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Wafer Epitassiali 4H-SiC per MOSFET ad Altissima Tensione (100–500 µm, 6 pollici)

Wafer del carburo di silicio
2025-09-02
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Panoramica del prodotto dei wafer epitassiali 4H-SiC Il rapido sviluppo di veicoli elettrici, smart grid, energie rinnovabili e sistemi industriali ad alta potenza sta guidando la domanda di ... Vista più
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