapor Deposition (CVD) di crescita epitassiale. Questo processo consente un controllo preciso dello spessore dello strato, della concentrazione di drogaggio e della qualità cristallina anche a grandi spessori.
Epitassia CVD
Gas ad alta purezza e condizioni di crescita ottimizzate garantiscono un'eccellente morfologia superficiale e una bassa densità di difetti.
Controllo dello strato spesso
Ricette di processo proprietarie consentono uno spessore epitassiale fino a 500 μm con drogaggio uniforme e superfici lisce, supportando progetti MOSFET ad altissima tensione.
Uniformità di drogaggio
La concentrazione può essere personalizzata nell'intervallo 1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, con uniformità migliore di ±5%. Ciò garantisce prestazioni elettriche costanti su tutto il wafer.
Preparazione della superficie
I wafer subiscono Chemical Mechanical Polishing (CMP) e un'ispezione rigorosa dei difetti. Le superfici lucidate sono compatibili con processi di dispositivi avanzati come l'ossidazione del gate, la fotolitografia e la metallizzazione.
Capacità ad altissima tensione
Strati epitassiali spessi (100–500 μm) consentono ai MOSFET di raggiungere tensioni di rottura di classe kV.
Qualità cristallina eccezionale
Bassa densità di dislocazioni e difetti del piano basale (BPD, TSD), riducendo al minimo le correnti di dispersione e garantendo l'affidabilità del dispositivo.
Substrati di grande diametro
I wafer da 6 pollici supportano la produzione ad alto volume, riducono i costi per dispositivo e migliorano la compatibilità del processo con le linee di semiconduttori esistenti.
Proprietà termiche superiori
L'elevata conducibilità termica e le caratteristiche di ampia banda proibita del 4H-SiC garantiscono che i dispositivi funzionino in modo efficiente in condizioni di alta potenza e temperatura.
Parametri personalizzabili
Spessore, concentrazione di drogaggio, orientamento del wafer e finitura superficiale possono essere tutti adattati a specifici requisiti di progettazione MOSFET.
Parametro | Specifiche |
---|---|
Tipo di conduttività | Tipo N (drogato con azoto) |
Resistività | QUALSIASI |
Angolo fuori asse | 4° ± 0,5° fuori (tipicamente verso la direzione [11-20]) |
Orientamento cristallino | (0001) Faccia Si |
Spessore | 200–300 µm |
Finitura superficiale | Anteriore: CMP lucidato (epi-ready) Posteriore: lappato o lucidato (opzione più veloce) |
TTV | ≤ 10 µm |
BOW/Warp | ≤ 20 µm |
I nostri wafer epitassiali 4H-SiC sono progettati per dispositivi MOSFET in applicazioni ad altissima tensione, tra cui:
Inverter di trazione per veicoli elettrici e moduli di ricarica ad alta tensione
Sistemi di trasmissione e distribuzione di smart grid
Inverter per energie rinnovabili (solare, eolico, accumulo di energia)
Alimentatori industriali ad alta potenza e sistemi di commutazione
Q1: Qual è il tipo di conduttività dei tuoi wafer epitassiali SiC?
A1: I nostri wafer sono di tipo N, drogati con azoto, che è la scelta standard per MOSFET e altre applicazioni di dispositivi di potenza.
Q2: Quali spessori sono disponibili per lo strato epitassiale?
A2: Forniamo uno spessore epitassiale di 100–500 μm, con offerte standard a 100 μm, 200 μm e 300 μm. Spessori personalizzati possono anche essere prodotti su richiesta.
Q3: Qual è l'orientamento cristallino e l'angolo fuori asse?
A3: I wafer sono orientati sulla faccia (0001) Si, con un angolo fuori asse di 4° ± 0,5°, tipicamente verso la direzione [11-20].