Wafer a carburo di silicio 6H (SiC) per alta frequenza di potenza

Wafer quadrato 6H-SiC ad alte prestazioni per applicazioni di potenza e alta frequenza

1. Panoramica del prodotto

Il substrato quadrato in carburo di silicio (SiC) 6H è fabbricato con materiale monocristallino 6H-SiC ad alta purezza e lavorato con precisione in forma quadrata per applicazioni elettroniche e a semiconduttore avanzate. In quanto materiale rappresentativo dei semiconduttori a banda larga di terza generazione, il 6H-SiC offre prestazioni eccezionali in condizioni di lavoro ad alta temperatura, alta tensione, alta frequenza e alta potenza.

Con eccellente conduttività termica, resistenza meccanica, stabilità chimica e proprietà elettriche, i substrati quadrati in SiC 6H sono ampiamente utilizzati in dispositivi di potenza, dispositivi RF, optoelettronica, sistemi laser e laboratori di ricerca e sviluppo. I substrati possono essere forniti in condizioni di superficie lucidata, semi-lucidata o non lucidata con dimensioni e spessori personalizzati.

2. Vantaggi del materiale 6H-SiC

• Durezza ultra-elevata (durezza Mohs ≈ 9,2)

• Elevata conduttività termica (~490 W/m·K) per un'efficiente dissipazione del calore

• Ampia banda proibita (3,0 eV), adatta per ambienti estremi

• Elevata resistenza del campo elettrico di rottura

• Eccellente resistenza chimica e resistenza all'ossidazione

• Elevata mobilità degli elettroni per prestazioni ad alta frequenza

• Struttura cristallina stabile e lunga durata

3. Specifiche tipiche (personalizzabili)

4. Processo di fabbricazione

1. Crescita monocristallina PVT (Physical Vapor Transport)

2. Orientamento e taglio quadrato

3. Rettifica di alta precisione e controllo dello spessore

4. Lucidatura su uno o entrambi i lati

5. Pulizia a ultrasuoni e confezionamento in camera bianca

Questo processo garantisce elevata planarità, bassi difetti superficiali ed eccellente consistenza elettrica.

5. Applicazioni chiave

• Dispositivi a semiconduttore di potenza (MOSFET, SBD, IGBT)

• Dispositivi elettronici RF e a microonde

• Componenti elettronici ad alta temperatura

• Diodi laser e rivelatori ottici

• Ricerca sui chip e sviluppo di prototipi

• Laboratori universitari e istituti di ricerca sui semiconduttori

• Microfabbricazione ed elaborazione MEMS

6. Vantaggi del prodotto

• Autentico materiale monocristallino 6H-SiC

• Forma quadrata per una facile manipolazione e fabbricazione di dispositivi

• Elevata qualità della superficie con bassa densità di difetti

• Ampia gamma di personalizzazione per dimensioni, spessore e resistività

• Prestazioni stabili in ambienti estremi

• Supporto per prototipazione in piccoli lotti e produzione di massa

• Ispezione al 100% prima della consegna

8. Domande frequenti (FAQ)

Q1: Qual è la differenza tra 6H-SiC e 4H-SiC?
A: Il 4H-SiC è più comunemente utilizzato nei dispositivi di potenza commerciali oggi a causa della maggiore mobilità degli elettroni, mentre il 6H-SiC è preferito in determinate applicazioni RF, a microonde e optoelettroniche speciali.

Q2: È possibile fornire substrati quadrati 6H-SiC non lucidati?
A: Sì, offriamo superfici lucide, lappate e non lucidate in base alle esigenze del cliente.

Q3: Supportate substrati quadrati di piccole dimensioni?
A: Sì, è possibile personalizzare dimensioni quadrate fino a 2×2 mm.

Q4: Sono disponibili rapporti di ispezione e test?
A: Sì, possiamo fornire rapporti di ispezione dimensionale, dati di test di resistività e rapporti di rugosità superficiale.

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