2 pollici 4 pollici a base di GaN LED blu verde coltivato su piatto o PPS zaffiro MOCVD DSP SSP
Dettagli:
Place of Origin: | China |
Marca: | ZMSH |
Model Number: | Blue GaN-based LED Wafer |
Informazioni dettagliate |
|||
Sotto: | PSS o zaffiro planare | Metodo di crescita: | MOCVD |
---|---|---|---|
MQW: | 0.5 milioni di MQW | Diametro: | 2 pollici 4 pollici |
Polito: | DSP SSP | Orientazione del substrato di zaffiro: | CM0,2°±0,1° |
Evidenziare: | LED blu verde basato su GaN da 4 pollici,LED blu verde basato su GaN MOCVD,LED verde blu basato su GaN da 2 pollici |
Descrizione di prodotto
2 pollici 4 pollici GaN su zaffiro Blu/verde LED Wafer Piatto o PPS Zaffiro MOCVD DSP SSP
Descrizione del Wafer LED blu/verde GaN-on-Sapphire:
GaN su wafer zaffiro (GaN/zaffiro) si riferisce a un materiale di substrato composto da un substrato di zaffiro con uno strato di nitruro di gallio (GaN) coltivato sopra.Il GaN è un materiale semiconduttore utilizzato per la produzione di dispositivi elettronici ad alta potenza e ad alta frequenzaSapphire è un materiale duro e resistente allo stress meccanico e termico.rendendolo un substrato adatto per la crescita di GaNLe onde GaN su zaffiro sono ampiamente utilizzate nella fabbricazione di dispositivi optoelettronici, dispositivi a microonde e a onde millimetriche e dispositivi elettronici ad alta potenza.
Struttura di Wafer LED blu/verde GaN su zaffiro:
Struttura e composizione:
Nitruro di gallio (GaN) Strato epitaxiale:
Film sottile a cristallo singolo: lo strato GaN è un film sottile a cristallo singolo, che garantisce un'elevata purezza e un'eccellente qualità cristallina.migliorando così le prestazioni dei dispositivi fabbricati su tali modelli.
Caratteristiche del materiale: il GaN è noto per il suo ampio intervallo di banda (3,4 eV), la sua elevata mobilità elettronica e la sua elevata conduttività termica.Queste proprietà lo rendono altamente adatto per applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza, nonché dispositivi che operano in ambienti difficili.
Substrato di zaffiro:
Resistenza meccanica: lo zaffiro (Al2O3) è un materiale robusto con una resistenza meccanica eccezionale, che fornisce una base stabile e durevole per lo strato GaN.
Stabilità termica: lo zaffiro presenta eccellenti prestazioni termiche, compresa un'elevata conducibilità termica e stabilità termica,aiuta a dissipare il calore generato durante il funzionamento del dispositivo e a mantenere l'integrità del dispositivo a temperature elevate.
Trasparenza ottica: la trasparenza dello zaffiro nella gamma ultravioletta-infrarosso lo rende adatto per applicazioni optoelettroniche,con una larghezza massima non superiore a 20 mm,.
Tipi di modelli GaN su Sapphire:
Nitruro di gallio di tipo n
Tipo p
Tipo semisolatore
Forma di Wafer LED blu/verde a GaN su zaffiro:
Immagine di applicazione di una lamina LED blu/verde con GaN su zaffiro:
Personalizzazione:
I micro LED sono considerati una tecnologia chiave per la piattaforma metaverse per abilitare display di prossima generazione per realtà aumentata (AR), realtà virtuale (VR), telefoni cellulari e smartwatch.
Possiamo offrire GaN basato rosso, verde, blu, o UV LED Epitaxial Wafers così come altri. Il substrato potrebbe essere zaffiro, SiC, silicio e Bulk GaN Substrato. la dimensione è disponibile da 2 pollici a 4 pollici
Imballaggio e trasporto:
FAQ:
1D: Perché il GaN è su zaffiro?
R: L'uso di substrati di zaffiro consente tamponi GaN più sottili e strutture epitaxiche più semplici, a causa della crescita di qualità superiore, rispetto al materiale coltivato sul silicio.Il substrato di zaffiro è anche più isolante elettricamente del silicio, che dovrebbe consentire la capacità di blocco di kilovolt.
2.D: Quali sono i vantaggi del GaN LED?
A: Considerabile risparmio energetico. I sistemi di illuminazione tradizionali, come le lampadine a incandescenza o fluorescenti, spesso consumano molta energia e possono contribuire ad aumentare i costi energetici.L'illuminazione a LED basata su GaN è altamente efficiente e consuma molto meno energia fornendo allo stesso tempo un'illuminazione superiore.
Raccomandazione del prodotto:
1. 8 pollici GaN-on-Si Epitaxy Si Substrato RF
2Wafer GaN da 2 pollici e 4 pollici di nitruro di gallio